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(A) 기판 위에 후면전극을 형성하는 단계,(B) 상기 후면전극 위에 (In,Ga)Se 층을 형성하는 단계,(C) 상기 (In,Ga)Se 층 위에 Cu 함유층을 형성하여 (In,Ga)Se/Cu 적층 전구체를 형성하는 단계,(D) Se을 외부에서 공급하지 않는 조건에서 상기 (In,Ga)Se/Cu 적층 전구체를 열처리하는 단계,(E) 상기 열처리 후 셀렌화하는 단계를 포함하는 CIGS 박막 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 (In,Ga)Se 층 내 (In,Ga) : Se의 비율은 1 : 1 내지 2 : 3인 것을 특징으로 하는 CIGS 박막 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 (In,Ga)Se 층은 (In,Ga)Se, (In,Ga)2Se3, 또는 이들 둘의 혼합물 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 Cu 함유층은 Cu 금속, Cu(In,Ga), 또는 이들 둘의 혼합물 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 CIGS 박막의 Cu : (In + Ga)의 비율은 0
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제1항에 있어서, 상기 CIGS 박막의 Cu : (In + Ga) 비율 조절은 Cu 함유층의 두께를 조절함으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막 제조방법
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청구항 8은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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제1항에 있어서, 상기 열처리는 셀레늄을 공급하지 않는 분위기에서 수행되는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 열처리는 350 내지 550 ℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 열처리는 상온에서 10 내지 100 ℃/분의 속도로 350 내지 550 ℃까지 승온시키고 나서, 상기 승온 최종 온도를 0 내지 1시간 동안 유지하는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 셀렌화는 외부에서 공급된 Se 분위기 속에서 수행되는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 셀렌화는 200 내지 400 ℃에서 외부에서 공급된 Se 분위기에서 열처리하는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 셀렌화는 H2S 또는 H2Se가 존재하지 않는 분위기에서 수행되는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막 제조방법
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제1항 및 제3항 내지 제14항 중 어느 한 항에 따라 제조된 CIGS 박막
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제15항에 따른 CIGS 박막을 포함하는 광흡수층
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제16항에 따른 광흡수층을 포함하는 태양전지
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