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염화수소 유량 조절을 이용한 나노 구조체 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014035378
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 HVPE법을 이용한 나노 구조체 제조장치에서 염화수소 유량을 조절하여 나노 구조체를 제조하는 방법에 관한 것으로, 특히 질화갈륨 나노 구조체 제조 장치의 갈륨 용기를 통과하는 염화수소 가스 주입관을 통해 통상적으로 갈륨과 반응하는 염화수소의 유량보다 다량의 염화수소 가스를 주입하여 기판 상부에 형성되는 질화갈륨 나노 구조체가 잉여 염화수소 가스에 의해 융합현상을 일으키지 않고 원하는 크기로 성장할 수 있도록 하는 질화갈륨 나노 구조체 제조 방법을 제공한다. 질화갈륨(GaN), 염화수소(HCl), 나노 구조체
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 1/00 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC H01L 21/02271(2013.01) H01L 21/02271(2013.01) H01L 21/02271(2013.01) H01L 21/02271(2013.01)
출원번호/일자 1020080035570 (2008.04.17)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1007501-0000 (2011.01.04)
공개번호/일자 10-2009-0110011 (2009.10.21) 문서열기
공고번호/일자 (20110112) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.04.17)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김진교 대한민국 서울 중구
2 손유리 대한민국 서울 중랑구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세중 대한민국 서울시 강남구 테헤란로 ***, **** (역삼동. 성지하이츠 Ⅱ)(해오름국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.04.17 수리 (Accepted) 1-1-2008-0273490-52
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2008.06.13 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2008-0424837-00
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2008.06.18 수리 (Accepted) 1-1-2008-0435095-86
4 서류반려이유안내서
Notice of Reason for Return of Document
2008.06.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0077086-60
5 [반려요청]서류반려요청(반환신청)서
[Request for Return] Request for Return of Document
2008.06.25 수리 (Accepted) 1-1-2008-0457521-40
6 서류반려안내서
Notification for Return of Document
2008.06.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0079551-36
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.03.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0134987-65
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2010.05.31 수리 (Accepted) 1-1-2010-0350903-16
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.06.03 수리 (Accepted) 1-1-2010-0356759-66
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.06.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0356762-04
11 등록결정서
Decision to grant
2010.11.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0539582-10
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5029677-09
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
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번호 청구항
1 1
질화갈륨 나노 구조체 제조장치의 Ⅲ-족 원소용기에 갈륨을 담는 단계; 상기 Ⅲ-족 원소용기를 통과하는 제1 가스 주입관으로 염화수소 가스가 갈륨과 반응하여 GaCl로 모두 변환되는데 필요한 유량 이상으로 상기 염화수소 가스를 주입하는 단계와; 상기 나노 구조체 제조장치의 제2 가스 주입관으로 암모니아 가스를 반응로 내로 주입하여 기판 위에 질화 갈륨 나노 구조체를 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 염화수소 유량 조절을 이용한 질화갈륨 나노 구조체 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 제1 가스 주입관으로 주입되는 염화수소 가스의 유량은 Ⅲ-족 원소용기에 담긴 갈륨과 반응하는 염화수소 가스의 유량의 2 내지 10배인 것을 특징으로 하는 염화수소 유량 조절을 이용한 질화갈륨 나노 구조체 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 나노 구조체를 성장시키기 위한 기판의 온도는 600~800℃인 것을 특징으로 하는 염화수소 유량 조절을 이용한 질화갈륨 나노 구조체 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 서울특별시 국민대학교 산학협력단 서울시 산학연 협력사업(기술기반구축사업) 나노공정 기술 및 장비 개발 산학연 혁신 클러스터