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기판 전처리를 이용한 질화갈륨 나노 구조체의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015167232
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질화갈륨 나노 구조체 제조장치를 이용하여 기판 상부에 질화갈륨 나노 구조체를 형성하는 과정에서 기판 상부에 형성되는 나노 구조체의 밀도를 조절하는 방법에 관한 것으로, 특히 질화갈륨 나노 구조체 제조장치 내부에 장착되는 기판 상면을 나노 구조체를 형성하기 전에 마스크 증착이나 식각 공정 없이 간단히 Ga 원소에 HCl 가스를 공급하여 Ga 전처리를 실시함으로써 기판 상면에 형성되는 질화갈륨 나노 구조체의 밀도를 조절할 수 있는 기판의 전처리를 이용한 질화갈륨 나노 구조체의 제조방법에 관한 것이다. 질화갈륨(GaN), 염화수소(HCl), 갈륨 전처리
Int. CL C01B 21/00 (2011.01) B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC C01G 15/00(2013.01) C01G 15/00(2013.01) C01G 15/00(2013.01) C01G 15/00(2013.01) C01G 15/00(2013.01)
출원번호/일자 1020080009503 (2008.01.30)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2009-0083603 (2009.08.04) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.01.30)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김진교 대한민국 서울 중구
2 손유리 대한민국 서울 중랑구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세중 대한민국 서울시 강남구 테헤란로 ***, **** (역삼동. 성지하이츠 Ⅱ)(해오름국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.01.30 수리 (Accepted) 1-1-2008-0078066-32
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.02.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5020006-08
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2008.06.13 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2008-0424833-17
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2008.06.18 수리 (Accepted) 1-1-2008-0435091-04
5 서류반려이유안내서
Notice of Reason for Return of Document		 2008.06.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0077085-14
6 [반려요청]서류반려요청(반환신청)서
[Request for Return] Request for Return of Document		 2008.06.25 수리 (Accepted) 1-1-2008-0457520-05
7 서류반려안내서
Notification for Return of Document		 2008.06.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0079552-82
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.12.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0525989-03
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2010.03.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0135216-61
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5029677-09
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
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번호 청구항
1 1
질화갈륨 나노 구조체 제조장치를 이용하여 기판 상부에 질화갈륨 나노 구조체를 제조하는 방법에 있어서, Ⅲ-족 원소 용기에 갈륨을 담고, HCl 가스만을 공급하여 상기 기판 상부에 질화갈륨의 핵화 과정이 일어나도록 기판을 전처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 전처리를 이용한 질화갈륨 나노 구조체의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 기판을 전처리하는 시간은 3 내지 10분인 것을 특징을 하는 기판 전처리를 이용한 질화갈륨 나노 구조체의 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 질화갈륨 나노 구조체는 나노 막대 또는 나노 와이어인 것을 특징으로 하는 기판 전처리를 이용한 질화갈륨 나노 구조체의 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 기판은 사파이어, SiC, Si, GaAs 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 기판 전처리를 이용한 질화갈륨 나노 구조체의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 서울특별시 국민대학교 산학협력단 서울시 산학연 협력사업(기술기반구축사업) 나노공정 기술 및 장비 개발 산학연 혁신 클러스터