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Ｎ-형 유기-무기 나노복합 초격자 투명 반도체 박막, 상기의 제조 방법 및 전자 기기적 용도
- 기술번호 : KST2014059922
- 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-6124-6930
| 요약 | 본 발명은 유기층 및 N-형 무기 반도체층을 포함하는, N-형 유기-무기 나노복합 초격자 투명 반도체 박막, 상기의 제조 방법 및 상기의 전자 기기적 용도에 관한 것으로서, 본 발명에 의하여, 유기층과 무기 반도체층을 복합함으로써 유연성 전자기기에 적용 가능한 높은 전계 효과 이동도를 가지는 N-형 유기-무기 나노복합 초격자 투명 반도체 박막을 제조할 수 있고, 이를 이용하여 낮은 전압 하에서 빠른 속도로 구동되는 유연하고 투명한 다양한 전자 소자 및 장치 등을 구현할 수 있다.유기-무기 나노복합, 초격자, 투명 반도체 박막, ALD, MLD |
|---|---|
| Int. CL | H01L 21/205 (2006.01.01) H01L 29/786 (2006.01.01) |
| CPC | H01L 51/0562(2013.01) H01L 51/0562(2013.01) H01L 51/0562(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020080132777 (2008.12.24) |
| 출원인 | 한양대학교 산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-1298017-0000 (2013.08.12) |
| 공개번호/일자 | 10-2010-0074375 (2010.07.02) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20130819) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2011.08.29) |
| 심사청구항수 | 25 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한양대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 성동구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 성명모 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 |
| 2 | 박예록 | 대한민국 | 경기도 동두천시 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 특허법인엠에이피에스 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한양대학교 산학협력단 | 서울특별시 성동구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2008.12.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0885854-11 |
| 2 | 보정요구서 Request for Amendment |
2009.01.07 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2009-0001294-81 |
| 3 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2009.01.12 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0016236-01 |
| 4 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative) |
2011.07.12 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0532022-55 |
| 5 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2011.08.29 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0671555-49 |
| 6 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination) |
2011.08.29 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0671572-15 |
| 7 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2012.03.13 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 8 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2012.04.19 | 수리 (Accepted) | 9-1-2012-0030865-74 |
| 9 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2013.02.08 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0091874-76 |
| 10 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2013.04.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0302021-06 |
| 11 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2013.04.08 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0302022-41 |
| 12 | 등록결정서 Decision to grant |
2013.08.08 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0548850-77 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.06.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5068294-39 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.02.16 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5022074-70 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5155816-75 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5156285-09 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 기판 상에 형성된 N-형 무기 반도체층 및 상기 N-형 무기 반도체층 상에 형성된 유기층을 포함하는, N-형 유기-무기 나노복합 초격자 투명 반도체 박막 |
| 2 |
2 제 1 항에 있어서, 상기 유기층이 자기조립 단분자막 (SAMs = Self-Assembled Monolyers) 및 π-공액(conjugated) 단분자막 중 하나 이상을 포함하는 것인, N-형 유기-무기 나노복합 초격자 투명 반도체 박막 |
| 3 |
3 제 2 항에 있어서, 상기 자기조립 단분자막이 말단에 탄소-탄소 이중결합을 포함하는 알킬기를 갖는 알킬트리클로로실란 화합물을 포함하는 전구체로부터 형성된 것인, N-형 유기-무기 나노복합 초격자 투명 반도체 박막 |
| 4 |
4 제 2 항에 있어서, 상기 π-공액 단분자막이 2개 이상의 말단 -OH 기를 포함하는 π-공액성 유기화합물을 포함하는 전구체로부터 형성된 것인, N-형 유기-무기 나노복합 초격자 투명 반도체 박막 |
| 5 |
5 제 1 항에 있어서, 상기 N-형 무기 반도체층이 원자층 증착법에 의하여 형성된 N-형 무기 반도체 박막인, N-형 유기-무기 나노복합 초격자 투명 반도체 박막 |
| 6 |
6 제 1 항에 있어서, 상기 N-형 무기 반도체층이 미량 불순물에 의해 도핑된 것인, N-형 유기-무기 나노복합 초격자 투명 반도체 박막 |
| 7 |
7 제 6 항에 있어서, 상기 미량 불순물이 N, P, As, Cu, Ag 및 Au로 이루어진 군에서 선택되는 것인, N-형 유기-무기 나노복합 초격자 투명 반도체 박막 |
| 8 |
8 제 5 항에 있어서, 상기 N-형 무기 반도체층이 N-형 ZnO의 박막을 포함하는 것인, N-형 유기-무기 나노복합 초격자 투명 반도체 박막 |
| 9 |
9 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 유기층 및 N-형 무기 반도체층을 각각 한 층 이상 포함하는, N-형 유기-무기 나노복합 초격자 투명 반도체 박막 |
| 10 |
10 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판은 금속 산화물 기판, 반도체 기판, 유리 기판 또는 플라스틱 기판인, N-형 유기-무기 나노복합 초격자 투명 반도체 박막 |
| 11 |
11 제 10 항에 있어서, 상기 플라스틱 기판이 폴리카보네이트(polycarbonate, PC) 중합체, 폴리에테르설폰(polyethersulfone, PES) 중합체, 폴리에틸렌나프탈레이트(polyethylene naphthalate, PEN) 중합체, 또는 이들의 혼성 중합체인, N-형 유기-무기 나노복합 초격자 투명 반도체 박막 |
| 12 |
12 하기를 포함하는, 제 1 항의 N-형 유기-무기 나노복합 초격자 투명 반도체 박막의 제조 방법:기판을 챔버 내에 배치하는 단계;상기 챔버 내에 N-형 무기 반도체층을 형성하기 위한 무기 전구체와 산화 전구체를 주입하여 원자층 증착법에 의하여 상기 기판 위에 N-형 무기 반도체층을 형성하는 단계; 및상기 챔버 내에 유기 전구체를 주입하여 분자층 증착법에 의하여 상기 형성된 N-형 무기 반도체층 위에 유기층을 형성하는 단계 |
| 13 |
13 제 12 항에 있어서, 상기 무기 전구체가 유기금속 화합물인, N-형 유기-무기 나노복합 초격자 투명 반도체 박막의 제조 방법 |
| 14 |
14 제 13 항에 있어서, 상기 유기금속 화합물이 디메틸아연 또는 디에틸아연인, N-형 유기-무기 나노복합 초격자 투명 반도체 박막의 제조 방법 |
| 15 |
15 제 12 항에 있어서, 상기 N-형 무기 반도체층을 형성하는 단계 후, 전하 운반체 농도를 조절하기 위하여 도핑용 전구체를 주입하여 상기 N-형 무기 반도체층을 도핑하는 단계를 추가로 포함하는, N-형 유기-무기 나노복합 초격자 투명 반도체 박막의 제조 방법 |
| 16 |
16 제 15 항에 있어서, 상기 도핑용 전구체가 N, P, As, Cu, Ag 및 Au로 이루어진 군에서 선택되는 원소를 포함하는 화합물인, N-형 유기-무기 나노복합 초격자 투명 반도체 박막의 제조 방법 |
| 17 |
17 제 12 항에 있어서, 상기 유기 전구체가 자기조립단분자막 형성용 전구체 또는 π-공액 단분자막 형성용 전구체인, N-형 유기-무기 나노복합 초격자 투명 반도체 박막의 제조 방법 |
| 18 |
18 제 17 항에 있어서, 상기 자기조립단분자막 형성용 전구체가 말단에 탄소-탄소 이중결합을 포함하는 알킬기를 포함하는 알킬트리클로로실란 화합물을 포함하는 것인, N-형 유기-무기 나노복합 초격자 투명 반도체 박막 |
| 19 |
19 제 17 항에 있어서, 상기 π-공액 단분자막 형성용 전구체가 2개 이상의 말단 -OH 기를 갖는 π-공액성 화합물을 포함하는 것인, N-형 유기-무기 나노복합 초격자 투명 반도체 박막의 제조 방법 |
| 20 |
20 제 12 항에 있어서, 상기 무기 반도체층을 형성하는 단계 및 유기층을 형성하는 단계를 각각 복수회 반복하는 것을 포함하는, N-형 유기-무기 나노복합 초격자 투명 반도체 박막의 제조 방법 |
| 21 |
21 제 12 항에 있어서, 상기 기판은 금속 산화물 기판, 반도체 기판, 유리 기판 또는 플라스틱 기판인, N-형 유기-무기 나노복합 초격자 투명 반도체 박막의 제조 방법 |
| 22 |
22 제 21 항에 있어서, 상기 플라스틱 기판이 폴리카보네이트(polycarbonate, PC) 중합체, 폴리에테르설폰(polyethersulfone, PES) 중합체, 폴리에틸렌나프탈레이트(polyethylene naphthalate, PEN) 중합체, 또는 이들의 혼성 중합체인, N-형 유기-무기 나노복합 초격자 투명 반도체 박막의 제조 방법 |
| 23 |
23 하기를 포함하는, N-형 유기-무기 나노복합 박막 전계 효과 트랜지스터:기판 상에 형성되는 게이트 전극; 상기 게이트 전극의 상부 또는 하부에 형성되는 제 1 항의 N-형 유기-무기 나노복합 초격자 투명 반도체 박막; 상기 N-형 유기-무기 나노복합 초격자 투명 반도체 박막과 전기적으로 접촉되는 소스/드레인 전극; 및 상기 게이트 전극과 상기 N-형 유기-무기 나노복합 초격자 투명 반도체 박막 사이에 형성되는 게이트 절연막 |
| 24 |
24 하기를 포함하는, 유기-무기 나노복합 P/N 접합 다이오드:기판 상에 형성되는 제 1 항의 N-형 유기-무기 나노복합 초격자 투명 반도체 박막; 및상기 N-형 유기-무기 나노복합 초격자 투명 반도체 박막 위에 형성되는 P-형 반도체 박막 |
| 25 |
25 제 24 항에 있어서, 상기 P-형 반도체 박막이 P-형 유기 반도체 박막인, 유기-무기 나노복합 P/N 접합 다이오드 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 과학기술부 | 한양대학교산학협력단 | 나노원천기술개발사업 | 플라스틱 전자소자용 공유결합성 유기-무기 하이브리드 나노라미네이트 박막의 제조 및 특성 연구 |
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
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- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1298017-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20081224 출원 번호 : 1020080132777 공고 연월일 : 20130819 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20130808 청구범위의 항수 : 25 유별 : H01L 21/205 발명의 명칭 : Ｎ-형 유기-무기 나노복합 초격자 투명 반도체 박막, 상기의 제조 방법 및 전자 기기적 용도 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 510,000 원 | 2013년 08월 12일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 413,000 원 | 2016년 07월 05일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 413,000 원 | 2017년 06월 29일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 295,000 원 | 2018년 07월 02일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 525,000 원 | 2019년 06월 24일 | 납입 |
| 제 8 년분 | 금 액 | 525,000 원 | 2020년 07월 13일 | 납입 |
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2008.12.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0885854-11 |
| 2 | 보정요구서 | 2009.01.07 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2009-0001294-81 |
| 3 | [출원서등 보정]보정서 | 2009.01.12 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0016236-01 |
| 4 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 | 2011.07.12 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0532022-55 |
| 5 | [명세서등 보정]보정서 | 2011.08.29 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0671555-49 |
| 6 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 | 2011.08.29 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0671572-15 |
| 7 | 선행기술조사의뢰서 | 2012.03.13 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 8 | 선행기술조사보고서 | 2012.04.19 | 수리 (Accepted) | 9-1-2012-0030865-74 |
| 9 | 의견제출통지서 | 2013.02.08 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0091874-76 |
| 10 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2013.04.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0302021-06 |
| 11 | [명세서등 보정]보정서 | 2013.04.08 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0302022-41 |
| 12 | 등록결정서 | 2013.08.08 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0548850-77 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.06.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5068294-39 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.02.16 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5022074-70 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5155816-75 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5156285-09 |
| 기술번호 | KST2014059922 |
|---|---|
| 자료제공기관 | NTB |
| 기술공급기관 | 한양대학교 |
| 기술명 | Ｎ-형 유기-무기 나노복합 초격자 투명 반도체 박막, 상기의 제조 방법 및 전자 기기적 용도 |
| 기술개요 |
본 발명은 유기층 및 N-형 무기 반도체층을 포함하는, N-형 유기-무기 나노복합 초격자 투명 반도체 박막, 상기의 제조 방법 및 상기의 전자 기기적 용도에 관한 것으로서, 본 발명에 의하여, 유기층과 무기 반도체층을 복합함으로써 유연성 전자기기에 적용 가능한 높은 전계 효과 이동도를 가지는 N-형 유기-무기 나노복합 초격자 투명 반도체 박막을 제조할 수 있고, 이를 이용하여 낮은 전압 하에서 빠른 속도로 구동되는 유연하고 투명한 다양한 전자 소자 및 장치 등을 구현할 수 있다.유기-무기 나노복합, 초격자, 투명 반도체 박막, ALD, MLD |
| 개발상태 | 기술개발진행중 |
| 기술의 우수성 | |
| 응용분야 | Ｎ-형 유기-무기 나노복합 초격자 투명 반도체 박막, 상기의 제조 방법 및 전자 기기적 용도 |
| 시장규모 및 동향 | |
| 희망거래유형 | 라이센스, |
| 사업화적용실적 | |
| 도입시고려사항 |
| 과제고유번호 | 1345074502 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2008-02378 |
| 연구과제명 | 플라스틱전자소자용공유결합성유기-무기하이브리드나노라미네이트박막의제조및특성연구 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국과학재단 |
| 연구주관기관명 | 한양대학교 |
| 성과제출연도 | 2008 |
| 연구기간 | 200806~201105 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
| 과제고유번호 | 1345200257 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2012M3A7B4034985 |
| 연구과제명 | 유기-무기 나노복합 계면 제어 기술 개발 및 이종접합 전자소자 응용 연구 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 미래창조과학부 |
| 연구관리전문기관명 | |
| 연구주관기관명 | |
| 성과제출연도 | 2013 |
| 연구기간 | 201206~201706 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
| 과제고유번호 | 1711000202 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2009-0092807 |
| 연구과제명 | 분자층성장 기술을 이용한 유기-무기 나노복합초격자 제조 및 응용 연구 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 미래창조과학부 |
| 연구관리전문기관명 | |
| 연구주관기관명 | |
| 성과제출연도 | 2013 |
| 연구기간 | 200909~201408 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
특허성과
| [1020130148971] | 단결정 유기 나노 구조물 및 이를 포함하는 유기 반도체 | 새창보기 |
|---|---|---|
| [1020110113496] | 유기-무기 나노하이브리드 비휘발성 메모리 캐패시터, 유기-무기 나노하이브리드 비휘발성 메모리 트랜지스터 및 이들의 제조 방법 | 새창보기 |
| [1020090026388] | 원자층 증착법을 이용한 금속층 형성 방법 | 새창보기 |
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| [1020090002378] | 나노 전사 직접 인쇄법을 이용한 미세 패턴 형성 방법 | 새창보기 |
| [1020080132777] | Ｎ-형 유기-무기 나노복합 초격자 투명 반도체 박막, 상기의 제조 방법 및 전자 기기적 용도 | 새창보기 |
중요키워드
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|---|---|---|
| [KST2016017872][한양대학교] | 아연 산질화물을 포함하는 박막, 그 제조 방법, 및 이를 포함하는 트랜지스터(thin film comprising Zinc oxynitride, method of fabricating the same, and transistor comprising the same) | 새창보기 |
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