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PDMS를 이용한 나노 소자의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015131394
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 PDMS(Polydimethylsiloxane)를 이용한 나노 소자의 제조방법에 관한 것으로, PDMS(Polydimethylsiloxane) 패턴을 이용하여 전극 패턴 상에 선택적으로 나노 구조체를 균일하게 정렬하는 공정을 제공함으로써, 종래의 나노 구조체 소자 제조 방법보다 공정이 간단하고, 공정시간이 짧으며, 제조단가가 낮고, 대규모 스케일에서도 공정이 가능하게 하고 또한 가스, 바이오 및 광센서 등의 나노 소자를 손쉽게 구현할 수 있도록 하는 발명에 관한 것이다.
Int. CL H01L 21/027 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC B82B 3/0009(2013.01) B82B 3/0009(2013.01) B82B 3/0009(2013.01) B82B 3/0009(2013.01)
출원번호/일자 1020080001619 (2008.01.07)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0969478-0000 (2010.07.02)
공개번호/일자 10-2009-0075957 (2009.07.13) 문서열기
공고번호/일자 (20100714) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.01.07)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종흔 대한민국 경기 과천시
2 황인성 대한민국 대구 동구
3 김선중 대한민국 서울 도봉구
4 김윤성 대한민국 서울 종로구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한) 대아 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, 한양빌딩*층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.01.07 수리 (Accepted) 1-1-2008-0010418-39
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.03.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5034712-96
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
4 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2009.07.14 수리 (Accepted) 1-1-2009-0428694-95
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.11.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0472834-14
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2010.01.18 수리 (Accepted) 1-1-2010-0030899-93
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.01.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0032332-75
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.01.18 수리 (Accepted) 1-1-2010-0032335-12
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.01.19 수리 (Accepted) 1-1-2010-0036208-15
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.01.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0036207-69
11 등록결정서
Decision to grant
2010.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0279974-83
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전극 패턴이 형성된 반도체 기판 상에 상기 전극 패턴을 선택적으로 노출시키는 PDMS(Polydimethylsiloxane)을 형성하고, 상기 노출된 전극 패턴 상에 나노 구조체를 형성하는 것을 특징으로 하는 나노 소자의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 나노 구조체는 상기 전극 패턴을 선택적으로 연결하여 네트워크를 형성하는 것을 특징으로 하는 나노 소자의 제조 방법
3 3
실리콘 기판 상부에 산화막을 형성하는 단계; 상기 산화막 상부에 전극 패턴을 형성하는 단계; 상기 전극 패턴과 연결되는 나노 구조체가 형성될 영역을 노출시키는 PDMS(Polydimethylsiloxane) 패턴을 상기 산화막 상부에 형성하는 단계; 상기 PDMS 패턴 사이의 영역에 상기 나노 구조체가 포함된 증류수를 선택적으로 적하시키는 단계; 상기 증류수를 증발시켜 상기 나노 구조체를 상기 전극 패턴 상부에 형성하는 단계; 및 상기 PDMS 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 소자의 제조 방법
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 나노 구조체는 탄소나노튜브(Carbon Nanotubes; CNT), 산화물 나노튜브(Oxide Nanotubes), 나노막대(Nanorods), 나노선(Nanowires), 나노시트(Nanosheets), 나노리본(Nanoribbons), 나노 두께의 중공 입자(Hollow sphere) 및 이들의 혼합물 중 선택된 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 나노 소자의 제조 방법
5 5
제 3 항에 있어서, 상기 PDMS(Polydimethylsiloxane) 패턴을 형성하는 단계는 상기 PDMS를 자일렌(xylene) 또는 톨루엔(tolune)과 같은 유기용매에 녹이는 단계; 상기 PDMS 용액에 경화제로 DMAP(dymethoxy phenyl acetophenone)를 첨가하는 단계; 상기 경화제가 첨부된 PDMS 용액을 상기 산화막 상부에 도포하는 단계; 상기 PDMS 용액을 경화시키는 단계; 및 상기 경화된 PDMS를 레이저 빔을 이용하여 패터닝하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 소자의 제조 방법
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 PDMS 용액에 상기 경화제를 첨가하는 단계는 상기 PDMS 용액 및 상기 경화제의 비율을 10 : 1의 중량퍼센트로 혼합하여 수행하는 것을 특징으로 하는 나노 소자의 제조 방법
7 7
실리콘 기판 상부에 산화막을 형성하는 단계; 상기 산화막 상부에 나노 구조체가 형성될 영역을 노출시키는 PDMS(Polydimethylsiloxane) 패턴을 형성하는 단계; 상기 PDMS 패턴 사이의 영역에 상기 나노 구조체가 포함된 증류수를 선택적으로 적하시키는 단계; 상기 증류수를 증발시켜 상기 나노 구조체를 상기 산화막 상부에 형성하는 단계; 상기 PDMS 패턴을 제거하는 단계; 및 상기 나노 구조체와 연결되는 전극 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.