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표면 개질된 리튬 이차전지용 양극 활물질 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015121548
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 이차전지용 양극 활물질, 이를 이용한 양극과 상기 양극을 이용한 이차전지의 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명의 이차전지용 양극의 제조방법은 (1) 용매에 초산인듐과 염화주석을 혼합하여 ITO 졸을 형성하는 단계, (2) 상기 ITO 졸과 양극 활물질을 혼합하고 건조하여 상기 양극 활물질의 표면에 ITO 막을 형성하는 단계 및 (3) 단계 (2)를 거친 ITO 막이 형성된 양극 활물질을 고온열처리하여 ITO를 결정화시켜 나노 ITO 입자가 코팅된 양극 활물질 분말을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지고, 본 발명의 이차전지용 양극의 제조방법은 상기의 방법으로 제조된 양극 활물질, 도전재 및 바인더를 혼합하여 슬러리를 형성하는 단계 및 상기 슬러리를 박막에 도포하고 진공 건조하여 양극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지고, 본 발명의 이차전지의 제조방법은 상기의 방법으로 제조된 양극과 상대 전극을 형성하는 단계 및 상기 양극 및 상대전극 사이에 전해질 및 분리판을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.
Int. CL H01M 10/0525 (2010.01) H01M 4/48 (2010.01) H01M 4/505 (2010.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC C01G 45/1242(2013.01) C01G 45/1242(2013.01) C01G 45/1242(2013.01) C01G 45/1242(2013.01) C01G 45/1242(2013.01) C01G 45/1242(2013.01) C01G 45/1242(2013.01) C01G 45/1242(2013.01) C01G 45/1242(2013.01)
출원번호/일자 1020100074707 (2010.08.02)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1223482-0000 (2013.01.11)
공개번호/일자 10-2012-0012628 (2012.02.10) 문서열기
공고번호/일자 (20130117) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.08.02)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임경란 대한민국 서울특별시 동대문구
2 김창삼 대한민국 서울특별시 서초구
3 권순호 대한민국 서울특별시 영등포구
4 조병원 대한민국 서울특별시 은평구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.08.02 수리 (Accepted) 1-1-2010-0499096-68
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0317790-39
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.07.31 수리 (Accepted) 1-1-2012-0614426-22
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.07.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0614429-69
5 등록결정서
Decision to grant		 2012.12.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0801485-94
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(1) 인듐 주석 산화물 (ITO) 졸을 형성하는 단계;(2) 상기 ITO 졸과 양극 활물질을 혼합하고 건조하여 상기 양극 활물질의 표면에 ITO 막을 형성하는 단계; 및(3) 단계 (2)를 거친 ITO 막이 형성된 양극 활물질을 고온열처리하여 ITO를 결정화시켜 나노 ITO 입자가 코팅된 양극 활물질 분말을 형성하는 단계를 포함하고,상기 단계 (1)은, (a) 프로피온산과 부탄올 혼합용매에 인듐 화합물 및 염화주석 화합물을 분산시키고 가열하여 제1 인듐주석 산화물 졸을 제조하는 단계;(b) 디메틸포름아미드와 부탄올 혼합용매에 인듐 화합물 및 염화주석 화합물을 분산시키고 질산을 첨가한 후, 가열 및 급속 냉각하여 제2 인듐주석 산화물 졸을 제조하는 단계; 및(c) 상기 제2 인듐주석 산화물 졸에 상기 제1 인듐주석 산화물 졸을 첨가하면서 교반하여 인듐주석 산화물 (ITO) 졸을 생성시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것인 이차전지용 양극 활물질의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 양극 활물질은 큐빅구조를 갖는 스피넬 Li[Mn2-xMx]O4 (M은 Co, Ni, Mg 또는 Al이고, 0≤x≤0
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서, 단계 (3) 이후에,(4) 상기 나노 ITO 입자가 코팅된 양극 활물질 분말을 후열처리하는 단계를 더 포함하는 것인 이차전지용 양극 활물질의 제조방법
5 5
삭제
6 6
제1항에 있어서,상기 ITO 졸의 ITO 농도는 0
7 7
제1항에 있어서,단계 (2)에서 ITO 졸과 LMO의 혼합비율은 중량비로 1 : 10 내지 1 : 1인 것인 이차전지용 양극 활물질의 제조방법
8 8
제1항에 있어서,단계 (3)의 열처리는 공기 또는 불활성 가스 분위기 하에서 400 내지 700 ℃로 이루어지는 것인 이차전지용 양극 활물질의 제조방법
9 9
제4항에 있어서,단계 (4)의 후열처리는 환원 분위기 하에서 200 내지 400 ℃로 이루어지는 것인 이차전지용 양극 활물질의 제조방법
10 10
제1항, 제2항, 제4항 또는 제6항 내지 제9항 중 어느 하나의 방법으로 제조된 양극 활물질, 도전재 및 바인더를 혼합하여 슬러리를 형성하는 단계; 및상기 슬러리를 박막에 도포하고 진공 건조하여 양극을 형성하는 단계를 포함하는 이차전지용 양극의 제조방법
11 11
제10항에 있어서,상기 양극 활물질은 70 내지 97 중량%이고, 상기 도전재는 2 내지 20 중량%이고, 상기 바인더는 1 내지 10 중량%인 것인 이차전지용 양극의 제조방법
12 12
제10항의 방법으로 제조된 양극과 상대 전극을 형성하는 단계; 및 상기 양극 및 상대전극 사이에 전해질 및 분리판을 형성하는 단계를 포함하는 이차전지의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.