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선택적 나노 구조체의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014032864
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판 상부에 선택적으로 성장 가능한 나노 구조체 제조 방법에 관한 것으로, 특히 질화갈륨 나노 구조체 제조장치에 장착한 고온의 기판에 염화수소(HCl) 가스만을 투입하여 기판을 부분 식각하고, 갈륨(Ga) 원소를 Ⅲ-족 원소 용기에 담고 반응가스들을 주입하여 상기 기판의 식각된 부분에 질화갈륨 나노 구조체를 성장시켜 제조하는 선택적 나노 구조체의 제조방법을 제공한다. 질화갈륨, 나노 구조체, 기판 식각
Int. CL B82B 1/00 (2011.01) B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01)
출원번호/일자 1020080009505 (2008.01.30)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0949007-0000 (2010.03.15)
공개번호/일자 10-2009-0083605 (2009.08.04) 문서열기
공고번호/일자 (20100323) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.01.30)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김진교 대한민국 서울 중구
2 최혁민 대한민국 서울 중랑구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세중 대한민국 서울시 강남구 테헤란로 ***, **** (역삼동. 성지하이츠 Ⅱ)(해오름국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.01.30 수리 (Accepted) 1-1-2008-0078069-79
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.02.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5020006-08
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2008.06.13 무효 (Invalidation) 1-1-2008-0424835-19
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2008.06.18 수리 (Accepted) 1-1-2008-0435093-95
5 보정요구서
Request for Amendment
2008.06.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0076847-20
6 수수료 반환 안내서
Notification of Return of Official Fee
2008.06.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0076848-76
7 무효처분안내서
Notice for Disposition of Invalidation
2008.07.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0091927-82
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0477294-19
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.01.19 수리 (Accepted) 1-1-2010-0036160-12
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.01.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0036159-65
11 등록결정서
Decision to grant
2010.02.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0049441-87
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5029677-09
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
질화갈륨 나노 구조체 제조 장치를 이용하여 기판 상부에 질화갈륨 나노 구조체를 제조하는 방법에 있어서, 상기 질화갈륨 나노 구조체 제조 장치의 로딩암에 기판을 장착하고 가열시켜 700 내지 1200℃로 유지하는 단계; 상기 나노 구조체 제조장치의 Ⅲ-족 원소 용기에 갈륨 원소를 담지 않은 상태에서 제1 가스 주입관을 통해 상기 기판에 염화수소 가스만을 주입하여 상기 기판을 부분 식각하는 단계; 제2 가스 주입관을 통해 Ⅴ-족 원소를 포함하는 가스인 NH3를 주입하는 단계; 상기 Ⅲ-족 원소 용기에 갈륨을 담고, 염화수소 가스를 상기 제1 가스 주입관을 통해 주입함으로써 상기 식각된 부분에서만 질화갈륨 나노 구조체를 성장시키는 단계를 포함하며, 상기 부분 식각되는 영역의 면적 및 식각 정도는 상기 주입되는 염화수소 가스의 주입시간과 유량에 비례하는 것을 특징으로 하는 선택적 질화갈륨 나노 구조체의 제조방법
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삭제
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 기판은 사파이어, SiC, Si, GaAs 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 선택적 질화갈륨 나노 구조체 제조 방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 선택적으로 성장한 나노 구조체는 나노 와이어 또는 나노 로드인 것을 특징으로 하는 선택적 질화갈륨 나노 구조체의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 서울특별시 국민대학교 산학협력단 서울시 산학연 협력사업(기술기반구축사업) 나노공정 기술 및 장비 개발 산학연 혁신 클러스터