요약 | 본 발명은 2차원 나노구조의 재료가 반복되는 다층구조체 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 산성 관능기 또는 염기성 관능기를 포함함으로써 양전하 또는 음전하를 포함하도록 표면개질된 2차원 나노구조의 제1 재료층; 및 상기 제1 재료가 산성 관능기를 포함하는 경우에는 염기성 관능기를 포함하며, 상기 제1 재료가 염기성 관능기를 포함하는 경우에는 산성 관능기를 포함함으로써 상기 제1 재료와 반대되는 전하를 포함하도록 표면개질된 2차원 나노구조의 제2 재료층;이 교대로 적층된 다층구조체 및 이의 제조방법에 관한 것이다. |
---|---|
Int. CL | B32B 9/00 (2006.01) H01B 5/14 (2006.01) H01B 1/04 (2006.01) C08J 5/18 (2006.01) |
CPC | H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020130022743 (2013.03.04) |
출원인 | 한국과학기술원 |
등록번호/일자 | 10-1436849-0000 (2014.08.27) |
공개번호/일자 | |
공고번호/일자 | (20140902) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 소멸 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2013.03.04) |
심사청구항수 | 13 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한국과학기술원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 전석우 | 대한민국 | 대전 유성구 |
2 | 홍순형 | 대한민국 | 대전 유성구 |
3 | 이동주 | 대한민국 | 대전 유성구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 맹성재 | 대한민국 | 대전광역시 서구 청사로 *** (둔산동) 수협빌딩 *층(RnD특허법률사무소) |
2 | 박영우 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 논현로 ***, *층 **세기특허법률사무소 (역삼동, 세일빌딩) |
3 | 이시근 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 논현로 ***, ***호(역삼동, 평화빌딩)(특허법인공간(서울분사무소)) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한국과학기술원 | 대전광역시 유성구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2013.03.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0187599-41 |
2 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2013.09.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0838601-48 |
3 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2014.01.08 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
4 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2014.02.11 | 수리 (Accepted) | 9-1-2014-0009706-10 |
5 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2014.04.16 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0259412-26 |
6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2014.06.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0552036-66 |
7 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2014.06.13 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2014-0552035-10 |
8 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative) |
2014.08.06 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0743017-23 |
9 | 등록결정서 Decision to grant |
2014.08.25 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0575594-40 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 양전하 또는 음전하를 갖도록 표면개질된 2차원 나노구조의 제1 재료층 및 제2 재료층이 교대로 적층된 다층구조체에 있어서,제1 재료의 표면이 산성 관능기를 포함하는 경우에는 제2 재료의 표면은 염기성 관능기를 포함하고, 제1 재료의 표면이 염기성 관능기를 포함하는 경우에는 산성 관능기를 포함함으로써, 상기 제1 재료의 표면과 상기 제2 재료의 표면은 서로 반대되는 전하를 갖도록 표면이 개질되되,상기 산성 관능기 또는 염기성 관능기는 방향족 화합물에 결합되어 상기 제1 재료 또는 제2 재료의 표면과 비공유 결합된 것을 특징으로 하는 다층구조체 |
2 |
2 제1 항에 있어서, 상기 2차원 나노구조의 제1 재료 및 제2 재료는 각각 그래핀, 질화붕소, MoS2, WS2, MoSe2, MoTe2, TaSe2, NbSe2, NiTe2, Bi2Te3 에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 다층구조체 |
3 |
3 삭제 |
4 |
4 삭제 |
5 |
5 제1 항에 있어서, 상기 방향족 화합물은 방향족 탄화수소 고리 또는 방향족 복소환기 화합물인 것을 특징으로 하는 다층구조체 |
6 |
6 제5 항에 있어서, 상기 방향족 탄화수소 고리는 탄소수 6 내지 40의 아릴기이고, 상기 방향족 복소환기는 탄소수 2 내지 40의 헤테로아릴기인 것을 특징으로 하는 다층구조체 |
7 |
7 제1 항에 있어서,상기 산성 관능기는 카르복실기, 설폰산기, 인산기, 또는 페놀기이고, 상기 염기성 관능기는 아미노기, 2차 아민기, 3차 아민기, 피리디닐, 피롤기, 피리디민기 중에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 다층구조체 |
8 |
8 제1 항에 있어서, 상기 다층구조체는 각각의 표면개질된 제1 재료 및 제2 재료가 액상의 슬러리 상태에서 자발적으로 적층되어 형성되는 것을 특징으로 하는 다층구조체 |
9 |
9 제1 항에 있어서, 상기 다층구조체는 상기 제1 재료 및 제2 재료가 플레이크 형태로 이루어짐으로써 상기 제1 재료층 및 제2 재료층은 상기 플레이크들이 필름층을 형성하는 것을 특징으로 하는 다층구조체 |
10 |
10 그래핀, 질화붕소, MoS2, WS2, MoSe2, MoTe2, TaSe2, NbSe2, NiTe2, Bi2Te3 에서 선택되는 어느 하나의 2차원 나노구조를 갖는 제1 재료의 표면이 산성 관능기 또는 염기성 관능기를 포함함으로써 제1 재료의 표면을 개질하는 단계;그래핀, 질화붕소, MoS2, WS2, MoSe2, MoTe2, TaSe2, NbSe2, NiTe2, Bi2Te3 에서 선택되는 어느 하나의 2차원 나노구조를 가지되, 상기 제1 재료와는 상이한 제2 재료의 표면이 상기 제1 재료의 표면이 산성 관능기를 포함하는 경우에는 염기성 관능기를 포함하도록 하며, 상기 제1 재료의 표면이 염기성 관능기를 포함하는 경우에는 산성 관능기를 포함하도록 함으로써 상기 제2 재료의 표면을 개질하는 단계;상기 표면개질된 각각의 제1 재료와 제2 재료를 액상의 슬러리 상태로 혼합함으로써 상기 제1 재료와 제2 재료가 자발적으로 적층되어 다층구조를 형성하는 단계 및액상 성분을 제거한 후 상기 다층구조체를 정제하는 단계를 포함하되,상기 산성 관능기 또는 염기성 관능기는 방향족 화합물에 결합되어 상기 제1 재료 또는 제2 재료의 표면과 비공유 결합되는 것을 특징으로 하는 다층구조체의 제조방법 |
11 |
11 제10 항에 있어서, 상기 액상 성분을 제거한 후 얻어지는 다층구조체를 열처리하는 과정을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 다층구조체의 제조방법 |
12 |
12 제10 항에 있어서, 상기 제1 재료와 제2 재료를 표면개질하는 단계는 각각의 제1 재료 또는 제2 제료를 용매에 넣고, 이에 방향족 탄화수소 고리 또는 방향족 복소환기에 산성 관능기 또는 염기성 관능기가 결합된 화합물을 혼합하여, 상기 제1 재료 및 제2 재료의 표면과 상기 화합물이 비공유 결합함으로써 표면개질되는 것을 특징으로 하는 다층구조체의 제조방법 |
13 |
13 제12 항에 있어서, 상기 산성 관능기는 카르복실기, 설폰산기, 또는 페놀기이고, 상기 염기성 관능기는 아미노기, 2차 아민기, 3차 아민기, 피리디닐, 피롤기, 피리디민기 중에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 다층구조체의 제조방법 |
14 |
14 제10 항에 있어서,상기 다층구조체는 액상의 슬러리내의 각각의 재료의 함량 조절을 통해 다층구조체의 전체 두께를 조절할 수 있는 것을 특징으로 하는 다층구조체의 제조방법 |
15 |
15 제10 항에 있어서, 상기 액상 성분은 탄화수소, 에테르, 할로겐화 탄화수소, 물, 알코올, 케톤, 알데히드, 에스테르 중에서 선택되는 어느 하나 또는 이들의 혼합액인 것을 특징으로 하는 다층구조체의 제조방법 |
16 |
16 삭제 |
17 |
17 삭제 |
지정국 정보가 없습니다 |
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패밀리정보가 없습니다 |
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순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
---|---|---|---|---|
1 | 교육과학기술부 | 한국과학기술원 | 글로벌프론티어사업 | 차원 융합형 소프트 나노소재 |
공개전문 정보가 없습니다 |
---|
특허 등록번호 | 10-1436849-0000 |
---|
표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20130304 출원 번호 : 1020130022743 공고 연월일 : 20140902 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20140825 청구범위의 항수 : 13 유별 : H01B 5/14 발명의 명칭 : 그래핀을 포함하는 다층구조체 및 이의 제조방법 존속기간(예정)만료일 : 20190828 |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 한국과학기술원 대전광역시 유성구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 276,000 원 | 2014년 08월 27일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 228,200 원 | 2017년 07월 25일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 187,450 원 | 2019년 01월 23일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2013.03.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0187599-41 |
2 | [출원서등 보정]보정서 | 2013.09.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0838601-48 |
3 | 선행기술조사의뢰서 | 2014.01.08 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
4 | 선행기술조사보고서 | 2014.02.11 | 수리 (Accepted) | 9-1-2014-0009706-10 |
5 | 의견제출통지서 | 2014.04.16 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0259412-26 |
6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2014.06.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0552036-66 |
7 | [명세서등 보정]보정서 | 2014.06.13 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2014-0552035-10 |
8 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 | 2014.08.06 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0743017-23 |
9 | 등록결정서 | 2014.08.25 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0575594-40 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
기술정보가 없습니다 |
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과제고유번호 | 1345197249 |
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세부과제번호 | 2011-0031630 |
연구과제명 | 그래핀 및 2D소재 물성제어 기술 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 미래창조과학부 |
연구관리전문기관명 | |
연구주관기관명 | |
성과제출연도 | 2013 |
연구기간 | 201109~202008 |
기여율 | 0.16666667 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1345198307 |
---|---|
세부과제번호 | 2007-0056090 |
연구과제명 | 차세대 플렉시블 디스플레이 융합 센터 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 미래창조과학부 |
연구관리전문기관명 | |
연구주관기관명 | |
성과제출연도 | 2013 |
연구기간 | 200709~201602 |
기여율 | 0.16666667 |
연구개발단계명 | 개발연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
과제고유번호 | 1711001805 |
---|---|
세부과제번호 | 2012M3A7B4049807 |
연구과제명 | 그래핀 혁신소자를 위한 그래핀 성장 및 결함 제어 원천기술 개발 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 미래창조과학부 |
연구관리전문기관명 | |
연구주관기관명 | |
성과제출연도 | 2013 |
연구기간 | 201209~201709 |
기여율 | 0.16666667 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1711005593 |
---|---|
세부과제번호 | KINC01 |
연구과제명 | 그래핀 합성, 물성제어 및 응용 소자 원천기술 연구 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 미래창조과학부 |
연구관리전문기관명 | |
연구주관기관명 | |
성과제출연도 | 2013 |
연구기간 | 201201~201612 |
기여율 | 0.16666667 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1711005818 |
---|---|
세부과제번호 | 2010-50174 |
연구과제명 | 유무기 나노재료의 복합체 소자 구현기술 개발 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 미래창조과학부 |
연구관리전문기관명 | |
연구주관기관명 | |
성과제출연도 | 2013 |
연구기간 | 200907~201406 |
기여율 | 0.16666667 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 9991000585 |
---|---|
세부과제번호 | 2009-0094038 |
연구과제명 | 응용과학연구소 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육부 |
연구관리전문기관명 | |
연구주관기관명 | |
성과제출연도 | 2013 |
연구기간 | 200512~201408 |
기여율 | 0.16666667 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
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