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나노 구조체 배열의 제조방법 및 나노 구조체 배열을 포함하는 소자

  • 기술번호 : KST2015121979
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노 구조체 배열을 제작하는 방법에 관한 것으로, 포커싱 층을 통과한 빛에 의해 레지스트층 계면에서 나노 사이즈의 패터닝을 일으키고, 이를 이용하여 기판상에 나노 구조체의 배열을 제작하는 다양한 방법을 제공한다. 상기 포커싱 층으로 비드 또는 렌즈의 배열을 사용하고, 바람직하게 레지스트층의 패터닝은 나노 사이즈의 개구부 및 그 하부로 연결된 언더컷 구조를 포함한다.본 발명에 의하면, 나노 구조체 배열에서 구조체의 크기, 형상 및 배열의 간격 조절이 용이하다.또한, 본 발명에 의하면 나노 구조체 배열을 포함하는 소자의 성능을 개선시킬 수 있다. 특히, 본 발명은 센서를 사용하는 환경 및 용도에 따라 감응도 및 신뢰성이 향상된 센서를 제공한다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) G03F 7/00 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020110031602 (2011.04.06)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1381395-0000 (2014.03.28)
공개번호/일자 10-2012-0113916 (2012.10.16) 문서열기
공고번호/일자 (20140414) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.04.06)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이경석 대한민국 서울특별시 성북구
2 김원목 대한민국 서울특별시 노원구
3 김인호 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정태훈 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)(특허법인 티앤아이)
2 진수정 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)(특허법인 티앤아이)
3 배성호 대한민국 경상북도 경산시 박물관로*길**, ***호(사동, 태화타워팰리스)(특허법인 티앤아이(경상북도분사무소))
4 오용수 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)(특허법인 티앤아이)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.04.06 수리 (Accepted) 1-1-2011-0249329-05
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.06.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.07.20 수리 (Accepted) 9-1-2012-0057831-09
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0127735-16
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.04.25 수리 (Accepted) 1-1-2013-0365919-90
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.05.27 수리 (Accepted) 1-1-2013-0467943-45
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.06.24 수리 (Accepted) 1-1-2013-0563782-10
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.06.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0563783-66
9 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2013.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0799227-62
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.11.22 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-1066066-03
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.11.22 수리 (Accepted) 1-1-2013-1066065-57
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
13 등록결정서
Decision to grant
2014.03.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0210501-11
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판, 상기 기판 상에 형성된 레지스트 층, 및 상기 레지스트 층 상에 형성된 포커싱 층을 포함하는 적층 구조물을 형성하는 제1 단계;상기 적층 구조물의 포커싱 층 상에 임의의 특정 방향에 대하여 일정한 산란각도로 분산된 빛을 조사하여, 상기 레지스트 층에 기공을 형성하는 제2 단계; 및상기 기공이 형성된 레지스트 층 상에 증착 물질을 증착하여, 상기 기판 상에 이방성 나노 구조체를 형성하는 제3 단계를 포함하고,상기 제2 단계에서 상기 레지스트 층과 상기 포커싱 층 사이의 계면에서 상기 기공의 모양은 이방성 구조를 가지고,상기 분산된 빛의 산란각도를 조절하여 상기 나노 구조체의 이방성을 조절하는 나노 구조체 어레이의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 포커싱 층은 빛을 포커싱하는 비드의 배열인 나노 구조체 어레이의 제조방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 비드의 배열은 자기 조립의 방법으로 형성되는 나노 구조체 어레이의 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 포커싱 층은 빛을 포커싱하는 비드를 포함하는 필름인 나노 구조체 어레이의 제조방법
5 5
제1항에 있어서,상기 포커싱 층은 빛을 포커싱하는 렌즈의 배열인 나노 구조체 어레이의 제조방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 렌즈의 배열은 렌즈 어레이부 및 그 하부의 플레이트부를 포함하는 구조인 나노 구조체 어레이의 제조방법
7 7
제2항, 제4항 및 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 비드 또는 렌즈의 형상을 물리적, 화학적, 열적 처리에 의하여 변형시킴으로써 상기 나노 구조체의 이방성을 조절하는 나노 구조체 어레이의 제조방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 임의의 특정 방향에 대하여 일정한 각도로 분산된 빛은 디퓨져(diffuser)에 의하여 형성된 나노 구조체 어레이의 제조방법
9 9
제1항에 있어서, 상기 이방성 구조는 타원형 구조 또는 막대 구조를 포함하는 나노 구조체 어레이의 제조방법
10 10
제1항에 있어서, 상기 증착 물질은 금속, 반도체 또는 절연성 물질인 나노 구조체 어레이의 제조방법
11 11
제1항에 있어서, 상기 레지스트 층은, 상기 기판 상에 형성된 언더컷 형성층, 및 상기 언더컷 형성층 상에 형성된 레지스트 재료층을 포함하고,상기 제2 단계는, 상기 레지스트 재료층에 관통 기공을 형성하는 단계 및 상기 관통 기공 하부의 언더컷 형성층에 언더컷 구조를 형성하는 단계를 포함하는 나노 구조체 어레이의 제조방법
12 12
제1항에 있어서, 상기 레지스트 층은 포커싱 층을 통과한 빛에너지의 열에 의해 상전이를 일으키는 물질을 포함하는 나노 구조체 어레이의 제조방법
13 13
제1항 내지 제6항, 제8항 내지 제12항 중 어느 한 항의 제조방법에 의해 제조된 나노 구조체 어레이를 포함하는 소자
14 14
제7항의 제조방법에 의해 제조된 나노 구조체 어레이를 포함하는 소자
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US08758985 US 미국 FAMILY
2 US20120258289 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2012258289 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8758985 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.