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산화물 반도체용 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 기판의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015115600
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 개시된 산화물 반도체용 조성물은 금속 나이트레이트 및 물을 포함하며, pH가 1 내지 4이다. 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법에 따르면, 기판 상에, 상기 산화물 반도체용 조성물을 코팅하여 박막을 형성하고, 상기 박막을 열처리하고, 상기 박막을 패터닝하여 반도체 패턴을 형성한다. 상기 박막 트랜지스터 기판은 게이트 전극, 반도체 패턴, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함한다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01) H01L 29/12 (2006.01)
CPC C09D 1/00(2013.01) C09D 1/00(2013.01) C09D 1/00(2013.01) C09D 1/00(2013.01) C09D 1/00(2013.01) C09D 1/00(2013.01)
출원번호/일자 1020120024418 (2012.03.09)
출원인 삼성디스플레이 주식회사, 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0103077 (2013.09.23) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 취하
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.03.06)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성디스플레이 주식회사 대한민국 경기 용인시 기흥구
2 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정연택 대한민국 서울 강남구
2 김보성 대한민국 서울 서초구
3 이두형 대한민국 경기 수원시 영통구
4 정승호 대한민국 인천 연수구
5 최태영 대한민국 서울 성북구
6 김두나 대한민국 경기 성남시 분당구
7 배병수 대한민국 대전 유성구
8 양찬우 대한민국 경기 화성시 화산로 **, *
9 이병주 대한민국 경기 군포시 번영로 ***, *
10 조강문 대한민국 서울 서대문구
11 황영환 대한민국 대전 유성구
12 전준혁 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박영우 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***, *층 **세기특허법률사무소 (역삼동, 세일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.03.09 취하 (Withdrawal) 1-1-2012-0193062-08
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
3 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2012.09.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0739430-58
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2015-5104722-59
9 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2017.03.06 수리 (Accepted) 1-1-2017-0222900-18
10 [특허 등 절차 취하]취하(포기)서
[Withdrawal of Procedure such as Patent, etc.] Request for Withdrawal (Abandonment)		 2017.08.24 수리 (Accepted) 1-1-2017-0820327-15
11 수수료 반환 안내서
Notification of Return of Official Fee		 2017.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0121024-28
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5016605-77
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
금속 나이트레이트; 및물을 포함하며, pH가 1 내지 4인 산화물 반도체용 조성물
2 2
제1항에 있어서, 상기 금속 나이트레이트는 무수물 또는 수화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체용 조성물
3 3
제2항에 있어서, 상기 금속 나이트레이트는 둘 이상의 서로 다른 금속 나이트레이트들을 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체용 조성물
4 4
제2항에 있어서, 상기 금속 나이트레이트는 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K), 루비듐(Rb), 세슘(Cs), 베릴륨(Be), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba), 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 바나듐(V), 이트륨(Y), 니오븀(Nb), 탄탈륨(Ta), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 망간(Mn), 테크네튬(Tc), 레늄(Re), 철(Fe), 루테늄(Ru), 오스뮴(Os), 코발트(Co), 로듐(Rh), 이리듐(Ir), 니켈(Ni), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au), 카드뮴(Cd), 수은(Hg), 붕소(B), 아연(Zn), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In), 탈륨(Tl), 규소(Si), 게르마늄(Ge), 주석(Sn), 납(Pb), 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb), 비스무트(Bi) 및 란타늄(La)으로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 하나의 나이트레이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체용 조성물
5 5
제2항에 있어서, 상기 금속 나이트레이트는 알루미늄 나이트레이트 수화물, 인듐 나이트레이트 수화물, 아연 나이트레이트 6-수화물, 아연 나이트레이트 수화물, 이트륨 나이트레이트 수화물, 바륨 나이트레이트 수화물, 란타늄 나이트레이트 수화물, 이트륨 나이트레이트 수화물, 스트론튬 나이트레이트 수화물, 인듐 나이트레이트 무수물, 알루미늄 나이트레이트 무수물 및 아연 나이트레이트 무수물로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체용 조성물
6 6
제1항에 있어서, pH 조절을 위하여, 염산, 질산, 황산, 초산, 수산화암모늄, 수산화칼륨 및 수산화나트륨으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체용 조성물
7 7
제1 항에 있어서, 상기 금속 나이트레이트의 농도는 0
8 8
게이트 전극, 반도체 패턴, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법에 있어서,기판 상에, 금속 나이트레이트 및 물을 포함하며, pH가 1 내지 4인 산화물 반도체용 조성물을 코팅하여 박막을 형성하는 단계; 상기 박막을 열처리하는 단계; 및상기 박막을 패터닝하여 반도체 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 열처리 단계는 100 ℃ 내지 500 ℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 기판의 제조방법
10 10
제8항에 있어서, 상기 금속 나이트레이트는 무수물 또는 수화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 기판의 제조방법
11 11
제10항에 있어서, 상기 금속 나이트레이트는 알루미늄 나이트레이트 수화물, 인듐 나이트레이트 수화물, 아연 나이트레이트 6-수화물, 아연 나이트레이트 수화물, 이트륨 나이트레이트 수화물, 바륨 나이트레이트 수화물, 란타늄 나이트레이트 수화물, 이트륨 나이트레이트 수화물, 스트론튬 나이트레이트 수화물, 인듐 나이트레이트 무수물, 알루미늄 나이트레이트 무수물 및 아연 나이트레이트 무수물로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 기판의 제조방법
12 12
제8항에 있어서, 상기 산화물 반도체용 조성물은 pH 조절을 위하여, 염산, 질산, 황산, 초산, 수산화암모늄, 수산화칼륨 및 수산화나트륨으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 기판의 제조방법
13 13
제8항에 있어서, 상기 금속 나이트레이트의 농도는 0
14 14
제8항에 있어서, 상기 반도체 패턴 상에 에치 스토퍼를 형성하는 단계; 및상기 반도체 패턴과 상기 에치 스토퍼와 중첩되며 서로 이격된 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 기판의 제조방법
15 15
제8항에 있어서, 상기 산화물 반도체용 조성물은 스핀 코팅, 딥 코팅, 바 코팅, 스크린 프린팅, 슬라이드 코팅, 롤 코팅, 슬릿 코팅, 스프레이 코팅, 침지(dipping), 딥 펜(dip-pen), 나노 디스펜싱 또는 잉크젯 인쇄에 의해 코팅되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 기판의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US20130237011 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2013237011 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.