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탄소나노튜브 미세배선 형성방법, 이에 의하여 형성된 미세배선기판 및 이 미세배선 제조용 탄소나노튜브 분산용액

  • 기술번호 : KST2015122511
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 탄소나노튜브 미세배선 형성방법 및 이에 의하여 형성된 미세배선기판에 관한 것으로, 상기 탄소나노튜브 미세배선의 형성방법은, 용매에 분산된 탄소나노튜브들을 포함하는 분산용액을 준비하는 제1단계, 상기 분산용액을 이용하여 기재 상에 액적(droplet)을 형성하는 제2단계, 두 개의 전극을 이용하여 상기 액적에 전기장을 인가하고 탄소나노튜브들을 다발의 형태(rope-type)로 배열시키는 제3단계 및 상기 액적에 포함되어 있는 분산용액의 용매를 증발시켜 선형의 탄소나노튜브 미세배선을 형성하는 제4단계를 포함한다. 또한, 상기 미세배선기판은 기재 및 상기 기재 상에 위치하며, 전기장에 의하여 배열된 다발 형태의 탄소나노튜브들을 포함하는 탄소나노튜브 미세배선을 포함한다. 즉, 본 발명의 탄소나노튜브 미세배선 형성방법에 의하여 배선을 배열시킬 경우, 긴 배선이 형성됨과 동시에 전기전도도가 뛰어난 배선을 형성시킬 수 있고, 배선을 형성하는 데에 소요시간을 단축시킬 수 있게 된다.
Int. CL H01L 21/28 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020130070550 (2013.06.19)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1522225-0000 (2015.05.15)
공개번호/일자 10-2014-0147393 (2014.12.30) 문서열기
공고번호/일자 (20150526) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.06.19)
심사청구항수 19

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최웅수 대한민국 서울특별시 송파구
2 고영건 대한민국 서울특별시 동대문구
3 오현철 대한민국 서울특별시 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.06.19 수리 (Accepted) 1-1-2013-0547795-38
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.04.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0254544-83
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.06.16 수리 (Accepted) 1-1-2014-0560486-20
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.06.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0560495-31
6 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2014.10.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0679636-86
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.11.21 수리 (Accepted) 1-1-2014-1127450-21
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.11.21 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-1127454-14
9 등록결정서
Decision to grant
2015.04.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0254521-78
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번호 청구항
1 1
용매 및 탄소나노튜브들을 포함하는 분산용액을 준비하는 제1단계; 상기 분산용액을 이용하여 기재상에 액적(droplet)을 형성하는 제2단계; 두 개의 전극을 이용하여 전기장을 인가함으로써, 상기 액적 내에서 탄소나노튜브들을 다발의 형태(rope-type)로 배열시키는 제3단계; 그리고,상기 액적에 포함되어 있는 분산용액의 용매를 증발시켜 다발 형태의 탄소나노튜브들을 포함하는 미세배선을 형성하는 제4단계;를 포함하고,상기 미세배선은 상기 두 개의 전극의 형태에 따라 배선의 형태 및 선폭이 제어되는 것이고,상기 미세배선의 높이 대 선폭의 비율은 0
2 2
제1항에 있어서, 상기 제3단계에서 전기장은 0
3 3
제1항에 있어서, 상기 탄소나노튜브들은 다중벽 탄소나노튜브, 단일벽 탄소나토튜브, 코팅된 다중벽 탄소나노튜브, 코팅된 단일벽 탄소나노튜브 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것인, 미세배선의 형성방법
4 4
제3항에 있어서,상기 코팅된 다중벽 탄소나노튜브 또는 코팅된 단일벽 탄소나노튜브는 전도성 고분자 재료, 전도성 금속 재료 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 전도성 재료로 다중벽 탄소나노튜브 또는 단일벽 탄소나노튜브가 코팅된 것인, 미세배선의 형성방법
5 5
제4항에 있어서,상기 전도성 고분자 재료는 폴리아닐린(polyaniline), 폴리피롤(polypyrrole), 폴리티오펜(polythiophene), 폴리아세틸렌(polyacethylene), 폴리설퍼니트라이드(poly sulfur nitride) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것이고, 상기 전도성 금속 재료는 금, 은, 구리, 철, 알루미늄, 텅스텐 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것인, 미세배선의 형성방법
6 6
제1항에 있어서,상기 용매는, 탈이온수, 에탄올, 메탄올, 실리콘오일, 벤젠, 벤젠화합물에 기능기가 결합된 화합물 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나이며, 상기 기능기는 할로겐기, 아민기, 에테르기, 알코올기, 알데하이드기, 카르복실기, 알킬기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것인, 미세배선의 형성방법
7 7
제1항에 있어서,상기 분산용액은 상기 탄소나노튜브들을 0
8 8
제1항에 있어서,상기 제2단계에서 액적은 잉크젯 프린팅, 잉크 프롯터(plotter), 주사기 및 모세관을 이용하여 형성되는 것인, 미세배선의 형성방법
9 9
제1항에 있어서,상기 기재는 유리, 실리콘웨이퍼, 폴리이미드, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리스티렌, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리카보네이트, 폴리에테르설폰, 폴리노보넨, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 아릴라이트 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 재료로 이루어진 표면을 포함하는 것, 미세배선의 형성 방법
10 10
제1항에 있어서,상기 두 개의 전극은 막대형 전극, 바늘형 전극 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 것인, 미세배선의 형성 방법
11 11
제1항에 있어서,상기 제4단계에서 용매의 증발은, 자연증발, 열을 이용한 증발, 진공 증발 및 이들의 조합에 의하여 이루어지는 것인, 미세배선의 형성방법
12 12
제1항에 있어서,상기 미세배선은 상기 기재와 수평으로 형성되는 것인, 미세배선의 형성방법
13 13
제1항에 있어서, 상기 미세배선은 선폭이 100 ㎛ 이하인 것인, 미세배선의 형성방법
14 14
제1항에 있어서, 상기 제3단계의 전기장의 인가 및 탄소나노튜브들의 다발 형태로의 배열은 5초 이내에 이루어지는 것인, 미세배선의 형성방법
15 15
제1항에 있어서, 상기 기재는 유연기판(flexible substrate)인 것인, 미세배선의 형성방법
16 16
기재; 및상기 기재 상에 위치하며, 전기장에 의하여 배열된 다발 형태의 탄소나노튜브들을 포함하는 미세배선;을 포함하고,상기 미세배선의 높이 대 선폭의 비율은 0
17 17
제16항에 있어서, 상기 미세배선은 선폭이 100 ㎛ 이하이고, 길이 방향이 기재와 수평인 것인, 미세배선기판
18 18
제16항에 있어서, 상기 탄소나노튜브는, 다중벽 탄소나노튜브, 단일벽 탄소나토튜브, 코팅된 다중벽 탄소나노튜브, 코팅된 단일벽 탄소나노튜브 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것이고, 상기 코팅된 다중벽 탄소나노튜브 또는 코팅된 단일벽 탄소나노튜브는 전도성 고분자 재료, 전도성 금속 재료 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 전도성 재료로 다중벽 탄소나노튜브 또는 단일벽 탄소나노튜브가 코팅된 것인, 미세배선기판
19 19
제16항에 있어서, 상기 기재는 유연기판(flexible substrate)인 것인, 미세배선기판
20 20
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