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메모리의 감지 증폭회로

  • 기술번호 : KST2014059918
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 저항의 변화상태를 감지하여 데이터를 읽기위한 메모리의 감지 증폭회로가 개시된다. 감지 증폭기 회로는 셀에서 발생되는 셀 전압을 소신호 레벨에서 증폭한다. 증폭된 신호는 다시 공통 소스 증폭기로 입력되어 반전된 소신호 레벨로 증폭된다. 이를 통해 셀 전압에서 발생된 변동값은 양의 방향 및 음의 방향으로 증폭되고, 감지 증폭기로 입력된다.
Int. CL G11C 13/00 (2006.01.01) G11C 11/16 (2006.01.01) G11C 7/06 (2006.01.01) G11C 5/14 (2006.01.01)
CPC G11C 13/004(2013.01) G11C 13/004(2013.01) G11C 13/004(2013.01) G11C 13/004(2013.01) G11C 13/004(2013.01) G11C 13/004(2013.01)
출원번호/일자 1020100134350 (2010.12.24)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1224328-0000 (2013.01.14)
공개번호/일자 10-2012-0072550 (2012.07.04) 문서열기
공고번호/일자 (20130121) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.12.24)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박용식 대한민국 서울특별시 성동구
2 송윤흡 대한민국 서울특별시 성동구
3 길규현 대한민국 서울특별시 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2010-0855683-11
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.10.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.11.15 수리 (Accepted) 9-1-2011-0089182-24
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.07.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0386508-87
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.09.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0706915-27
6 등록결정서
Decision to grant
2013.01.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0021253-69
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전류를 셀에 인가하여 셀 전압을 발생시키는 셀 전압 발생부;상기 셀 전압을 수신하고, 공통 소스 증폭을 통해 상기 셀 전압의 변동폭보다 더 높은 변동폭을 가지는 확장 셀 전압을 형성하는 셀 전압 확장부;기준 셀에 전류를 인가하여 기준 전압을 발생시키는 기준 전압 발생부;상기 기준 전압을 수신하고, 상기 확장 셀 전압의 변동폭과 반대의 거동을 나타내는 확장 기준 전압을 형성하는 기준 전압 확장부; 및상기 확장 셀 전압 및 상기 확장 기준 전압을 수신하고, 차동증폭을 수행하는 감지 증폭기를 포함하는 감지 증폭회로
2 2
제1항에 있어서, 상기 셀 전압 확장부는, 상기 셀 전압의 변화를 전류량의 변화로 전환하는 액티브 로드부; 및상기 액티브 로드부와 접지 사이에 연결되고, 상기 전류량의 변화를 전압의 변화로 전환하고 이를 증폭하는 전류 미러부를 포함하는 것을 특징으로 하는 감지 증폭회로
3 3
제2항에 있어서, 상기 액티브 로드부는,전원전압과 상기 전류 미러부 사이에 연결되고, 상기 셀 전압을 수신하는 제1 트랜지스터; 및상기 전원전압과 상기 전류 미러부 사이에 연결되고, 상기 셀 전압을 수신하며, 상기 제1 트랜지스터와 병렬로 연결된 제2 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 감지 증폭회로
4 4
제2항에 있어서, 상기 전류 미러부는,상기 액티브 로드부와 접지 사이에 연결되고, 다이오드 연결된 제3 트랜지스터; 및상기 액티브 로드부와 접지 사이에 연결되고, 게이트 단자가 상기 제3 트랜지스터의 게이트 단자에 연결되고, 공통 소스 증폭을 통해 상기 확장 셀 전압을 형성하는 제4 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 감지 증폭회로
5 5
제1항에 있어서, 상기 기준 전압 확장부는 상기 확장 셀 전압을 수신하고 공통 소스 증폭을 통해 확장 기준 전압을 형성하는 것을 특징으로 하는 감지 증폭회로
6 6
제5항에 있어서, 상기 기준 전압 확장부는,상기 기준 전압을 수신하고, 전원 전압에 연결된 제5 트랜지스터; 및상기 제5 트랜지스터와 접지 사이에 연결되고, 상기 확장 셀 전압을 입력받고, 공통 소스 증폭을 통해 상기 확장 기준 전압을 형성하는 제6 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 감지 증폭회로
7 7
감지 대상인 셀에서 발생되는 셀 전압을 소신호 증폭하여 확장 셀 전압을 형성하는 셀 전압 증폭부;기준 셀에서 발생되는 기준 전압을 바이어스로 이용하고, 입력되는 상기 확장 셀 전압을 소신호 증폭하여 확장 기준 전압을 발생하는 기준 전압 증폭부; 및상기 확장 셀 전압 및 상기 확장 기준 전압을 수신하고 증폭하는 감지 증폭기를 포함하는 감지 증폭회로
8 8
제7항에 있어서, 상기 셀 전압 증폭부는 공통 소스 증폭을 통해 상기 셀 전압의 변동폭을 증폭하여 상기 셀 전압의 변동폭을 상회하는 변동폭을 가진 상기 확장 셀 전압을 형성하는 것을 특징으로 하는 감지 증폭회로
9 9
제7항에 있어서, 상기 기준 전압 증폭부는 상기 확장 셀 전압을 공통 소스 증폭을 통해 상기 확장 기준 전압으로 형성하고, 상기 확장 기준 전압의 변동은 상기 확장 셀 전압의 변동과 반대 방향을 가지는 것을 특징으로 하는 감지 증폭회로
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한양대학교 산학협력단 기술혁신사업(산업원천기술개발사업) 30nm급 수직자화형 고집적 STT-MRAM