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탄소나노튜브를 이용한 금속 나노와이어 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015002082
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 탄소나노튜브를 이용하여 저온의 공정에서 손쉽게 제조가 가능하고 그 특성을 제어할 수 있는 탄소나노튜브를 이용한 금속 나노와이어 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 금속 나노와이어의 제조방법은, 탄소나노튜브를 준비하는 단계, 탄소나노튜브를 코팅하고자 하는 금속을 함유하는 금속 소재와 함께 금속의 이온이 함유된 전해질 용액에 담그는 단계, 탄소나노튜브를 음극에 연결하고 금속 소재를 양극에 연결한 후 직류 전원을 공급하여 탄소나노튜브의 외측 둘레에 전해질 용액에 함유된 금속을 석출시키는 단계를 포함한다. 본 발명은 전도성을 갖는 탄소나노튜브를 베이스로 하여 탄소나노튜브에 금속층을 전기 도금함으로써, 저온 공정에서 손쉽게 대면적의 금속 나노와이어를 구현할 수 있다.
Int. CL B82B 3/00 (2006.01)
CPC B82B 3/0095(2013.01) B82B 3/0095(2013.01) B82B 3/0095(2013.01) B82B 3/0095(2013.01)
출원번호/일자 1020130124427 (2013.10.18)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1339529-0000 (2013.12.03)
공개번호/일자 10-2013-0124260 (2013.11.13) 문서열기
공고번호/일자 (20131210) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자 10-2011-0034329 (2011.04.13)
관련 출원번호 1020110034329
심사청구여부/일자 Y (2013.10.18)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강성준 대한민국 서울 서초구
2 김한기 대한민국 경기 수원시 영통구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서재승 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***-*(논현동) ***호(스카이국제특허사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 경기도 용인시 기흥구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2013.10.18 수리 (Accepted) 1-1-2013-0941143-22
2 등록결정서
Decision to grant		 2013.11.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0811638-07
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2013.12.10 수리 (Accepted) 1-1-2013-1130248-41
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5029677-09
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 탄소나노튜브를 준비하는 단계;(b) 상기 탄소나노튜브 외측 둘레에 전기도금 방식으로 금속층을 형성시키는 단계;(c) 상기 금속층이 형성된 상기 탄소나노튜브의 일부 외측 둘레와 상기 일부 외측 둘레로부터 이격한 다른 일부 외측 둘레에 각각 보호층을 코팅하는 단계;(d) 상기 보호층이 코팅되지 않은 상기 금속층을 산화시켜 금속 산화층을 형성하는 단계; 및(e) 상기 보호층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 나노와이어의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 금속층을 형성시키는 단계는(b1) 상기 탄소나노튜브를 코팅하고자 하는 금속을 함유하는 금속 소재와 함께 상기 금속의 이온이 함유된 전해질 용액에 담그는 단계; 및(b2) 상기 탄소나노튜브를 음극에 연결하고 상기 금속 소재를 양극에 연결한 후, 직류 전원을 공급하여 상기 탄소나노튜브의 외측 둘레에 상기 전해질 용액에 함유된 상기 금속을 석출시키는 단계를 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 금속 나노와이어 제조 방법
3 3
(a) 탄소나노튜브를 준비하는 단계;(b) 상기 탄소나노튜브 일부 외측 둘레에 전기도금 방식으로 제1 금속층을 형성시키는 단계;(c) 상기 제1 금속층의 외측 둘레에 제1 보호층을 코팅한 후, 상기 탄소나노튜브의 다른 외측 둘레에 전기도금 방식으로 제2 금속층을 형성시키는 단계;(d) 상기 제2 금속층의 외측 둘레에 제2 보호층을 코팅한 후, 상기 제1 금속층 및 상기 제2 금속층이 형성되지 않은 상기 탄소나노튜브의 외측 둘레에 제3 금속층을 형성시키는 단계; 및(e) 상기 제1 보호층, 제2 보호층 및 상기 제3 보호층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 나노와이어 제조 방법
4 4
제 3 항에 있어서,상기 제2 금속층은 반도체층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 금속 나노와이어의 제조방법
5 5
제 3 항에 있어서,상기 제2 금속층은 절연층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 금속 나노와이어 제조방법
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1 KR101388839 KR 대한민국 FAMILY

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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국과학기술원 글로벌 프론티어 사업 (나노기반 소프트 일렉트로닉스 연구) 신개념 소프트 소자 및 집적회로 아키텍쳐