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쇼트키―장벽 트랜지스터의 제조 방법
- 기술번호 : KST2015112353
- 담당센터 : 대전기술혁신센터
- 전화번호 : 042-610-2279
| 요약 | 본 발명은 전계 효과 트랜지스터 제작 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 소오스/드레인 영역에 금속 실리사이드를 사용한 트랜지스터에 인장 실리콘 공정기술을 적용한 쇼트키-장벽 소스 및 드레인을 갖는 전계 효과 트랜지스터 제작 방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 인장 실리콘 기술을 이용한 쇼트키-장벽 트랜지스터의 제작 방법은 쇼트키 장벽 트랜지스터 반도체의 제조방법에 있어서, 실리콘 게르마늄 변형 반도체 기판상에 게이트 절연막, 게이트 전극, 게이트 전극의 측면에 절연성 스페이서를 형성하고, 게이트 패턴 및 스페이서를 이온 주입 마스크로 반도체 기판 내에 불순물을 주입하여 소오스/드레인 영역을 형성하는 단계; 기판 전면에 금속막을 증착하는 단계; 기판 전면을 열처리하여 금속 실리사이드를 형성하는 단계; 및 실리사이드를 형성하고 남은 금속막을 선택적으로 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 이루어진다.실리사이드(Salicide), 인장 실리콘(Strained Silicon), 쇼트키-장벽 트랜지스터(Schottky-Barrier Transistor), 핀 구조 전계 트랜지스터(FinFET), 단 채널 효과 (Short Channel Effects), 3차원 트랜지스터, 구동 전류(Drive Current) |
|---|---|
| Int. CL | H01L 21/336 (2006.01) |
| CPC | H01L 29/47(2013.01) H01L 29/47(2013.01) H01L 29/47(2013.01) H01L 29/47(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020050059071 (2005.07.01) |
| 출원인 | 한국과학기술원 |
| 등록번호/일자 | 10-0733605-0000 (2007.06.22) |
| 공개번호/일자 | 10-2007-0003254 (2007.01.05) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20070628) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2005.07.01) |
| 심사청구항수 | 17 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국과학기술원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 최양규 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 2 | 한진우 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 김성호 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국과학기술원 | 대한민국 | 대전 유성구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 Patent Application |
2005.07.01 | 수리 (Accepted) | 1-1-2005-0357576-13 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2006.06.14 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2006.07.12 | 수리 (Accepted) | 9-1-2006-0047754-05 |
| 4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2006.07.18 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2006-0408995-07 |
| 5 | 대리인사임신고서 Notification of resignation of agent |
2006.09.18 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0670604-58 |
| 6 | 지정기간연장신청서 Request for Extension of Designated Period |
2006.09.18 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0670585-78 |
| 7 | 지정기간연장신청서 Request for Extension of Designated Period |
2006.10.17 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0748285-37 |
| 8 | 지정기간연장신청서 Request for Extension of Designated Period |
2006.11.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0847348-60 |
| 9 | 지정기간연장신청서 Request for Extension of Designated Period |
2006.12.18 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0934004-99 |
| 10 | 지정기간연장신청서 Request for Extension of Designated Period |
2007.01.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0043599-12 |
| 11 | 지정기간연장신청서 Request for Extension of Designated Period |
2007.02.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0149564-77 |
| 12 | 지정기간연장신청서 Request for Extension of Designated Period |
2007.03.19 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0218207-90 |
| 13 | 지정기간연장신청서 Request for Extension of Designated Period |
2007.04.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0286457-14 |
| 14 | 의견서 Written Opinion |
2007.05.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0338753-88 |
| 15 | 명세서등보정서 Amendment to Description, etc. |
2007.05.07 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2007-0338870-11 |
| 16 | 등록결정서 Decision to grant |
2007.06.21 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2007-0337936-15 |
| 17 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5019983-17 |
| 18 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
| 19 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
| 20 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
| 21 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
| 22 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
| 23 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 쇼트키 장벽 트랜지스터 반도체의 제조방법에 있어서,(a) 실리콘 게르마늄 변형 반도체 기판상에 게이트 절연막, 게이트 전극, 게이트 전극의 측면에 절연성 스페이서를 형성하고, 게이트 패턴 및 스페이서를 이온 주입 마스크로 반도체 기판 내에 불순물을 주입하여 소오스/드레인 영역을 형성하는 단계;(b) 상기 기판 전면에 금속막을 증착하는 단계;(c) 상기 기판 전면을 열처리하여 금속 실리사이드를 형성하는 단계; 및(d) 실리사이드를 형성하고 남은 금속막을 선택적으로 제거하는 단계;를 포함하는, 인장 실리콘 기술을 이용한 쇼트키-장벽 트랜지스터 제작 방법 |
| 2 |
2 제1항에 있어서,상기 게이트 절연막은 유전 상수가 4 |
| 3 |
3 제1항에 있어서,상기 게이트는 고농도로 도핑 된 다결정 폴리 실리콘 또는 금속인, 인장 실리콘 기술을 이용한 쇼트키-장벽 트랜지스터 제작 방법 |
| 4 |
4 제1항에 있어서,상기 스페이서는 산화막인, 인장 실리콘 기술을 이용한 쇼트키-장벽 트랜지스터 제작 방법 |
| 5 |
5 제1항에 있어서,상기 소오스/드레인은 코발트 실리사이드, 니켈 실리사이드 또는 타이타늄 실리사이드 중 어느 하나로 이루어지는, 인장 실리콘 기술을 이용한 쇼트키-장벽 트랜지스터 제작 방법 |
| 6 |
6 쇼트키 장벽 트랜지스터 반도체의 제조방법에 있어서,(a) 반도체 기판상에 게이트 절연막, 게이트 전극, 게이트 전극의 측면에 절연성 스페이서를 형성하고, 게이트 패턴 및 스페이서를 이온 주입 마스크로 반도체 기판 내에 불순물을 주입하여 소오스/드레인 영역을 형성하는 단계;(b) 상기 기판 전면에 금속막을 증착하는 단계;(c) 상기 기판 전면을 열처리하여 금속 실리사이드를 형성하는 단계; 및(d) 실리사이드를 형성하고 남은 금속막을 선택적으로 제거하는 단계; 및(e) 상기 소오스/드레인 영역을 실리콘 게르마늄으로 인장력을 가하기 위하여 선택적 에피택셜 성장하는 단계;를 포함하는, 인장 실리콘 기술을 이용한 쇼트키-장벽 트랜지스터 제작 방법 |
| 7 |
7 제6항에 있어서,상기 반도체 기판은 실리콘, 실리콘 게르마늄 또는 절연층 매몰 실리콘(SOI)중 어느 하나인, 인장 실리콘 기술을 이용한 쇼트키-장벽 트랜지스터 제작 방법 |
| 8 |
8 제6항에 있어서,상기 게이트 절연막은 유전 상수가 4 |
| 9 |
9 제6항에 있어서,상기 게이트는 고농도로 도핑 된 다결정 폴리 실리콘 또는 금속인, 인장 실리콘 기술을 이용한 쇼트키-장벽 트랜지스터 제작 방법 |
| 10 |
10 제6항에 있어서,상기 스페이서는 산화막인, 인장 실리콘 기술을 이용한 쇼트키-장벽 트랜지스터 제작 방법 |
| 11 |
11 제6항에 있어서,상기 소오스/드레인은 코발트 실리사이드, 니켈 실리사이드 또는 타이타늄 실리사이드 중 어느 하나로 이루어지는, 인장 실리콘 기술을 이용한 쇼트키-장벽 트랜지스터 제작 방법 |
| 12 |
12 쇼트키 장벽 트랜지스터 반도체의 제조방법에 있어서,(a) 상기 반도체 기판상에 게이트 절연막, 게이트 전극, 게이트 전극의 측면에 절연성 스페이서를 형성하고, 게이트 패턴 및 스페이서를 이온 주입 마스크로 반도체 기판 내에 불순물을 주입하여 소오스/드레인 영역을 형성하는 단계;(b) 상기 기판 전면에 금속막을 증착하는 단계;(c) 상기 기판 전면을 열처리하여 금속 실리사이드를 형성하는 단계;(d) 실리사이드를 형성하고 남은 금속막을 선택적으로 제거하는 단계; 및(e) 실리콘 나이트라이드(SiN) 캡층을 형성하는 단계;를 포함하는, 인장 실리콘 기술을 이용한 쇼트키-장벽 트랜지스터 제작 방법 |
| 13 |
13 제12항에 있어서,상기 반도체 기판은 실리콘, 실리콘 게르마늄 또는 절연층 매몰 실리콘(SOI) 중 어느 하나인, 인장 실리콘 기술을 이용한 쇼트키-장벽 트랜지스터 제작 방법 |
| 14 |
14 제12항에 있어서,상기 게이트 절연막은 유전 상수가 4 |
| 15 |
15 제12항에 있어서,상기 게이트는 고농도로 도핑 된 다결정 폴리 실리콘 또는 금속인, 인장 실리콘 기술을 이용한 쇼트키-장벽 트랜지스터 제작 방법 |
| 16 |
16 제12항에 있어서,상기 스페이서는 산화막인, 인장 실리콘 기술을 이용한 쇼트키-장벽 트랜지스터 제작 방법 |
| 17 |
17 제12항에 있어서,상기 소오스/드레인은 코발트 실리사이드, 니켈 실리사이드 또는 타이타늄 실리사이드 중 어느 하나로 이루어지는, 인장 실리콘 기술을 이용한 쇼트키-장벽 트랜지스터 제작 방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-0733605-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20050701 출원 번호 : 1020050059071 공고 연월일 : 20070628 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20070621 청구범위의 항수 : 17 유별 : H01L 21/336 발명의 명칭 : 쇼트키―장벽 트랜지스터의 제조 방법 존속기간(예정)만료일 : 20120623 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 한국과학기술원 대전 유성구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 499,500 원 | 2007년 06월 25일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 414,000 원 | 2010년 06월 01일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 414,000 원 | 2011년 06월 01일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 | 2005.07.01 | 수리 (Accepted) | 1-1-2005-0357576-13 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 | 2006.06.14 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 | 2006.07.12 | 수리 (Accepted) | 9-1-2006-0047754-05 |
| 4 | 의견제출통지서 | 2006.07.18 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2006-0408995-07 |
| 5 | 대리인사임신고서 | 2006.09.18 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0670604-58 |
| 6 | 지정기간연장신청서 | 2006.09.18 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0670585-78 |
| 7 | 지정기간연장신청서 | 2006.10.17 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0748285-37 |
| 8 | 지정기간연장신청서 | 2006.11.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0847348-60 |
| 9 | 지정기간연장신청서 | 2006.12.18 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0934004-99 |
| 10 | 지정기간연장신청서 | 2007.01.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0043599-12 |
| 11 | 지정기간연장신청서 | 2007.02.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0149564-77 |
| 12 | 지정기간연장신청서 | 2007.03.19 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0218207-90 |
| 13 | 지정기간연장신청서 | 2007.04.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0286457-14 |
| 14 | 의견서 | 2007.05.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0338753-88 |
| 15 | 명세서등보정서 | 2007.05.07 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2007-0338870-11 |
| 16 | 등록결정서 | 2007.06.21 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2007-0337936-15 |
| 17 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5019983-17 |
| 18 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
| 19 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
| 20 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
| 21 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
| 22 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
| 23 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1340011610 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 과C6A1610 |
| 연구과제명 | 정보기술사업단 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국학술진흥재단 |
| 연구주관기관명 | 한국과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2006 |
| 연구기간 | 200603~201202 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
특허성과
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