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에칭 가스를 이용한 나노막대 제조방법

  • 기술번호 : KST2015166490
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 에칭 가스를 이용하여 나노 구조체의 하나인 나노막대를 제조하는 장치 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 HVPE법으로 기판상부에 나노 막대를 성장시키면서 에칭 가스의 유량을 조절하여 공급함으로써 기판 상부에서 성장하는 나노막대의 길이와 직경을 조절하여 원하는 나노막대를 얻을 수 있는 에칭 가스를 이용한 나노막대 제조장치 및 그 제조방법을 제공한다.나노 구조체, 나노 막대, 에칭 가스
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01)
출원번호/일자 1020070045213 (2007.05.09)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2008-0099545 (2008.11.13) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.05.09)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김진교 대한민국 서울 중구
2 전재원 대한민국 서울 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세중 대한민국 서울시 강남구 테헤란로 ***, **** (역삼동. 성지하이츠 Ⅱ)(해오름국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2007.05.09 수리 (Accepted) 1-1-2007-0345577-13
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.09.07 수리 (Accepted) 4-1-2007-5139506-36
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.02.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5020006-08
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.02.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.03.13 수리 (Accepted) 9-1-2008-0013492-76
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0345098-25
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2008.08.27 수리 (Accepted) 1-1-2008-0611062-64
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2008.09.29 수리 (Accepted) 1-1-2008-0683428-92
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.10.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0744869-77
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2008-0744871-69
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.03.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0095788-13
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.05.04 수리 (Accepted) 1-1-2009-0268762-93
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.05.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0268761-47
14 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2009.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0407138-31
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5029677-09
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전기로가 외부에 설치된 반응로와, 그 반응로에 설치되는 Ⅲ족 원소를 포함하는 물질을 담는 용기를 구비한 불활성 가스 주입관과, V-족 원소를 포함하는 기체를 투입하는 가스 주입관과, 나노 구조체를 성장시키는 기판을 안치시키기 위한 기판 홀더 및 반응로에서 반응한 가스들을 배출하는 배기구로 구성된 나노 구조체 제조장치에 있어서, 상기 제조장치의 일측에 에칭 가스를 주입하는 에칭 가스 주입관이 더 형성된 것을 특징으로 하는 에칭 가스를 이용한 나노막대 제조장치
2 2
제 1 항에 있어서,상기 에칭 가스 주입관은,외측 일단에 유량을 조절하기 위한 유량조절수단을 더 구비한 것을 특징으로 하는 에칭 가스를 이용한 나노막대 제조장치
3 3
HVPE법을 이용한 나노막대 제조방법에 있어서,나노막대를 성장시킴과 동시에 에칭 가스를 주입하는 것을 특징으로 하는 에칭 가스를 이용한 나노막대의 제조방법
4 4
제 3 항에 있어서,상기 에칭 가스는 HCl 가스인 것을 특징으로 하는 에칭 가스를 이용한 나노막대의 제조방법
5 5
제 1 항의 나노막대 제조장치를 이용하여,기판 홀더 상부에 기판을 설치하고 용기에 Ⅲ-족 원소를 담는 단계와;전기로를 작동시켜 반응로 내부의 온도를 700 ~ 1200℃로 유지하는 단계와;상기 기판의 온도를 나노막대의 성장온도인 300 ~ 700℃로 유지하는 단계와;상기 용기를 통과하는 제1가스 주입관을 통해 불활성 가스를 주입하여 용기속의 Ⅲ-족 원소와 반응하면서 기판 상부로 투입되도록 하는 단계와; 제2가스 주입관을 통해 V-족 원소를 포함하는 가스를 투입하는 단계와;상기 에칭 가스 주입관을 통해 에칭 가스를 주입하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 에칭 가스를 이용한 나노막대의 제조방법
6 6
제 5 항에 있어서,상기 불화성 가스는 할리드 가스인 것을 특징으로 하는 에칭 가스를 이용한 나노막대의 제조방법
7 7
제 5 항에 있어서,상기 V-족 원소를 포함하는 기체는 NH3인 것을 특징으로 하는 에칭 가스를 이용한 나노막대의 제조방법
8 8
제 5 항에 있어서,상기 Ⅲ-족 원소는 Ga인 것을 특징으로 하는 에칭 가스를 이용한 나노막대의 제조방법
9 9
제 5 항에 있어서,상기 에칭 가스는 HCl 가스인 것을 특징으로 하는 에칭 가스를 이용한 나노막대의 제조방법
10 10
제 5 항에 있어서,상기 에칭 가스 주입시 나노막대 직경의 성장속도에 따라 유량을 조절하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 에칭 가스를 이용한 나노막대의 제조방법
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패밀리정보가 없습니다
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