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펄스 레이저 증착법에 의한 산화물 나노구조체의 합성방법

  • 기술번호 : KST2015121072
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 새로운 방식의 펄스 레이저 증착법(pulsed laser deposition: PLD)에 의하여 수십 나노미터 크기의 미세한 반도체 나노구조체를 합성하고, 더욱 나아가 나노선을 원하는 모양으로 정렬시키는 일련의 장치 및 공정기술을 그 내용으로 한다. 본 발명에서는 기존의 방식인 내부 기판 가열방식(Cold-wall type)이 아니라 반응관을 외부에서 가열하는 방식(Hot-wall type)인 것과 합성온도가 기존공정에 비해 매우 높은 500~1500℃인 것을 가장 큰 특징으로 한다. 이 방법에 의해서 직경이 매우 가는 ZnO, CdSe, Si 반도체 나노선을 고밀도로 합성할 수 있고, 더 나아가 다양한 형태의 나노구조체를 합성할 수 있다. 또한, 고온공정에 의해 촉매인 금 패턴 위에서 선택적인 나노구조체의 성장이 가능하며 전기적 특성 제어를 위한 도핑이 용이하다. 이러한 공정기술은 광전자소자, 레이저, 화학센서 등 다양한 나노소자의 대량생산에 효과적으로 활용할 수 있다. 나노선, 산화아연, 나노구조체, 펄스 레이저 증착법(PLD), 금 촉매
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC C23C 16/483(2013.01) C23C 16/483(2013.01) C23C 16/483(2013.01) C23C 16/483(2013.01) C23C 16/483(2013.01) C23C 16/483(2013.01)
출원번호/일자 1020040095591 (2004.11.22)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0679987-0000 (2007.02.01)
공개번호/일자 10-2006-0056484 (2006.05.25) 문서열기
공고번호/일자 (20070208) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.11.22)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박재환 대한민국 서울특별시 마포구
2 박재관 대한민국 서울특별시 노원구
3 최영진 대한민국 서울특별시 용산구
4 황인성 대한민국 대구광역시 동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이학수 대한민국 부산광역시 연제구 법원로 **, ****호(이학수특허법률사무소)
2 백남훈 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, KTB네트워크빌딩**층 한라국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.11.22 수리 (Accepted) 1-1-2004-0542220-36
2 서지사항 보정서
Amendment to Bibliographic items		 2004.11.24 수리 (Accepted) 1-1-2004-0549933-89
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.11.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.12.15 수리 (Accepted) 9-1-2005-0083145-19
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.04.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0242671-71
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2006.06.27 수리 (Accepted) 1-1-2006-0455101-62
7 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2006.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2006-0530323-84
8 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2006.08.28 수리 (Accepted) 1-1-2006-0615691-86
9 의견서
Written Opinion		 2006.09.27 수리 (Accepted) 1-1-2006-0703460-33
10 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.09.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0703459-97
11 등록결정서
Decision to grant		 2006.12.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0762639-72
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
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레이저빔을 나노구조체와 동일한 구성을 갖는 타겟 표면에 조사하여 타겟의 조성이 기판 위에 증착되게 하는 과정을 포함하되, 반응관을 외부에서 가열하는 방식으로 반응온도를 500~1500℃의 범위로 조절하는 고온합성공정을 포함하는 펄스 레이저 증착법에 의한 산화물 나노구조체의 합성방법에 있어서,상기 고온합성공정은 직경 20~200㎚, 길이 3~10㎛의 산화아연 나노선구조체의 합성을 위하여 반응온도 750~850℃, 반응시간 10~30분, 빔발생 반복주기 5~10㎐, 산소 분압 1~10torr, 에너지 밀도 2~5J/㎠의 공정조건으로 수행하는 것을 특징으로 하는 펄스 레이저 증착법에 의한 산화물 나노구조체의 합성방법
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레이저빔을 나노구조체와 동일한 구성을 갖는 타겟 표면에 조사하여 타겟의 조성이 기판 위에 증착되게 하는 과정을 포함하되, 반응관을 외부에서 가열하는 방식으로 반응온도를 500~1500℃의 범위로 조절하는 고온합성공정을 포함하는 펄스 레이저 증착법에 의한 산화물 나노구조체의 합성방법에 있어서,상기 고온합성공정은 상방향 끝단 쪽의 경우 직경 수~수십㎚, 길이 3~10㎛의 산화아연 나노바늘구조체 및 직경 수~수십㎚, 길이 3~10㎛의 산화아연 나노막대구조체의 합성을 위하여 반응온도 750~900℃, 반응시간 30~60분, 빔발생 반복주기 5~10㎐, 산소 분압 1~10torr, 에너지 밀도 4~7J/㎠의 공정조건으로 수행하는 것을 특징으로 하는 펄스 레이저 증착법에 의한 산화물 나노구조체의 합성방법
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레이저빔을 나노구조체와 동일한 구성을 갖는 타겟 표면에 조사하여 타겟의 조성이 기판 위에 증착되게 하는 과정을 포함하되, 반응관을 외부에서 가열하는 방식으로 반응온도를 500~1500℃의 범위로 조절하는 고온합성공정을 포함하는 펄스 레이저 증착법에 의한 산화물 나노구조체의 합성방법에 있어서,상기 고온합성공정은 직경 수~수십㎚, 길이 5~100㎛의 산화아연 나노리본구조체 또는 나노콤구조체의 합성을 위하여 반응온도 800~950℃, 반응시간 30~120분, 빔발생 반복주기 5~20㎐, 산소 분압 1~50torr, 에너지 밀도 7~10J/㎠의 공정조건으로 수행하는 것을 특징으로 하는 펄스 레이저 증착법에 의한 산화물 나노구조체의 합성방법
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레이저빔을 나노구조체와 동일한 구성을 갖는 타겟 표면에 조사하여 타겟의 조성이 기판 위에 증착되게 하는 과정을 포함하되, 반응관을 외부에서 가열하는 방식으로 반응온도를 500~1500℃의 범위로 조절하는 고온합성공정을 포함하는 펄스 레이저 증착법에 의한 산화물 나노구조체의 합성방법에 있어서,상기 고온합성공정은 반응온도 750~900℃, 에너지 밀도 4~7J/㎠의 조건에서 실리콘 기판에 금속 스트립형 마스크를 사용하여 패턴을 만든 후 20Å의 금이 증착된 부분에 한하여 나노구조체인 나노선, 나노선 어레이, 나노로드, 나노니들, 나노리본, 나노콤 중의 하나를 선택적으로 정렬시키는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 펄스 레이저 증착법에 의한 산화물 나노구조체의 합성방법
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