맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

탄소나노튜브 센서의 제조방법 및 이에 의하여 제조된 탄소나노튜브 센서

  • 기술번호 : KST2015122613
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 탄소나노튜브 센서의 제조방법 및 이에 의하여 제조된 탄소나노튜브 센서에 관한 것이다. 본 발명은 기판의 표면을 개질하는 단계(표면처리 단계), 표면 개질된 기판을 열처리하는 단계(베이킹 단계) 및 열처리된 기판 상에 탄소나노튜브를 흡착시키는 단계(흡착 단계)를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면 탄소나노튜브와 기판 사이의 결합력이 향상되기 때문에 반복적으로 사용하더라도 센서의 성능이 열화되지 않아 수명이 길고 안정성이 높다.
Int. CL G01N 27/26 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC G01N 27/127(2013.01) G01N 27/127(2013.01) G01N 27/127(2013.01)
출원번호/일자 1020130109873 (2013.09.12)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1507516-0000 (2015.03.25)
공개번호/일자 10-2015-0030827 (2015.03.23) 문서열기
공고번호/일자 (20150408) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.09.12)
심사청구항수 11

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 변영태 대한민국 경기 구리시
2 김선호 대한민국 서울 종로구
3 우덕하 대한민국 서울특별시 서대문구
4 김은경 대한민국 충남 아산시 문화로***번길 **,
5 김신근 대한민국 서울특별시 마포구
6 박민철 대한민국 서울 강남구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인 티앤아이 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.09.12 수리 (Accepted) 1-1-2013-0836545-32
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.10.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0736973-28
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2014-1266444-28
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.01.27 수리 (Accepted) 1-1-2015-0089459-61
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.01.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0089460-18
7 등록결정서
Decision to grant		 2015.03.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0182076-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판의 표면을 개질하는 단계(표면처리 단계);상기 표면 개질된 기판을 열처리하는 단계(베이킹 단계); 및상기 열처리된 기판 상에 탄소나노튜브를 흡착시키는 단계(흡착 단계)를 포함하되,상기 열처리는 대기분위기, 100 ~ 150℃에서 10 ~ 30분 동안 수행되는 탄소나노튜브 센서의 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 기판은 실리콘 기판을 포함하는 탄소나노튜브 센서의 제조방법
3 3
제1항에 있어서,상기 기판은 실리콘 산화막이 표면에 형성된 실리콘 웨이퍼를 포함하는 탄소나노튜브 센서의 제조방법
4 4
제1항에 있어서,상기 표면처리는 플라즈마 처리에 의하여 수행되는 탄소나노튜브 센서의 제조방법
5 5
제1항에 있어서,상기 표면처리는 산소 플라즈마 처리에 의하여 수행되는 탄소나노튜브 센서의 제조방법
6 6
삭제
7 7
제1항에 있어서,상기 흡착 단계는 탄소나노튜브가 분산된 용액에 상기 열처리된 기판을 침지하여 수행되는 탄소나노튜브의 제조방법
8 8
제1항에 있어서,상기 탄소나노튜브는 단일벽 탄소나노튜브(SWCNT, single-walled carbon nanotube)을 포함하는 탄소나노튜브 센서의 제조방법
9 9
제7항에 있어서,상기 용액은 dichlorobenzene(DCB), ortho-dichlorobenzene(o-DCB), N-methyl-2-pyrrolidinone(NMP), hexamethylphosphoramide(HMPA), monochlorobenzene(MCB), N,N-dimethylformamide(DMF), dichloroethane(DCE), tetrahydrofuran (THF), water/sodium dodecyl benzene sulfonate(NaDDBS), isopropyl alcohol(IPA), ethanol, chloroform, 및 toluene으로 이루어진 그룹에서 선택된 1종 이상을 포함하는 탄소나노튜브 센서의 제조방법
10 10
제7항에 있어서,상기 분산은 초음파를 용액에 조사하여 수행되는 탄소나노튜브 센서의 제조방법
11 11
제7항에 있어서,상기 탄소나노튜브가 분산된 용액 중 탄소나노튜브의 농도는 0
12 12
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항의 방법에 의하여 제조된 탄소나노튜브 센서
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.