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미스컷 기판을 이용한 나노 막대의 배열 방법

  • 기술번호 : KST2015166483
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 다층으로 미스컷(miscut)된 기판을 이용하여 정렬 및 밀도를 조절할 수 있는 나노 구조체의 제조방법에 관한 것으로, 특히 다층으로 미스컷된 기판의 평평한 부분인 테라스(terrace) 부분에 나노 구조체들이 잘 성장되기 때문에 하나의 기판에 밀도와 정렬을 조절할 수 있도록 미스컷을 실시하여 기판을 형성하고, 이를 HVPE법 등을 이용한 나노 구조체 제조장치에 설치하여 원하는 방향으로 정렬되고, 원하는 밀도를 갖도록 형성되는 나노 구조체의 제조방법을 제공한다.나노 구조체, 미스컷 기판
Int. CL B82B 1/00 (2011.01) B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01)
출원번호/일자 1020070045217 (2007.05.09)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2008-0099546 (2008.11.13) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.05.09)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김진교 대한민국 서울 중구
2 손유리 대한민국 서울 중랑구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세중 대한민국 서울시 강남구 테헤란로 ***, **** (역삼동. 성지하이츠 Ⅱ)(해오름국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2007.05.09 수리 (Accepted) 1-1-2007-0345597-15
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.09.07 수리 (Accepted) 4-1-2007-5139506-36
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.02.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5020006-08
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0345516-19
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2008.08.27 수리 (Accepted) 1-1-2008-0611063-10
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.09.29 수리 (Accepted) 1-1-2008-0684263-23
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.09.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0684262-88
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.02.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0047747-82
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.04.02 수리 (Accepted) 1-1-2009-0198514-12
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.04.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0198513-66
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2009.08.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0332818-33
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5029677-09
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
화합물 나노 구조체를 제조하는 방법에 있어서, 나노 구조체가 성장하는 기판은 다수개의 평평한 부분인 테라스를 갖도록 미스컷된 기판을 사용하는 것을 특징으로 하는 미스컷 기판을 이용한 나노 구조체의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 나노 구조체는 질화갈륨 나노 구조체인 것을 특징으로 하는 미스컷 기판을 이용한 나노 구조체 제조방법
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 나노 구조체는 나노로드 또는 나노와이어인 것을 특징으로 하는 미스컷 기판을 이용한 나노 구조체 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 미스컷 기판은 계단형상을 갖도록 일방향으로 미스컷된 기판을 사용하는 것을 특징으로 하는 미스컷 기판을 이용한 나노 구조체 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 미스컷 기판은 양방향(2차원) 계단형상으로 미스컷된 기판을 사용하는 것을 특징으로 하는 미스컷 기판을 이용한 나노 구조체 제조방법
6 6
제 2 항, 제 4 항 또는 제 5 항중 어느 한항에 있어서,상기 기판은 사파이어, SiC, Si, GaAs 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 미스컷 기판을 이용한 나노 구조체 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.