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그래핀 시트가 배치된 기판을 준비하는 단계;상기 그래핀 시트 상에 보호층, 희생층 및 레지스트층을 순차로 형성하는 단계;상기 레지스트층의 표면 내에 홀 패턴을 형성하는 단계;상기 홀 패턴을 따라 상기 희생층과 보호층을 식각하여 트렌치를 형성하되, 상기 그래핀 시트에 인접하는 보호층은 잔존하도록 식각하는 단계;상기 트렌치를 회전시켜, 상기 트렌치의 측벽을 따라 나노컵 패턴의 금속막을 형성하는 단계;상기 금속막의 하면을 제거하여 나노튜브 패턴의 금속막을 형성하는 단계;상기 레지스트층과 희생층을 제거하는 단계;상기 나노튜브 패턴을 따라 상기 보호층과, 상기 보호층에 인접하는 그래핀 시트를 식각하는 단계; 및상기 보호층과 금속막을 제거하여 그래핀 나노 어레이를 형성하는 단계를 포함하는 그래핀 나노 어레이의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 그래핀 나노 어레이는 나노링 형상의 그래핀이 정렬된 어레이인 그래핀 나노 어레이의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 보호층은 수용성인 동시에, 상기 희생층의 용매에는 불용성인 그래핀 나노 어레이의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 보호층은 PVA층이고, 상기 희생층은 PMMA층인 그래핀 나노 어레이의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 레지스트층에 홀 패턴을 형성하는 단계는 나노 임프린트 리소그래피 공정을 이용하여 수행되는 그래핀 나노 어레이의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 잔존하는 보호층의 두께는 30nm ∼ 50nm인 그래핀 나노 어레이의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 홀 패턴을 따라 상기 희생층과 보호층을 식각하여 트렌치를 형성하는 단계의 식각은 O2 플라즈마를 이용하여 수행되는 그래핀 나노 어레이의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 트렌치를 회전시키는 각도는 30° ∼ 50°인 그래핀 나노 어레이의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 나노튜브 패턴을 따라 상기 보호층과 상기 그래핀 시트를 식각하는 단계의 식각은 O2 플라즈마를 이용하되, 과식각하여 언더컷을 발생시키는 그래핀 나노 어레이의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 그래핀 나노 어레이를 형성하는 단계 이후, 상기 기판을 열처리하는 단계를 더 포함하는 그래핀 나노 어레이의 제조방법
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게이트 전극;상기 게이트 전극 상에 위치하는 게이트 절연막;상기 게이트 절연막 상에 위치하고, 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항의 그래핀 나노 어레이의 제조방법에 의해 제조된 그래핀 나노 어레이를 포함하는 그래핀 나노 채널; 및상기 채널과 각각 접촉하는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 그래핀 전계효과 트랜지스터
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