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나노와이어/양자점 이종구조 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015011539
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고체 기판 상에 용액-액체-고체(SLS) 성장된 CdTe 나노와이어, 코어/쉘 형태의 CdTe/ZnSe 나노와이어 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 CdTe 나노와이어는 균일한 직경의 직선형이고, 고결정성의 고밀도 나노와이어이다. 또한, 본 발명에 따른 CdTe 나노와이어를 ZnSe 나노결정으로 코팅하여 코어/쉘 구조로 된 CdTe/ZnSe 나노와이어를 제조함으로써 type I 에너지밴드 구조와 이에 따른 양자 우물 구조를 규명하였는바, CdTe 나노와이어 단독에 비해 증강된 광발광(PL) 방출을 나타낸다. 따라서, 본 발명에 따른 CdTe 나노와이어와 ZnSe 나노결정이 코팅된 코어/쉘 형태의 CdTe/ZnSe 나노와이어는 반도체 시스템의 성장에 적용할 수 있어 센서, 태양전지 등 각종 저가의 고성능 나노소자로 개발될 수 있다.
Int. CL C09K 11/08 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01) C09K 11/02 (2006.01)
CPC Y02E 10/50(2013.01)
출원번호/일자 1020120046708 (2012.05.03)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1401924-0000 (2014.05.26)
공개번호/일자 10-2013-0123523 (2013.11.13) 문서열기
공고번호/일자 (20140530) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.05.03)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 성윤모 대한민국 경기 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.05.03 수리 (Accepted) 1-1-2012-0353159-36
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.07.02 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.08.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0066185-57
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0676074-77
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.12.02 수리 (Accepted) 1-1-2013-1098637-57
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2013-1193658-67
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.01.29 수리 (Accepted) 1-1-2014-0095941-18
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-0198386-15
10 지정기간연장관련안내서
Notification for Extension of Designated Period		 2014.03.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0040472-22
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.03.31 수리 (Accepted) 1-1-2014-0307267-15
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
13 등록결정서
Decision to grant		 2014.05.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0345767-69
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
고체 기판 상에 용액-액체-고체(SLS) 성장된 카드뮴 텔러라이드(CdTe) 나노와이어; 및상기 카드뮴 텔러라이드 나노와이어에 코팅된 아연 셀레나이드(ZnSe) 나노결정을 포함하는 코어/쉘 형태의 카드뮴 텔러라이드/아연 셀레나이드 나노와이어
2 2
제 1 항에 있어서,상기 아연 셀레나이드(ZnSe) 나노결정의 두께는 5-10 ㎚인 것을 특징으로 하는 코어/쉘 형태의 카드뮴 텔러라이드/아연 셀레나이드 나노와이어
3 3
제 1 항에 있어서,상기 카드뮴 텔러라이드(CdTe) 나노와이어의 직경은 5-100 ㎚인 것을 특징으로 하는 코어/쉘 형태의 카드뮴 텔러라이드/아연 셀레나이드 나노와이어
4 4
제 1 항에 있어서,상기 고체 기판은 소다석회 유리인 것을 특징으로 하는 코어/쉘 형태의 카드뮴 텔러라이드/아연 셀레나이드 나노와이어
5 5
가) Cd 전구체를 함유하는 용액을 준비하는 단계;나) 고체 기판 상에 CdTe 씨앗층과 Bi 촉매층을 연속하여 증착시키는 단계;다) 상기 나)에서 증착된 고체 기판을 폴리비닐알코올(PVC) 용액에 침지시키고, Bi 촉매층을 열처리하여 Bi 촉매 나노입자로 분쇄한 후, 상기 가)에서 준비된 용액에 장입하는 단계;라) 상기 다)에서 고체 기판이 장입된 용액에 Te 전구체를 함유하는 용액을 주입하여 고체 기판 상에 용액-액체-고체(SLS) 성장된 CdTe 나노와이어를 제조한는 단계;마) ZnSe 나노결정을 함유하는 용액을 상기 CdTe 나노와이어가 성장된 고체 기판에 적하하고 건조하여 CdTe 나노와이어를 ZnSe 나노결정으로 코팅하는 단계; 및바) 상기 마)에서 코팅된 CdTe 나노와이어를 열처리하여 CdTe/ZnSe 코어쉘 구조를 얻는 단계;를 포함하는 코어/쉘 형태의 카드뮴 텔러라이드/아연 셀레나이드 나노와이어의 제조방법
6 6
제 5 항에 있어서,상기 Cd 전구체는 산화카드뮴인 것을 특징으로 하는 코어/쉘 형태의 카드뮴 텔러라이드/아연 셀레나이드 나노와이어의 제조방법
7 7
제 5 항에 있어서,상기 Te 전구체는 Te-트리부틸포스핀(TBP)인 것을 특징으로 하는 코어/쉘 형태의 카드뮴 텔러라이드/아연 셀레나이드 나노와이어의 제조방법
8 8
제 1 항에 따른 코어/쉘 형태의 카드뮴 텔러라이드/아연 셀레나이드 나노와이어를 포함하는 나노소자
9 9
제 8 항에 있어서,상기 나노소자는 센서, 태양전지, 트랜지스터, 발광소자, 수광소자, 광검출소자(photodetector), 발광 다이오드(Light Emitting Diode), 레이저 다이오드(Laser Diode), EL(electroluminescence)소자, PL(photoluminescence)소자 및 CL(Cathodeluminescence)소자로 이루어진 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 하는 나노소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국산업기술진흥원 고려대학교 산학협력단 국제공동기술개발사업 Development of hign-performance thermoelectric composites and sputtering targets by SPS
2 한국연구재단 고려대학교 산학협력단 중견연구자지원_핵심연구 [중견-1차]반도체나노라드 소결을 이용한 고효율 열전발전 복합재료 개발