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분자소자와 바이오 센서를 위한 나노갭 또는 나노 전계효과 트랜지스터 제작방법

  • 기술번호 : KST2015112314
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 분자소자나 바이오 센서(bio-sensor)를 위한 나노갭(nanogap) 및 나노 전계효과 트랜지스터(nanoFET) 제작 방법에 관한 것으로, 상세하게는 분자 또는 그에 준하는 크기의 박막을 이용하여 재현성이 높은 나노갭(nanogap)의 제작 방법 등에 관한 것이다.본 발명에 따른 나노갭(nanogap)의 제작 방법은, (a) 실리콘 기판, 절연막, 제1 금속층 및 하드 마스크를 순차적으로 형성하는 단계; (b) 상기 마스크 패턴을 마스크로 하여 제1 금속층을 식각하는 단계; (c) 상기 실리콘 기판 상에 나노갭을 형성하기 위하여 제1 금속층 측면에 SAM(Self-Assembled Monolayer)을 형성하는 단계; (d) 상기 실리콘 기판 상에 제2 금속층을 형성하기 위하여 금속을 증착하는 단계; (e) 상기 (a)단계에서 형성된 하드 마스크를 식각하여 하드 마스크 위에 증착된 금속을 리프트-오프(lift-off) 고정을 이용하여 제거하는 단계; 및 (f) 상기 (c)단계에서 형성된 SAM을 식각하여 나노갭을 형성하는 단계;를 포함하여 이루어진다. 분자소자, Molecular device, bio-sensor, nanogap, nanoFET, SAM, ALD
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01L 21/336 (2011.01)
CPC
출원번호/일자 1020050002294 (2005.01.10)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0679704-0000 (2007.01.31)
공개번호/일자 10-2006-0081858 (2006.07.13) 문서열기
공고번호/일자 (20070206) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.01.10)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김주현 대한민국 대전광역시 유성구
2 최양규 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박경완 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)
2 김성호 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.01.10 수리 (Accepted) 1-1-2005-0013308-26
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.02.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.03.18 수리 (Accepted) 9-1-2006-0018482-12
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.04.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0238541-05
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2006.06.26 수리 (Accepted) 1-1-2006-0449280-29
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2006.07.26 수리 (Accepted) 1-1-2006-0537912-74
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.08.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0560067-37
8 의견서
Written Opinion		 2006.08.04 수리 (Accepted) 1-1-2006-0560055-90
9 등록결정서
Decision to grant		 2007.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0056192-84
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 실리콘 기판, 절연막, 제1 금속층 및 하드 마스크를 순차적으로 형성하는 단계; (b) 상기 마스크 패턴을 마스크로 하여 제1 금속층을 식각하는 단계; (c) 상기 실리콘 기판 상에 나노갭을 형성하기 위하여 제1 금속층 측면에 SAM(Self-Assembled Monolayer)을 형성하는 단계; (d) 상기 실리콘 기판 상에 제2 금속층을 형성하기 위하여 금속을 증착하는 단계; (e) 상기 (a)단계에서 형성된 하드 마스크를 식각하여 하드 마스크 위에 증착된 금속을 리프트-오프(lift-off) 고정을 이용하여 제거하는 단계; 및 (f) 상기 (c)단계에서 형성된 SAM을 식각하여 나노갭을 형성하는 단계; 를 포함하는, 바이오 센서를 위한 나노갭 제작 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 금속층의 금속은 금(Au)인, 바이오 센서를 위한 나노갭 제작 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 (a)단계 및 (d)단계에서, 상기 제1 금속층 및 제2 금속층의 형성은 기상증착, 스퍼터링 또는 PLD(Pulsed Laser Deposition) 공정 중 어느 하나의 공정을 이용하여 형성되는, 바이오 센서를 위한 수평 나노갭 제작 방법
4 4
삭제
5 5
(a) 실리콘 기판, 절연막 및 제1 금속층을 순차적으로 형성하는 단계; (b) 상기 실리콘 기판 상에 나노갭을 형성하기 위하여 SAM, 제2 금속층 및 하드 마스크를 순차적으로 형성하는 단계; (c) 상기 마스크 패턴을 마스크로 하여 제2 금속층, SAM 및 제1 금속층을 식각하는 단계; (d) 상기 SAM이 형성될 패턴을 확보하기 위하여 (b)단계에서 형성된 하드 마스크를 식각하는 단계; (e) 상기 SAM을 부분 식각하여 나노갭을 형성하는 단계; 를 포함하는 바이오 센서를 위한 수직 나노갭 제작 방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 제1 및 제2 금속층의 금속은 금(Au)인, 바이오 센서를 위한 수직 나노갭 제작 방법
7 7
삭제
8 8
(a) 실리콘 기판, 절연막 및 제1 금속층을 순차적으로 형성하는 단계; (b) 상기 실리콘 기판 상에 나노갭을 형성하기 위하여 유전체, 제2 금속층 및 하드 마스크를 순차적으로 형성하는 단계; (c) 상기 하드 마스크을 마스크로 하여 제2 금속층, 유전체, 제1 금속층을 식각하는 단계; 및 (d) 상기 (b)단계에서 형성된 유전체를 부분 식각하여 나노갭을 형성하는 단계; 를 포함하는, 바이오 센서를 위한 수직 나노갭 제작 방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 제1 및 제2 금속층의 금속은 금(Au)인, 바이오 센서를 위한 수직 나노갭 제작 방법
10 10
제8항에 있어서, 상기 (b)단계의 유전체는 Al2O3인, 바이오 센서를 위한 수직 나노갭 제작 방법
11 11
삭제
12 12
(a) 실리콘 기판, 절연막, 제1 실리콘 질화막 및 제1 금속층을 순차적으로 형성하는 단계; (b) 상기 실리콘 기판 상에 나노갭을 형성하기 위하여 제1 유전체, 제2 금속층, 제2 실리콘 질화막 및 하드 마스크를 순차적으로 형성하는 단계; (c) 상기 하드 마스크를 마스크로 하여 상기 제2 실리콘 질화막, 제2 금속층, 제1 유전체, 제1 금속층 및 제1 실리콘 질화막을 식각하는 단계; (d) 상기 실리콘 기판 상에 막형성(film deposition)과 이방식각이 가능한 제2 유전체층을 증착하는 단계; (e) 상기 제2 유전체층을 에치-백(etch-back) 공정을 이용하여 게이트 산화막을 형성하는 단계; (f) 상기 실리콘 기판 상에 형성된 패턴에 게이트 물질을 증착하는 단계; (g) 상기 (f)단계에서 증착된 게이트 물질로 감광막 패턴을 마스크로 하여 게이트를 형성하는 단계; (h) 상기 (b)단계에서 형성된 제1 유전체층을 식각하여 수직 나노갭을 형성하는 단계; 및 (i) 상기 (h)단계에서 형성된 수직 나노갭에 나노갭의 폭과 동일한 길이를 갖는 분자층을 형성하는 단계; 를 포함하는, 수직 나노갭을 이용한 분자소자를 위한 나노 전계효과 트랜지스터(nanoFET) 제작 방법
13 13
제12항에 있어서, 상기 제1 및 제2 금속층의 금속은 금(Au)인, 수직 나노갭을 이용한 분자소자를 위한 나노 전계효과 트랜지스터 제작 방법
14 14
제12항에 있어서, 상기 (b)단계에서 제1 유전체는 Al2O3인, 수직 나노갭을 이용한 분자소자를 위한 나노 전계효과 트랜지스터 제작 방법
15 15
제12항에 있어서, 상기 (d)단계에서 제2 유전체는 SiO2인, 수직 나노갭을 이용한 분자소자를 위한 나노 전계효과 트랜지스터 제작 방법
16 16
삭제
17 16
삭제
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1 CN1828849 CN 중국 FAMILY
2 JP04309893 JP 일본 FAMILY
3 JP18234799 JP 일본 FAMILY
4 US20060154400 US 미국 FAMILY

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1 CN100499048 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN1828849 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 JP2006234799 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 JP4309893 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 US2006154400 US 미국 DOCDBFAMILY
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