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나노선 박막, 그 제조 방법, 그 제조장치 및 이를 포함하는전자소자

  • 기술번호 : KST2015131471
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 나노선 박막, 그 제조 방법, 그 제조장치 및 이를 포함하는 전자소자가 제공된다. 본 발명에 따른 나노선 박막 제조방법은 오목부 및 볼록부를 포함하는 스탬프 상에 나노선 분산 용액을 도포시키는 단계; 상기 스탬프 상의 나노선 용액에 기체를 블로잉하여, 상기 나노선을 정렬시키는 단계; 및 상기 스탬프를 기판에 접촉시켜 상기 스탬프의 볼록부 상에 정렬된 나노선을 상기 기판에 프린팅하는 단계를 포함하며, 본 발명에 따른 나노선 박막의 제조방법은 나노선의 배향구조, 나노선의 길이 등을 간단한 설계변경에 따라 달성할 수 있으며, 종래의 기술이 가지는 공정 의 한계를 극복할 수 있다. 또한, 본 발명에 따라 제조된 나노선 박막, 소오스 및 드레인 전극을 포함하는 전자 소자는 전기적 특성이 안정적이다는 장점이 있다
Int. CL B82B 3/00 (2011.01) B82Y 25/00 (2011.01)
CPC H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01)
출원번호/일자 1020080010389 (2008.01.31)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0975036-0000 (2010.08.04)
공개번호/일자 10-2009-0084304 (2009.08.05) 문서열기
공고번호/일자 (20100811) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.01.31)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 하정숙 대한민국 서울 노원구
2 김용관 대한민국 서울 성북구
3 김대일 대한민국 서울 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)
2 현종철 대한민국 서울특별시 중구 다산로 **, *층 특허법인충현 (신당동, 두지빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.01.31 수리 (Accepted) 1-1-2008-0083850-39
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.03.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5034712-96
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0477295-65
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2010.01.19 수리 (Accepted) 1-1-2010-0036348-98
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2010.02.17 수리 (Accepted) 1-1-2010-0104669-67
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.03.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0173841-10
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.03.18 수리 (Accepted) 1-1-2010-0173743-44
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.03.18 무효 (Invalidation) 1-1-2010-0173742-09
10 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2010.03.18 수리 (Accepted) 1-1-2010-0173667-72
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.03.18 수리 (Accepted) 1-1-2010-0173843-12
12 보정요구서
Request for Amendment
2010.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0027573-36
13 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2010.03.30 수리 (Accepted) 1-1-2010-0203393-16
14 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation
2010.04.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0036425-09
15 등록결정서
Decision to grant
2010.07.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0321065-26
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
오목부 및 볼록부를 포함하는 스탬프 상에 나노선 분산 용액을 도포시키는 단계; 상기 스탬프 상의 오목부 및 볼록부 패턴방향과 평행한 방향으로 나노선 용액에 기체를 8 내지 12psig의 압력으로 블로잉하여, 상기 볼록부 상의 분산용액 중 일부를 제거하고 상기 볼록부 패턴방향에 대하여 수직 방향의 배향성을 가진 나노선이 외부로 노출되도록 상기 나노선을 정렬시키는 단계; 및 상기 스탬프를 기판에 접촉시켜 상기 스탬프의 볼록부 상에 정렬된 나노선을 상기 기판에 프린팅하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노선 박막 제조 방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 나노선 용액은 졸-겔 합성법에 의하여 수득하는 것을 특징으로 하는 나노선 박막 제조방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 나노선 분산 용액을 상기 스탬프 상에 도포하기 전에 상기 나노선 분산 용액이 상기 스탬프 상에 도포될 수 있도록 상기 스탬프를 전처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노선 박막 제조방법
4 4
제 3항에 있어서, 상기 전처리 단계는 산소-플라즈마 또는 자외선-오존 처리에 의하여 진행되는 것을 특징으로 하는 나노선 박막 제조방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 스탬프는 폴리디메틸실록산(PDMS, polydimethylsiloxane)을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노선 박막 제조방법
6 6
제 1항에 있어서, 상기 나노선은 오산화이바나늄(V2O5)인 것을 특징으로 하는 나노선 박막 제조방법
7 7
삭제
8 8
제 1항에 있어서, 상기 기판은 상기 스탬프와 접촉하기 전에 3-아미노프로필-트리메톡시실란(APS)에 의하여 전처리하는 것을 특징으로 하는 나노선 박막 제조방법
9 9
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10 10
삭제
11 11
삭제
12 12
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13 13
삭제
14 14
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15 15
삭제
16 16
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17 17
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술부 고려대학교 산학협력단 국가지정연구실사업(NRL) SiP(System in Package)소자 응용을 위한상향식(bottom-up)다층 패터닝 공정