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염화수소 가스의 유량 조절을 이용한 저온에서의 질화갈륨나노 구조체 제조방법

  • 기술번호 : KST2014032865
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질화갈륨 나노 구조체를 저온에서 제조할 수 있는 방법에 관한 것으로, 특히 질화갈륨 나노 구조체 제조장치를 이용하여 Ⅲ-족 원소에 공급되는 염화수소(HCl) 가스의 유량을 조절함으로써 종래의 질화갈륨 나노 구조체의 성장 온도보다 저온에서 양질의 질화갈륨 나노 구조체를 얻을 수 있는 염화수소 가스의 유량 조절을 이용한 저온에서의 질화갈륨 나노 구조체 제조방법을 제공한다. 질화갈륨(GaN), 염화수소(HCl), 나노 구조체, HCl 유량 조절
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) C01G 15/00 (2011.01) C01B 21/06 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC C01G 15/00(2013.01) C01G 15/00(2013.01) C01G 15/00(2013.01)
출원번호/일자 1020080009501 (2008.01.30)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0949008-0000 (2010.03.15)
공개번호/일자 10-2009-0083601 (2009.08.04) 문서열기
공고번호/일자 (20100323) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.01.30)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김진교 대한민국 서울 중구
2 손유리 대한민국 서울 중랑구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세중 대한민국 서울시 강남구 테헤란로 ***, **** (역삼동. 성지하이츠 Ⅱ)(해오름국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.01.30 수리 (Accepted) 1-1-2008-0078064-41
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.02.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5020006-08
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2008.06.13 무효 (Invalidation) 1-1-2008-0424829-34
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2008.06.18 수리 (Accepted) 1-1-2008-0435088-66
5 보정요구서
Request for Amendment
2008.06.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0076842-03
6 수수료 반환 안내서
Notification of Return of Official Fee
2008.06.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0076843-48
7 무효처분안내서
Notice for Disposition of Invalidation
2008.07.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0091924-45
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0477292-28
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.01.15 수리 (Accepted) 1-1-2010-0028444-30
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.01.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0028442-49
11 등록결정서
Decision to grant
2010.02.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0049442-22
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5029677-09
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
질화갈륨 나노 구조체 제조장치를 이용하여 기판에 질화 갈륨 나노 구조체를 제조하는 방법에 있어서, 상기 제조장치에 V-족 원소를 포함하는 기체인 NH3 가스를 주입하면서, Ⅲ-족 원소 용기에 담긴 Ga 원소에 공급되는 염화수소(HCl) 가스를 40sccm 이하로 주입하며, 상기 Ⅲ-족 원소 용기의 온도는 400 ~ 600℃로 유지하는 것을 특징으로 하는 염화수소 가스의 유량 조절을 이용한 저온에서의 질화갈륨 나노 구조체 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 기판의 온도는 300 ~ 400℃로 유지하는 것을 특징으로 하는 염화수소 가스의 유량 조절을 이용한 저온에서의 질화갈륨 나노 구조체 제조방법
3 3
삭제
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 기판은 사파이어 기판, SiC 기판, Si 기판, GaAs 기판 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 염화수소 가스의 유량 조절을 이용한 저온에서의 질화갈륨 나노 구조체 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 서울특별시 국민대학교 산학협력단 서울시 산학연 협력사업(기술기반구축사업) 나노공정 기술 및 장비 개발 산학연 혁신 클러스터