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분산성 탄소나노튜브, 분산성 탄소나노튜브-고분자 복합체 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015119539
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 분산성 탄소나노튜브, 분산성 탄소나노튜브-고분자 복합체 및 이의 제조 방법이 제시된다. 탄소나노튜브
Int. CL C09D 169/00 (2006.01) C08G 64/00 (2006.01) C01B 31/02 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01) C09C 1/44 (2006.01)
CPC C01B 32/174(2013.01) C01B 32/174(2013.01) C01B 32/174(2013.01) C01B 32/174(2013.01) C01B 32/174(2013.01) C01B 32/174(2013.01) C01B 32/174(2013.01)
출원번호/일자 1020090032338 (2009.04.14)
출원인 삼성전자주식회사, 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1598544-0000 (2016.02.23)
공개번호/일자 10-2010-0113823 (2010.10.22) 문서열기
공고번호/일자 (20160302) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.04.14)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박종진 대한민국 경기도 용인시 기흥구
2 박태관 대한민국 대전광역시 유성구
3 이유한 대한민국 대전광역시 유성구
4 이광희 대한민국 경기도 수원시 영통구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구
2 한국과학기술원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.04.14 수리 (Accepted) 1-1-2009-0224706-26
2 보정요구서
Request for Amendment		 2009.04.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0026376-56
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2009.04.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-0264282-96
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2014.04.14 수리 (Accepted) 1-1-2014-0351501-82
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.12.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
11 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.01.09 수리 (Accepted) 9-1-2015-0002045-65
12 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.05.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0348270-39
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.07.27 수리 (Accepted) 1-1-2015-0729351-74
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.07.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0729352-19
15 등록결정서
Decision to grant		 2015.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0829087-84
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
탄소나노튜브 백본(backbone) 및 하나 이상의 히드록실기를 갖는 C6-C14 방향족 작용기를 포함한 유기 모이어티를 하나 이상 포함하고, 상기 유기 모이어티가 하기 화학식 1을 갖는 분산성 탄소나노튜브: 003c#화학식 1003e# 상기 화학식 1 중, *는 상기 탄소나노튜브 백본의 표면과의 결합 사이트를 나타낸 것이고; L은 -(CR1R2)a-로 표시되고, 상기 R1 및 R2는 서로 독립적으로, 수소, 히드록실기, 시아노기, 할로겐 원자 및 -NH2로 이루어진 군으로부터 선택되고, 상기 a는 2 내지 20의 정수 중 하나이되, 상기 a개의 -(CR1R2)- 중 하나 이상의 -(CR1R2)-은 -O-, -NR3- 및 로 이루어진 군으로부터 선택된 연결기로 교체될 수 있고, 상기 R3는 수소 또는 C1-C10알킬기이고; Ar은 C6-C14 방향족 작용기이고; n은 1 내지 13의 정수 중 하나이다
2 2
제1항에 있어서, 상기 하나 이상의 히드록실기를 갖는 C6-C14 방향족 작용기가 카테콜기인 분산성 탄소나노튜브
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서, 상기 L이 하기 화학식 2a, 2b, 2c 또는 2d로 표시된 분산성 카본나노튜브: 003c#화학식 2a003e# 003c#화학식 2b003e# 003c#화학식 2c003e# 003c#화학식 2d003e# 상기 화학식 2a, 2b, 2c 및 2d 중, *는 상기 탄소나노튜브 백본의 표면과의 결합 사이트를 나타낸 것이고, *'는 상기 Ar과의 결합 사이트를 나타낸 것이다
5 5
제1항에 있어서, 상기 유기 모이어티가 하기 화학식 1a, 1b, 1c 또는 1d를 갖는 탄소나노튜브: 003c#화학식 1a003e# 003c#화학식 1b003e# 003c#화학식 1c003e# 003c#화학식 1d003e# 상기 화학식 1a, 1b, 1c 및 1d 중 *는 상기 탄소나노튜브 백본 표면과의 결합 사이트를 나타낸 것이다
6 6
분산성(dispersible) 탄소나노튜브 및 고분자를 포함하고, 상기 분산성 탄소나노튜브는 탄소나노튜브 백본(backbone) 및 하나 이상의 히드록실기를 갖는 C6-C14 방향족 작용기를 포함한 유기 모이어티를 하나 이상 포함하고, 상기 유기 모이어티가 하기 화학식 1을 갖는 분산성 탄소나노튜브-고분자 복합체: 003c#화학식 1003e# 상기 화학식 1 중, *는 상기 탄소나노튜브 백본의 표면과의 결합 사이트를 나타낸 것이고; L은 -(CR1R2)a-로 표시되고, 상기 R1 및 R2는 서로 독립적으로, 수소, 히드록실기, 시아노기, 할로겐 원자 및 -NH2로 이루어진 군으로부터 선택되고, 상기 a는 2 내지 20의 정수 중 하나이되, 상기 a개의 -(CR1R2)- 중 하나 이상의 -(CR1R2)-은 -O-, -NR3- 및 로 이루어진 군으로부터 선택된 연결기로 교체될 수 있고, 상기 R3는 수소 또는 C1-C10알킬기이고; Ar은 C6-C14 방향족 작용기이고; n은 1 내지 13의 정수 중 하나이다
7 7
제6항에 있어서, 상기 하나 이상의 히드록실기를 갖는 C6-C14 방향족 작용기가 카테콜기인 분산성 탄소나노튜브-고분자 복합체
8 8
삭제
9 9
제6항에 있어서, 상기 L이 하기 화학식 2a, 2b, 2c 또는 2d로 표시된 분산성 카본나노튜브-고분자 복합체: 003c#화학식 2a003e# 003c#화학식 2b003e# 003c#화학식 2c003e# 003c#화학식 2d003e# 상기 화학식 2a, 2b, 2c 및 2d 중, *는 상기 탄소나노튜브 백본의 표면과의 결합 사이트를 나타낸 것이고, *'는 상기 Ar과의 결합 사이트를 나타낸 것이다
10 10
제6항에 있어서, 상기 유기 모이어티가 하기 화학식 1a, 1b, 1c 또는 1d를 갖는 탄소나노튜브-고분자 복합체: 003c#화학식 1a003e# 003c#화학식 1b003e# 003c#화학식 1c003e# 003c#화학식 1d003e# 상기 화학식 1a, 1b, 1c 및 1d 중 *는 상기 탄소나노튜브 백본 표면과의 결합 사이트를 나타낸 것이다
11 11
제6항에 있어서, 상기 탄소나노튜브 백본이, 단일벽 탄소나노튜브, 이중벽 탄소나노튜브, 다중벽 탄소나노튜브 및 다발형 탄소나노튜브로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 분산성 탄소나노튜브-고분자 복합체
12 12
제6항에 있어서, 상기 고분자가, 폴리올레핀계 고분자, 아크릴계 고분자, 폴리우레탄계 고분자, 에테르계 고분자, 폴리에스테르계 고분자, 폴리아마이드계 고분자, 포름알데히드계 고분자, 실리콘계 고분자 및 이들 고분자의 모노머들 중 2 이상을 이용하여 형성된 공중합체로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 분산성 탄소나노튜브-고분자 복합체
13 13
제6항에 있어서, 산처리된 탄소나노튜브, 미처리된 탄소나노튜브 및 금속 나노 입자로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질을 더 포함한 분산성 탄소나노튜브-고분자 복합체
14 14
제13항에 있어서, 상기 산처리된 탄소나노튜브가 이의 표면에 카르복실기를 포함한 탄소나노튜브인 분산성 탄소나노튜브-고분자 복합체
15 15
제13항에 있어서, 상기 금속 나노 입자가 Cs, Mg, Ca, Sr, Sc, Ti, Zr, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Mn, Fe, Ru, Co, Ir, Ni, Pd, Pt, Cu, Ag, Au, Zn, Cd, Al, Ga, In, Ti, Si, Ge, Sn, Pb, Sb 및 Te 나노 입자로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 입자인 분산성 탄소나노튜브-고분자 복합체
16 16
제6항에 있어서, 용매, 커플링제, 염료, 충진제, 난연제 및 습윤화제로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 부가 성분을 더 포함한 분산성 탄소나노튜브-고분자 복합체
17 17
탄소나노튜브 백본에 하나 이상의 히드록실기를 갖는 C6-C14 방향족 작용기를 포함한 유기 모이어티를 하나 이상 도입하여, 상기 탄소나노튜브 백본(backbone) 및 하나 이상의 히드록실기를 갖는 C6-C14 방향족 작용기를 포함한 유기 모이어티를 하나 이상 포함한 분산성 탄소나노튜브를 제공하는 단계; 및 상기 분산성 탄소나노튜브 및 고분자를 혼합하여, 분산성 탄소나노튜브-고분자 복합체를 제공하는 단계;를 포함하고, 상기 분산성 탄소나노튜브 제공 단계가, 미처리된 탄소나노튜브를 산처리하는 단계 및 상기 산처리된 탄소나노튜브를 하기 화학식 3을 갖는 화합물과 혼합하는 단계를 포함하는 분산성 탄소나노튜브-고분자 복합체의 제조 방법: 003c#화학식 3003e# 상기 화학식 3 중, Q1은 수소 또는 할로겐 원자이고; L은 -(CR1R2)a-로 표시되고, 상기 R1 및 R2는 서로 독립적으로, 수소, 히드록실기, 시아노기, 할로겐 원자 및 -NH2로 이루어진 군으로부터 선택되고, 상기 a는 1 내지 20의 정수 중 하나이되, 상기 a개의 -(CR1R2)- 중 하나 이상의 -(CR1R2)-은 -O-, -NR3- 및 로 이루어진 군으로부터 선택된 연결기로 교체될 수 있고, 상기 R3는 수소 또는 C1-C10알킬기이고; Ar은 C6-C14 방향족 작용기이고; n은 1 내지 13의 정수 중 하나이다
18 18
삭제
19 19
제17항에 있어서, 상기 미처리된 탄소나노튜브를 산처리하는 단계를 상기 미처리된 탄소나노튜브를 질산, 염산 및 황산으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 강산과 접촉시킴으로써 수행하는 분산성 탄소나노튜브-고분자 복합체의 제조 방법
20 20
제17항에 있어서, 상기 화학식 3을 갖는 화합물이 하기 화학식 3a, 3b, 3c 또는 3d를 갖는 분산성 탄소나노튜브-고분자 복합체의 제조 방법: 003c#화학식 3a003e# 003c#화학식 3b003e# 003c#화학식 3c003e# 003c#화학식 3d003e# 상기 화학식들 중, p는 1 내지 5의 정수 중 하나이다
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
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2 US20100261821 US 미국 FAMILY

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1 US2010261821 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8778296 US 미국 DOCDBFAMILY
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