맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

내방사선 모조 게이트를 이용한 단위 모스펫

  • 기술번호 : KST2015116528
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 내방사선 모조 게이트를 이용한 단위 모스펫은, N-액티브 레이어(N-active layer)와, 폴리 게이트 레이어(poly gate layer)와, n+ 레이어(n+ layer)를 포함하는 내방사선 모조 게이트를 이용한 단위 모스펫으로서, 트랜지스터 게이트의 산화막 두께가 10nm 이하게 되면 정공 트래핑(hole trapping)이 발생하지 않는 현상을 이용하여 누설 전류 경로를 차단하는 모조 폴리 게이트 레이어(Dummy poly gate layer); 및 문턱 전압을 높여 트래핑(trapping)된 정공(hole)에 의해 발생하는 채널 반전(channel inversion)을 억제시켜 누설전류 발생을 차단하는 P-액티브 레이어(P-active layer)와 p+ 레이어(p+ layer)를 포함하며, 상기 모조 폴리 게이트 레이어(Dummy poly gate layer)와 상기 P-액티브 레이어(P-active layer)와 p+ 레이어(p+ layer)에 의해 상기 트랜지스터의 소스(Source)와 드레인(Drain)을 둘러싸 방사선에 의한 누설 전류 경로를 차단한다. 본 발명에 의하면, 본 발명의 내방사선 모조 게이트를 이용한 단위 모스펫(Dummy Gate Assisted n-MOSFET: DGA n-MOSFET)의 레이아웃(layout)은 방사선에 의해 발생 할 수 있는 누설 전류 경로를 차단하여 방사선 환경에서도 정상적으로 동작함으로써, 우주 공간, 타 행성 탐사, 원자력 발전소의 원자로와 같은 방사선 환경에서도 정상적으로 동작하는 전자부품 설계에 활용 할 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01L 29/78 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 29/42356(2013.01) H01L 29/42356(2013.01) H01L 29/42356(2013.01) H01L 29/42356(2013.01)
출원번호/일자 1020130075282 (2013.06.28)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1492807-0000 (2015.02.06)
공개번호/일자 10-2015-0002029 (2015.01.07) 문서열기
공고번호/일자 (20150212) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.06.28)
심사청구항수 7

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이희철 대한민국 대전 유성구
2 이민수 대한민국 대전 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 장수현 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***, *층(양재동, 영진빌딩)(두리암특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2013-0581889-18
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.04.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.05.13 수리 (Accepted) 9-1-2014-0038447-58
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.06.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0433982-66
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.08.25 수리 (Accepted) 1-1-2014-0805482-73
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.09.23 수리 (Accepted) 1-1-2014-0902173-78
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.09.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0902172-22
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
11 등록결정서
Decision to grant		 2015.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0065842-30
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
트랜지스터의 액티브(active) 영역을 지정함으로써 공정상에서 격리 필드 산화층(isolation field oxide)이 해당 위치에 발생하지 않게 하는 N-액티브 레이어(N-active layer)와, 폴리 실리콘(poly silicon)을 이용하여 트랜지스터의 게이트(gate) 영역을 지정하는 폴리 게이트 레이어(poly gate layer)와, 셀프 얼라인(self-align) 기법에 의해 소스(source) 와 드레인(drain) 생성을 위하여 n-타입의 도핑 위치를 지정해 주는 n+ 레이어(n+ layer)를 포함하는 내방사선 모조 게이트를 이용한 단위 모스펫으로서,상기 트랜지스터 게이트의 산화막 두께가 10nm 이하게 되면 정공 트래핑(hole trapping)이 발생하지 않는 현상을 이용하여 누설 전류 경로를 차단하는 모조 폴리 게이트 레이어(Dummy poly gate layer); 및문턱 전압을 높여 트래핑(trapping)된 정공(hole)에 의해 발생하는 채널 반전(channel inversion)을 억제시켜 누설전류 발생을 차단하는 P-액티브 레이어(P-active layer)와 p+ 레이어(p+ layer)를 포함하며, 상기 모조 폴리 게이트 레이어(Dummy poly gate layer)와 상기 P-액티브 레이어(P-active layer)와 p+ 레이어(p+ layer)에 의해 상기 트랜지스터의 소스(Source)와 드레인(Drain)을 둘러싸 방사선에 의한 누설 전류 경로를 차단하는 내방사선 모조 게이트를 이용한 단위 모스펫
2 2
청구항 1에 있어서,상기 P-액티브 레이어 부분에는 상기 문턱 전압을 높여 트래핑(trapping)된 정공(hole)에 의해 발생하는 채널 반전(channel inversion)을 억제시켜 누설전류 발생을 차단하는 상기 p+ 레이어(p+ layer)와, 플랫 밴드 전압(Flat band voltage)을 인가함으로써 산화막에 인가되는 전계(electric field)를 최소화시켜 방사선에 의해 발생하는 전자정공쌍(Electron 0026# Hole pair)이 대부분 재결합됨에 따라 누설 전류 발생을 억제하는 모조 Metal-1 레이어(Dummy Metal-1 layer)가 모두 적용되거나, 어느 하나의 레이어만 선택적으로 적용되는것을 특징으로 하는 내방사선 모조 게이트를 이용한 단위 모스펫
3 3
청구항 2에 있어서,상기 모조 Metal-1 레이어에는 상기 플랫 밴드 전압 또는 특정 전압이 인가되는것을 특징으로 하는 내방사선 모조 게이트를 이용한 단위 모스펫
4 4
청구항 1에 있어서,상기 액티브 영역을 상기 모조 폴리 게이트 레이어의 양쪽 방향으로 확장하여 상기 모조 폴리 게이트 레이어가 상기 액티브 영역의 안쪽에 위치하는것을 특징으로 하는 내방사선 모조 게이트를 이용한 단위 모스펫
5 5
청구항 1에 있어서,상기 트랜지스터의 게이트 길이(gate length)가 긴 경우에 상기 P-액티브 레이어와 겹쳐지는 트랜지스터 게이트 부분의 게이트 길이를 최소 선폭으로 줄이거나, 원래의 게이트 길이보다 줄인것을 특징으로 하는 내방사선 모조 게이트를 이용한 단위 모스펫
6 6
청구항 1에 있어서,반도체 소자의 실리사이드 레이어(silicide layer)가 적용되는 제작 공정의 경우, 상기 P-액티브 레이어 영역과 상기 n+ 레이어 영역에 적용하여 실리사이드(silicide)가 형성되는 것을 막는 실리사이드 블로킹 레이어(silicide blocking layer)를 더 포함하는것을 특징으로 하는 내방사선 모조 게이트를 이용한 단위 모스펫
7 7
청구항 1에 있어서,상기 p+ 레이어(p+ layer)가 상기 트랜지스터의 게이트 부분까지 확장되어 겹쳐지는 경우 상기 p+ 레이어(p+ layer)가 겹쳐진 상기 트랜지스터의 게이트 부분은 문턱 전압이 올라가 해당 영역에 채널이 약하게 유기되어 채널을 통해 발생 가능한 누설전류 경로가 최소화되는것을 특징으로 하는 내방사선 모조 게이트를 이용한 단위 모스펫
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR101494808 KR 대한민국 FAMILY
2 US08907380 US 미국 FAMILY
3 US20150001596 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
DOCDB 패밀리 정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.