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나노 구조물의 형성 방법 및 이를 이용한 나노 소자의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015133551
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 나노 구조물의 형성 방법에 있어서, 제1 영역 및 제2 영역으로 구획된 기판 상에 제1 및 제2 영역들을 가로지르게 연장된 제1 희생막 패턴을 형성한다. 기판 상에 제2 영역을 덮도록, 제1 희생막 패턴에 대한 식각 선택비를 갖는 물질로 이루어진 제2 희생막 패턴을 형성한다. 제1 및 제2 희생막 패턴을 포함하는 기판 전체에 자기 조립형 나노 박막을 형성한다. 기판으로부터 제2 희생막 패턴을 리프트 오프하여, 제1 희생막 패턴의 측벽에 수직 방향으로 연장된 나노 패턴을 형성한다.
Int. CL B82B 1/00 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC B82B 3/0095(2013.01) B82B 3/0095(2013.01)
출원번호/일자 1020140010610 (2014.01.28)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1527317-0000 (2015.06.02)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20150609) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.01.28)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이병양 대한민국 서울특별시 강남구
2 전태진 대한민국 경상북도 김천시 양금
3 손종렬 대한민국 서울특별시 성동구
4 진준형 대한민국 서울특별시 마포구
5 박민준 대한민국 충청남도 부여군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이동건 대한민국 서울특별시 강남구 논현로***길 *, *층 ***호 (논현동)(차암특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-0093001-80
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.10.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.11.12 수리 (Accepted) 9-1-2014-0088448-10
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.03.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0171791-19
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.05.13 수리 (Accepted) 1-1-2015-0457866-17
8 등록결정서
Decision to grant		 2015.05.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0336237-17
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 영역 및 제2 영역으로 구획된 기판 상에 상기 제1 및 제2 영역들을 가로지르게 연장된 제1 희생막 패턴을 형성하는 단계;상기 기판 상에 상기 제2 영역을 덮도록, 상기 제1 희생막 패턴에 대한 식각 선택비를 갖는 물질로 이루어진 제2 희생막 패턴을 형성하는 단계;상기 제1 및 제2 희생막 패턴을 포함하는 기판 전체에 자기 조립형 나노 박막을 형성하는 단계; 및상기 기판으로부터 상기 제2 희생막 패턴을 리프트 오프하여, 상기 제1 희생막 패턴의 측벽에 수직 방향으로 연장된 나노 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 나노 구조물의 형성 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 기판으로부터 상기 제1 희생막 패턴을 선택적으로 리프트 오프시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 구조물의 형성 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 기판 전체에 자기 조립형 나노 박막을 형성하는 단계는 나노 물질이 포함하는 용액에 침지시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 구조물의 형성 방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 나노 물질은 탄소나노튜브, 그래핀 및 나노 와이어 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 구조물의 형성 방법
5 5
도전 영역 및 절연 영역으로 구획된 기판 상에 상기 도전 영역 및 상기 절연 영역을 가로지르게 연장된 제1 희생막 패턴을 형성하는 단계;상기 기판 상에 상기 절연 영역을 덮도록, 상기 제1 희생막 패턴에 대한 식각 선택비를 갖는 물질로 이루어진 제2 희생막 패턴을 형성하는 단계;상기 제1 및 제2 희생막 패턴들을 포함하는 기판 전체에 자기 조립형 나노 박막을 형성하는 단계;상기 제1 희생막 패턴의 적어도 하나의 측벽을 제외한 나머지 기판 전체에 상기 나노 박막을 덮도록 금속 박막을 형성하는 단계; 및 상기 제2 희생막 패턴을 리프트 오프하여, 상기 기판의 도전 영역에 수직 방향으로 연장된 나노 패턴 및 적어도 하나의 전극을 형성하는 단계를 포함하는 나노 소자의 제조 방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 제1 희생막 패턴을 선택적으로 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 소자의 제조 방법
7 7
제5항에 있어서, 상기 제2 희생막 패턴을 리프트 오프하는 단계는 식각액을 이용하는 습식 식각 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 소자의 제조 방법
8 8
제5항에 있어서, 상기 제1 희생막 패턴은 금속 물질로 형성되며, 상기 제2 희생막 패턴은 감광성 고분자 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 나노 소자의 제조 방법
9 9
제5항에 있어서, 상기 나노 박막을 덮도록 금속 박막을 형성하는 단계는 경사 금속 증착 공정을 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 환경부 고려대학교 산학협력단 생활공감환경보건기술 알레르기 질환 환경유해인자 통합 검출 센서 개발
2 미래창조과학부 고려대학교 산합협력단 일반연구자-신진(연구장비) 바이러스 기반 신에너지 압전물질 개발