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공기중에서도 안정한 n형 그래핀 반도체 소재 및 소자

  • 기술번호 : KST2015003708
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 공기 중에서도 안정한, 인(phosphorus)-도핑된 그래핀을 포함하는 채널층을 이용한 전계효과 트랜지스터, 그의 제조 방법, 인-도핑된 그래핀, 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
Int. CL C01B 31/02 (2006.01) H01L 29/78 (2006.01)
CPC H01L 29/78(2013.01) H01L 29/78(2013.01) H01L 29/78(2013.01) H01L 29/78(2013.01) H01L 29/78(2013.01) H01L 29/78(2013.01)
출원번호/일자 1020120136477 (2012.11.28)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1430140-0000 (2014.08.07)
공개번호/일자 10-2014-0068683 (2014.06.09) 문서열기
공고번호/일자 (20140813) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.11.28)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이효영 대한민국 경기 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.11.28 수리 (Accepted) 1-1-2012-0987868-36
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.08.20 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.10.10 수리 (Accepted) 9-1-2013-0077105-73
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.10.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0744078-88
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2013-1201848-79
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.12.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-1201849-14
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2014.05.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0327908-99
8 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2014.06.12 수리 (Accepted) 7-1-2014-0021805-45
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2014.07.09 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0643814-83
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.07.09 수리 (Accepted) 1-1-2014-0643813-37
11 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2014.07.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0485484-93
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기재 상에 각각 형성된 소스 전극 및 드레인 전극; 및상기 소스 전극 및 드레인 전극과 전기적으로 연결되며, 인(phosphorous)-도핑된 그래핀을 포함하는 채널층을 포함하는, 전계효과 트랜지스터로서,상기 그래핀은 화학기상증착법에 의하여 이중층으로 형성되는 것이며,상기 인-도핑은 상기 그래핀의 이중층 사이에 생성되는 것이고,공기 중에서 안정적인, 전계효과 트랜지스터
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 인-도핑은 트리페닐(triphenyl)기-함유 인 화합물, P4O4, H3PO4, PF3, PCl3, PBr3, PI3, PF5, PCl5, PBr5, PI5, 포스파인(phosphine, PH3), 디포스페인(diphosphane, H2PPH2), 디포스파인[diphosphine, R2PPR2, R2P(CH2)nPR2], 디포스펜(diphosphene, HP=PH), 디포스펜스(diphosphenes, R-P=P-R), 포스파인 옥사이드(phosphine oxide, R3P=O), 포스포레인(phosphorane, PR5, R3P=CR2), 포스피나이트[phosphinite, P(OR)R2], 포스포나이트[phosphonite, P(OR)2R], 포스파이트[phosphate, P(OR)3], 포스피네이트[phosphinate, R2P(RO)O], 포스포네이트[phosphonate, RP(RO)2O], 포스페이트[phosphate, P(RO)3O], 및 이들의 조합들로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 전구체로서 이용하여 수행되는 것인, 전계효과 트랜지스터
3 3
삭제
4 4
제 1 항에 있어서,상기 인-도핑 함량은 0
5 5
제 1 항에 있어서,상기 소스 전극 및 드레인 전극은 각각 독립적으로 Au, Al, Ag, Be, Bi, Co, Cu, Cr, Hf, In, Mn, Mo, Mg, Ni, Nb, Pb, Pd, Pt, Rh, Re, Ru, Sb, Ta, Te, Ti, V, W, Zr, Zn, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 전계효과 트랜지스터
6 6
제 1 항에 있어서,상기 기재는 실리콘, 유리, 또는 석영을 포함하는 것인, 전계효과 트랜지스터
7 7
제 1 항에 있어서,상기 기재는 플렉서블(flexible) 또는 투명 플렉서블 기재를 포함하는 것인, 전계효과 트랜지스터
8 8
기재 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 각각 형성하고;상기 소스 전극 및 드레인 전극과 전기적으로 연결되며, 인-도핑된 그래핀을 포함하는 채널층을 형성하는 것을 포함하는, 전계효과 트랜지스터의 제조 방법으로서,상기 그래핀은 화학기상증착법에 의하여 이중층으로 형성되는 것이며,상기 인-도핑은 상기 그래핀의 이중층 사이에 생성되는 것이고,제조된 전계효과 트랜지스터는 공기 중에서 안정적인 것인,전계효과 트랜지스터의 제조 방법
9 9
제 8 항에 있어서, 상기 인-도핑은 트리페닐(triphenyl)기-함유 인 화합물, P4O4, H3PO4, PF3, PCl3, PBr3, PI3, PF5, PCl5, PBr5, PI5, 포스파인(phosphine, PH3), 디포스페인(diphosphane, H2PPH2), 디포스파인[diphosphine, R2PPR2, R2P(CH2)nPR2], 디포스펜(diphosphene, HP=PH), 디포스펜스(diphosphenes, R-P=P-R), 포스파인 옥사이드(phosphine oxide, R3P=O), 포스포레인(phosphorane, PR5, R3P=CR2), 포스피나이트[phosphinite, P(OR)R2], 포스포나이트[phosphonite, P(OR)2R], 포스파이트[phosphate, P(OR)3], 포스피네이트[phosphinate, R2P(RO)O], 포스포네이트[phosphonate, RP(RO)2O], 포스페이트[phosphate, P(RO)3O], 및 이들의 조합들로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 전구체로서 이용하여 수행되는 것인, 전계효과 트랜지스터의 제조 방법
10 10
삭제
11 11
제 8 항에 있어서,상기 인-도핑 함량은 0
12 12
제 8 항에 있어서,상기 소스 전극 및 드레인 전극은 각각 독립적으로 Au, Al, Ag, Be, Bi, Co, Cu, Cr, Hf, In, Mn, Mo, Mg, Ni, Nb, Pb, Pd, Pt, Rh, Re, Ru, Sb, Ta, Te, Ti, V, W, Zr, Zn, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 전계효과 트랜지스터의 제조 방법
13 13
제 8 항에 있어서,상기 기재는 실리콘, 유리, 또는 석영을 포함하는 것인, 전계효과 트랜지스터의 제조 방법
14 14
제 8 항에 있어서,상기 기재는 플렉서블 또는 투명 플렉서블 기재를 포함하는 것인, 전계효과 트랜지스터의 제조 방법
15 15
그래핀에 기체 상태, 액체 상태, 또는 용매에 용해된 상태의 인 화합물을 포함하는 전구체를 주입하는 단계; 및상기 그래핀을 가열하여 인-도핑하는 단계를 포함하는, 인-도핑된 그래핀의 제조 방법으로서,상기 그래핀은 화학기상증착법에 의하여 이중층으로 형성되는 것이며,상기 인 화합물은 트리페닐(triphenyl)기-함유 인 화합물, P4O4, H3PO4, PF3, PCl3, PBr3, PI3, PF5, PCl5, PBr5, PI5, 포스파인(phosphine, PH3), 디포스페인(diphosphane, H2PPH2), 디포스파인[diphosphine, R2PPR2, R2P(CH2)nPR2], 디포스펜(diphosphene, HP=PH), 디포스펜스(diphosphenes, R-P=P-R), 포스파인 옥사이드(phosphine oxide, R3P=O), 포스포레인(phosphorane, PR5, R3P=CR2), 포스피나이트[phosphinite, P(OR)R2], 포스포나이트[phosphonite, P(OR)2R], 포스파이트[phosphate, P(OR)3], 포스피네이트[phosphinate, R2P(RO)O], 포스포네이트[phosphonate, RP(RO)2O], 포스페이트[phosphate, P(RO)3O], 및 이들의 조합들로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것이고, 상기 인-도핑은 상기 그래핀의 이중층 사이에 생성되는 것인,인-도핑된 그래핀의 제조 방법
16 16
삭제
17 17
삭제
18 18
제 15 항에 따른 인-도핑된 그래핀의 제조 방법에 의하여 제조되며,상기 그래핀은 이중층으로 형성된 것이고,상기 인-도핑은 상기 그래핀의 이중층 사이에 생성되는 것인, 인-도핑된 그래핀
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1 교육과학기술부 성균관대학교 산학협력단 창의적연구지원사업 3단계1/3(7/9) 기능성 분자메모리 연구단