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수용액과 전기화학적 방법에 의한 금속 산화물 나노막대의 선택적인 성장 방법

  • 기술번호 : KST2015132224
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 수용액과 전기화학적 방법에 의한 금속 산화물 나노막대의 선택적인 성장 방법을 제공한다. 본 발명에서는 전극이 패터닝된 기판 상에 금속 산화물 씨드(seed) 용액을 코팅한다. 상기 금속 산화물 씨드 용액이 코팅된 기판에 OH-가 포함되지 않고 금속 이온을 포함하는 성장용액을 가하고 가열하며 상기 전극에 전압을 인가한다. 상기 전극 상에 선택적으로 금속 산화물 나노막대를 성장시킨다.
Int. CL B82B 1/00 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC C01B 13/14(2013.01) C01B 13/14(2013.01) C01B 13/14(2013.01) C01B 13/14(2013.01)
출원번호/일자 1020100077389 (2010.08.11)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0015128 (2012.02.21) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.08.11)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박정호 미국 서울특별시 강남구
2 박정일 대한민국 서울특별시 성북구
3 유학추 중국 중국 헤이룽장 프로빈스 하얼빈 웨스트 다

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)
2 박보경 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)(특허법인필앤온지)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.08.11 수리 (Accepted) 1-1-2010-0516679-10
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.07.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0414711-41
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.09.18 수리 (Accepted) 1-1-2012-0756322-79
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.10.19 수리 (Accepted) 1-1-2012-0853259-98
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.10.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0853296-77
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2013.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0145795-67
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전극이 패터닝된 기판 상에 금속 산화물 씨드(seed) 용액을 코팅하는 단계;상기 금속 산화물 씨드 용액이 코팅된 기판에 OH-가 포함되지 않고 금속 이온을 포함하는 성장용액을 가하고 가열하며 상기 전극에 전압을 인가하는 단계; 및상기 전극 상에 선택적으로 금속 산화물 나노막대를 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 나노막대 성장 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 금속 산화물 씨드 용액이 코팅된 기판을 상기 성장용액 속에 침지하고 상기 전극에 음의 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 나노막대 성장 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 성장용액은 상기 전압 인가에 따라 OH-를 발생시키는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 나노막대 성장 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 금속 산화물 씨드 용액은 알코올에 아세트산 아연 이수화물(zinc acetate dihydrate)을 용해한 용액이고, 상기 성장용액은 염산 아연 용액 또는 질산 아연 용액인 것을 특징으로 하는 금속 산화물 나노막대 성장 방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 전압은 -1
6 6
제4항에 있어서, 상기 가열은 80 ~ 90 ℃로 하는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 나노막대 성장 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국연구재단 고려대학교산학협력단 해외우수연구기관유치사업 [2단계1차]바텔연구소 유치활용을 통한 급성 호흡기 감염 및 중증 패혈증 조기진단용 나노바이오 시스템 개발