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벌크형 나노구조 트랜지스터 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015116062
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 벌크형 나노구조 트랜지스터는 벌크형 기판; 상기 벌크형 기판 상에, 상기 벌크형 기판으로부터 이격된 나노구조의 채널을 사이에 두고 서로 이격되어 형성된 소스 및 드레인; 상기 벌크형 기판과 상기 소스 사이에 위치한 제1매몰 절연층 및 상기 벌크형 기판과 상기 드레인 사이에 위치한 제2매몰 절연층; 및 상기 벌크형 기판 상으로써 상기 소스와 상기 드레인 사이에 위치한 게이트를 포함한다.
Int. CL H01L 29/78 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 29/0665(2013.01) H01L 29/0665(2013.01) H01L 29/0665(2013.01)
출원번호/일자 1020120088191 (2012.08.13)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1289666-0000 (2013.07.19)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20130726) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.08.13)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최양규 대한민국 대전 유성구
2 설명록 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김성호 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.08.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0644323-76
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.06.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.07.10 수리 (Accepted) 9-1-2013-0057966-98
5 등록결정서
Decision to grant		 2013.07.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0489359-42
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
벌크형 기판;상기 벌크형 기판 상에, 상기 벌크형 기판으로부터 이격된 나노구조의 채널을 사이에 두고 서로 이격되어 형성된 소스 및 드레인;상기 벌크형 기판과 상기 소스 사이에 위치한 제1매몰 절연층 및 상기 벌크형 기판과 상기 드레인 사이에 위치한 제2매몰 절연층; 및 상기 벌크형 기판 상으로써 상기 소스와 상기 드레인 사이에 위치한 게이트를 포함하는, 벌크형 나노구조 트랜지스터
2 2
제1항에 있어서, 상기 게이트는 상기 나노구조의 채널의 양측면 및 상면을 포함한 삼면을 감싸는 형태이며,상기 게이트를 상기 채널, 상기 소스, 상기 드레인, 및 상기 벌크형 기판과 절연하기 위한 게이트 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 벌크형 나노구조 트랜지스터
3 3
제1항에 있어서, 상기 게이트는 상기 채널을 사이에 두고 서로 이격되어 형성된 제1게이트와 제2게이트로 구성되며, 상기 게이트를 상기 채널, 상기 소스, 상기 드레인, 및 상기 벌크형 기판과 절연하기 위한 게이트 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 벌크형 나노구조 트랜지스터
4 4
제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 벌크형 기판은 Si, Ge, SiC, SiGe, GaAs, AlGaAs 및 InGaAs 중 적어도 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 벌크형 나노구조 트랜지스터
5 5
제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 나노구조의 채널은 실리콘(Si), 게르마늄(Ge) 및 탄소(C) 중 적어도 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 벌크형 나노구조 트랜지스터
6 6
제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 나노구조의 채널은 나노점, 나노선, 또는 나노벨트 중 어느 하나의 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 벌크형 나노구조 트랜지스터
7 7
벌크형 기판 상에 서로 이격된 제1매몰 절연층 및 제2매몰 절연층을 형성하는 단계;상기 벌크형 기판 상에 반도체를 에피택셜 성장시킨 후 상기 에피택셜 성장된 반도체를 평탄화하는 단계;상기 벌크형 기판으로부터 이격된 나노구조의 채널, 및 상기 나노구조의 채널을 사이에 두고 서로 이격된 소스 및 드레인을 각각 상기 제1매몰 절연층 및 상기 제2매몰 절연층 상에 형성하도록 상기 반도체를 식각하는 단계; 및상기 벌크형 기판 상으로써 상기 소스와 상기 드레인 사이에 게이트를 형성하는 단계를 포함하는, 벌크형 나노구조 트랜지스터 제조방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 게이트를 형성하는 단계를 통해 상기 나노구조의 채널의 양측면 및 상면을 포함한 삼면을 감싸는 상기 게이트가 형성되고,상기 반도체를 식각하는 단계 후 및 상기 게이트를 형성하는 단계 전에, 상기 게이트를 상기 채널, 상기 소스, 상기 드레인, 및 상기 벌크형 기판과 절연하기 위한 게이트 절연층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 벌크형 나노구조 트랜지스터 제조방법
9 9
제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 소스, 상기 드레인 및 상기 게이트에 도핑을 수행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 벌크형 나노구조 트랜지스터 제조방법
10 10
제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 게이트가 상기 채널을 사이에 두고 서로 이격된 제1게이트와 제2게이트로 분리되도록 상기 게이트를 평탄화하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 벌크형 나노구조 트랜지스터 제조방법
11 11
제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 벌크형 기판은 Si, Ge, SiC, SiGe, GaAs, AlGaAs 및 InGaAs 중 적어도 하나 이상을 포함하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 벌크형 나노구조 트랜지스터 제조방법
12 12
제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 반도체는 실리콘(Si), 게르마늄(Ge) 및 탄소(C) 중 적어도 하나 이상을 포함도록 형성되는 것을 특징으로 하는 벌크형 나노구조 트랜지스터 제조방법
13 13
제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 나노구조의 채널은 나노점, 나노선, 또는 나노벨트 중 어느 하나의 형태를 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 벌크형 나노구조 트랜지스터 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.