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인듐을 이용한 저온에서의 나노 구조체 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014032910
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질화갈륨 나노 구조체를 저온에서 제조할 수 있는 방법에 관한 것으로, 특히 질화갈륨 나노 구조체를 제조하기 위한 장치를 이용하여 Ga 원소가 담기는 용기에 인듐(In)을 혼합하여 담고 종래의 질화갈륨 나노 구조체의 성장온도보다 상대적으로 저온인 400 ~ 500℃로 이 용기의 온도를 유지하면서 HCl과 반응 시키고 기판의 온도를 300 ~ 450℃ 범위로 유지하여 질화갈륨 나노 구조체를 제조할 수 있는 인듐을 이용한 저온에서의 나노 구조체 제조방법을 제공한다. 질화갈륨(GaN), 자기직립 기판, 인듐, 나노 구조체
Int. CL B82B 1/00 (2011.01) B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01)
출원번호/일자 1020080009500 (2008.01.30)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0975835-0000 (2010.08.09)
공개번호/일자 10-2009-0083600 (2009.08.04) 문서열기
공고번호/일자 (20100816) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.01.30)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김진교 대한민국 서울 중구
2 전재원 대한민국 서울 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세중 대한민국 서울시 강남구 테헤란로 ***, **** (역삼동. 성지하이츠 Ⅱ)(해오름국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.01.30 수리 (Accepted) 1-1-2008-0078063-06
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.02.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5020006-08
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2008.06.13 무효 (Invalidation) 1-1-2008-0424828-99
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2008.06.18 수리 (Accepted) 1-1-2008-0435086-75
5 보정요구서
Request for Amendment
2008.06.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0076849-11
6 수수료 반환 안내서
Notification of Return of Official Fee
2008.06.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0076850-68
7 무효처분안내서
Notice for Disposition of Invalidation
2008.07.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0091917-25
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.12.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0525260-38
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.02.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0115337-72
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.02.22 수리 (Accepted) 1-1-2010-0115338-17
11 등록결정서
Decision to grant
2010.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0279979-11
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5029677-09
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
질화갈륨 나노구조체 제조장치의 로딩암에 기판이 장착되는 단계; 상기 질화갈륨 나노구조체 제조장치의 제1 가스 주입관의 중간에 설치된 Ⅲ-족 원소 용기에 갈륨과 인듐이 혼합되어 담기는 단계; 상기 질화갈륨 나노구조체 제조장치의 제2 가스 주입관을 통해 Ⅴ-족 원소를 포함하는 가스인 NH3가 주입되는 단계; 상기 기판이 소정 온도에 도달하는 경우 상기 Ⅲ-족 원소 용기를 통과하는 상기 제1 가스 주입관을 통해 HCl 가스가 주입되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 인듐을 이용한 저온에서의 나노 구조체 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 Ⅲ-족 원소용기에 담는 갈륨과 인듐의 혼합비는 3:2인 것을 특징으로 하는 인듐을 이용한 저온에서의 나노 구조체 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 질화갈륨 나노구조체 제조장치의 제3 가스 주입관을 통해 질소(N2), 수소(H2) 및 아르곤(Ar) 중 어느 하나가 주입되는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 인듐을 이용한 저온에서의 나노 구조체 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 질화갈륨 나노 구조체는 나노 막대인 것을 특징으로 하는 인듐을 이용한 저온에서의 나노 구조체 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 Ⅲ-족 원소 용기의 온도는 400 내지 600℃인 것을 특징으로 하는 인듐을 이용한 저온에서의 나노 구조체 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 기판의 온도는 300 내지 450℃인 것을 특징으로 하는 인듐을 이용한 저온에서의 나노 구조체 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 서울특별시 국민대학교 산학협력단 서울시 산학연 협력사업(기술기반구축사업) 나노공정 기술 및 장비 개발 산학연 혁신 클러스터