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나노선 나노튜브 이중구조, 이를 포함하는 고효율 태양전지 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015012144
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 (A) 나노선, (B) 나노가지, (C) 나노튜브를 포함하는 것으로, 상기 나노선은 상기 나노튜브 내부에 위치하며, 상기 나노선과 상기 나노튜브가 나노가지로 연결되고, 상기 나노선은 ZnSe이며, 상기 나노튜브 및 나노가지는 ZnxCd1-xSe인 나노선/나노튜브 이중구조 및 이를 이용한 태양전지에 관한 것이다. 상기 나노선/나노튜브 이중구조를 이용한 태양전지는 기존 태양전지의 나노선 구조에 비해 표면적이 더 넓어짐으로 빛 흡수율이 증가하였으며, 전해질로 인한 전자 보충도 향상되었으며, 전자가 선을 통해 이동하기 때문에 전력손실이 기존의 전자가 이동하는 경로가 입자로 이루어진 염료감응 태양전지에서 발생할 수 있는 전력손실에 비해 크게 감소시켜 태양전지의 효율을 향상시켰다.
Int. CL H01L 31/042 (2014.01) B82B 1/00 (2006.01)
CPC H01G 9/2054(2013.01) H01G 9/2054(2013.01) H01G 9/2054(2013.01) H01G 9/2054(2013.01) H01G 9/2054(2013.01)
출원번호/일자 1020120157273 (2012.12.28)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1421099-0000 (2014.07.14)
공개번호/일자 10-2014-0088263 (2014.07.10) 문서열기
공고번호/일자 (20140728) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.12.28)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 성윤모 대한민국 경기 성남시 분당구
2 권한별 대한민국 서울특별시 중구
3 이건제 대한민국 서울특별시 성북구
4 김용 대한민국 서울특별시 은평구
5 임정우 대한민국 서울 금천구
6 육승호 대한민국 서울특별시 노원구
7 이우진 대한민국 서울특별시 강서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2012-1093632-23
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.08.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.10.10 수리 (Accepted) 9-1-2013-0086801-43
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.03.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0198595-08
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.04.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0377104-67
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.04.21 수리 (Accepted) 1-1-2014-0377074-85
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
9 등록결정서
Decision to grant		 2014.07.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0452256-27
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(A) 나노선, (B) 나노가지, (C) 나노튜브를 포함하는 나노선/나노튜브 이중구조로서,상기 나노선은 상기 나노튜브 내부에 위치하며,상기 나노선과 상기 나노튜브가 나노가지로 연결되고, 상기 나노선은 ZnSe이며, 상기 나노튜브 및 나노가지는 ZnxCd1-xSe인 것을 특징으로 하는 나노선/나노튜브 이중구조
2 2
제1항에 있어서, 상기 나노선/나노튜브 이중구조는(a) 셀렌화아연을 코어로 하고 셀렌화카드뮴을 쉘로 하는 코어/쉘 구조의 나노와이어을 제조하는 단계;(b) 상기 나노와이어를 260-350 ℃에서 10-100 분간 반응하여 상기 코어의 셀렌화아연을 쉘 쪽으로 확산시켜 코어와 쉘을 연결하는 나노가지(nano-branch)를 형성시키기는 단계; 및(c) 상기 나노가지가 형성된 코어/쉘 구조의 나노와이어를 상온에서 냉각시켜 나노선/나노튜브 이중구조를 제조하는 단계를 포함하는 제조방법에 의해서 제조되는 것을 특징으로 하는 나노선/나노튜브 이중구조
3 3
제2항에 있어서, 상기 코어의 직경은 10-20 nm이며, 상기 나노튜브의 두께는 10-20 nm인 것을 특징으로 하는 나노선/나노튜브 이중구조
4 4
하부기판;상기 하부기판의 위로 형성되고 셀렌화아연으로 이루어진 시드층;상기 시드층의 상부에 형성되는 비스무트층;상기 비스무트층의 상부에 형성되는 폴리비닐알콜층;상기 폴리비닐알콜층으로 코팅된 비스무트층 아래로 성장된 나노선/나노튜브 이중구조;상기 나노선/나노튜브 이중구조 위로 형성되는 황화카드뮴코팅층; 상기 황화카드뮴코팅층 위로 형성되는 전해질 층; 및상기 전해질층 위로 형성되는 상부기판;을 포함하는 태양전지에 있어서,상기 하부기판은 일면이 불소가 도포된 산화주석(Fluorine doped Tin Oxide, FTO)층으로 코팅되며,상기 상부기판은 일면이 백금층으로 코팅되는 것을 특징으로 하는 태양전지로서,상기 나노선/나노튜브 이중구조는 (a) 나노선, (b) 나노가지, (c) 나노튜브를 포함하고, 상기 나노선은 상기 나노튜브 내부에 위치하며, 상기 나노선과 상기 나노튜브가 나노가지로 연결되고, 상기 나노선은 ZnSe이며, 상기 나노튜브 및 나노가지는 ZnxCd1-xSe인 것을 특징으로 하는 태양전지
5 5
제4항에 있어서, 상기 시드층의 두께는 20-40 nm이고, 상기 비스무트층의 두께는 3-10 nm이며, 상기 폴리비닐알콜층의 두께는 3-10 nm이고, 상기 황화카드뮴코팅층의 두께는 3-10 nm인 것을 특징으로 하는 태양전지
6 6
제4항에 있어서, 상기 비스무트층은 시드층과 폴리비닐알콜층 사이의 계면에너지 차이로 구 형태를 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지
7 7
삭제
8 8
제4항에 있어서, 상기 전해질은 리튬아이오다이드, I2, 4-tert-부틸피리딘 및 3-메톡시프로피오니트릴 중에서 선택되는 1종 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 태양전지
9 9
(1) FTO로 코팅된 하부기판 위로 셀렌화아연으로 이루어진 시드층을 형성시키는 단계;(2) 상기 시드층 위에 비스무트층을 형성시키는 단계;(3) 상기 비스무트층 위에 폴리비닐알콜층을 형성시키는 단계;(4) 상기 폴리비닐알콜층으로 코팅된 비스무트층 아래에 코어/쉘 구조의 셀렌화아연/셀렌화카드뮴 나노와이어를 성장시키고, 상기 나노와이어를 250-320 ℃에서 10-100 분간 반응시켜 나노선/나노튜브 이중구조를 제조하는 단계;(5) 상기 나노선/나노튜브 이중구조 위에 황화카드뮴코팅층을 형성하는 단계; 및(6) 상기 황화카드뮴이 코팅된 나노선/나노튜브 이중구조 위에 백금이 코팅된 상부기판을 형성시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
10 10
제9항에 있어서, 상기 나노선/나노튜브 이중구조는, (a) 셀렌화아연/셀렌화카드뮴 코어/쉘 구조의 나노와이어을 제조하는 단계;(b) 상기 나노와이어를 250-320 ℃에서 10-100 분간 반응하여 상기 코어의 셀렌화아연을 쉘 쪽으로 확산시켜 코어와 쉘을 연결하는 나노가지(nano-branch)를 형성시키기는 단계; 및(c) 상기 나노가지가 형성된 코어/쉘 구조의 나노와이어를 상온에서 냉각시키는 단계;를 포함하여 수행하여 제조될 수 있으며,상기 나노선은 ZnSe이고, 상기 나노튜브 및 나노가지는 ZnxCd1-xSe인 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
11 11
제10항에 있어서, 상기 시드층의 두께는 20-40 nm이고, 상기 비스무트층의 두께는 3-10 nm이며, 상기 폴리비닐알콜층의 두께는 3-10 nm이고, 상기 황화카드뮴코팅층의 두께는 3-10 nm인 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국산업기술진흥원 고려대학교 산학협력단 국제공동기술개발사업 [1단계3차]Development of hign-performance thermoelectric composites and sputtering targets by SPS
2 한국연구재단 고려대학교 산학협력단 중견연구자지원_핵심연구 [중견-2차]반도체나노라드 소결을 이용한 고효율 열전발전 복합재료 개발