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(a) 촉매층의 표면에 촉매 패턴을 형성하는 단계;(a1) 상기 촉매층 표면의 상기 촉매 패턴을 제외한 부분에 그래핀의 형성을 억제시키기 위한 배리어층(barrier layer)을 적층하는 단계;(b) 상기 촉매 패턴 위에 그래핀을 형성하는 단계;(c) 상기 촉매층 표면에 접착층의 일면을 결합하여 상기 촉매 패턴 위에 상기 촉매 패턴에 대응하는 형상으로 형성된 그래핀 패턴을 상기 접착층의 일면에 접착하는 단계; 및(d) 상기 접착층을 상기 촉매층으로부터 분리하여 상기 그래핀 패턴을 상기 촉매층으로부터 박리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 패턴의 형성방법
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제 1 항에 있어서,상기 (d) 단계 이후에 상기 그래핀 패턴이 박리된 상기 촉매층의 표면을 클리닝한 후, 상기 (b) 단계 이후의 단계를 반복하는 것을 특징으로 하는 그래핀 패턴의 형성방법
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제 2 항에 있어서,상기 클리닝 단계는, O2 플라즈마를 이용하는 클리닝 방법, 피라냐솔류션을 이용하는 클리닝 방법, 드라이 에칭(dry etching)을 이용하는 클리닝 방법, 밀링(milling)을 이용하는 클리닝 방법, 브러시(brush)를 이용하는 클리닝 방법 중에서 선택된 방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 그래핀 패턴의 형성방법
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제 1 항에 있어서,상기 촉매층은 Cu, Ni, Co, Fe, Pt, Au, Al, Cr, Mg, Mn, Mo, Rh, Si, Ta, Ti, W, U, V, Zr 중에서 선택된 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 패턴의 형성방법
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제 1 항에 있어서,상기 배리어층은 SiO2, HfO2, Al2O3, TiO2 중에서 선택된 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 패턴의 형성방법
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제 1 항에 있어서,상기 (b) 단계는 화학증기 증착법(Chemical Vapour Deposition: CVD)을 이용하여 상기 촉매 패턴 위에 상기 그래핀을 성장시키는 것을 특징으로 하는 그래핀 패턴의 형성방법
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제 1 항에 있어서,상기 (a) 단계는 포토리소그래피 공정을 이용하여 상기 촉매층의 표면에 상기 촉매 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 그래핀 패턴의 형성방법
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(a) 촉매층의 표면에 촉매 패턴을 형성하는 단계;(b) 상기 촉매 패턴 위에 그래핀을 형성하는 단계;(c) 상기 촉매층 표면에 접착층의 일면을 결합하여 상기 촉매 패턴 위에 상기 촉매 패턴에 대응하는 형상으로 형성된 그래핀 패턴을 상기 접착층의 일면에 접착하는 단계;(d) 상기 접착층을 상기 촉매층으로부터 분리하여 상기 그래핀 패턴을 상기 접착층으로 전사하는 단계; 및(e) 상기 접착층에 전사된 상기 그래핀 패턴에 금속이나 유기물을 도핑하여 상기 그래핀 패턴의 일함수를 조정하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 패턴을 갖는 전자소자의 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 (d) 단계 이후에 상기 그래핀 패턴이 박리된 상기 촉매층의 표면을 클리닝한 후, 상기 (b) 단계 이후의 단계를 반복하는 것을 특징으로 하는 그래핀 패턴을 갖는 전자소자의 제조방법
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제 10 항에 있어서,상기 클리닝 단계는, O2 플라즈마를 이용하는 클리닝 방법, 피라냐솔류션을 이용하는 클리닝 방법, 드라이 에칭(dry etching)을 이용하는 클리닝 방법, 밀링(milling)을 이용하는 클리닝 방법, 브러시(brush)를 이용하는 클리닝 방법 중에서 선택된 방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 그래핀 패턴을 갖는 전자소자의 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 (c) 단계 이후 상기 접착층을 경화시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 패턴을 갖는 전자소자의 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 (c) 단계 이전에, 상기 접착층의 타면에 기판을 결합하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 패턴을 갖는 전자소자의 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 그래핀 패턴에 도핑되는 금속은 알루미늄인 것을 특징으로 하는 그래핀 패턴을 갖는 전자소자의 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 그래핀 패턴에 도핑되는 유기물은 2,3,5,6-테트라플루오로(Tetrafluoro)-7,7,8,8-테트라시아노퀴노디메탄(tetracyanoquinodimethane), 코퍼 헥사데카플루오로프탈로시아닌(copper hexadecafluorophthalocyanine), 코발트옥신(cobaltocene) 중에서 선택된 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 패턴을 갖는 전자소자의 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 (a) 단계와 상기 (b) 단계 사이에 상기 촉매층 표면의 상기 촉매 패턴을 제외한 부분에 상기 그래핀의 형성을 억제시키기 위한 배리어층을 적층하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 패턴을 갖는 전자소자의 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 (d) 단계 이후에, 상기 접착층에 부착된 상기 그래핀 패턴을 기판에 전사하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 패턴을 갖는 전자소자의 제조방법
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