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나노 구조체, 이를 포함하는 센서 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015131624
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 복수의 전극이 형성되어 있는 기판; 및 상기 복수의 전극을 연결하는 나노 구조체를 포함하고, 상기 나노 구조체는 복수의 만입부 (indent) 를 포함하는, 센서 및 이의 제조방법을 개시한다. 나노 구조체의 만입부의 두께는 다른 부분보다 작기 때문에 적은 양의 가스 분석물에 노출되는 경우에도 나노 구조체를 통해 흐르는 전류를 실질적으로 0 이 되도록 한다. 나노 구조체, 센서
Int. CL G01N 27/00 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01) B82Y 15/00 (2011.01)
CPC B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01)
출원번호/일자 1020080085155 (2008.08.29)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1040323-0000 (2011.06.02)
공개번호/일자 10-2010-0026232 (2010.03.10) 문서열기
공고번호/일자 (20110613) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.08.29)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이광렬 대한민국 경기도 남양주시 퇴

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한양특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 한양빌딩 (도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2008-0617683-36
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2008.09.01 수리 (Accepted) 1-1-2008-0620907-40
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2008.09.02 수리 (Accepted) 1-1-2008-0624936-57
4 보정요구서
Request for Amendment
2008.09.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0111199-19
5 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2008.09.18 수리 (Accepted) 1-1-2008-0657873-31
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0385248-63
9 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2010.10.20 수리 (Accepted) 1-1-2010-0678351-16
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2010.10.20 수리 (Accepted) 1-1-2010-0678354-42
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2010-0788877-11
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.11.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0788878-56
13 등록결정서
Decision to grant
2011.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0294927-89
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판상에 복수의 나노 로드를 성장시키는 공정; 성장된 상기 복수의 나노 로드를 상기 기판으로부터 분리시키고 상기 나노 로드의 길이 방향으로 정렬시키는 공정; 및 정렬된 상기 복수의 나노 로드를 길이 방향으로 접합시키는 공정을 포함하는, 나노 구조체의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 복수의 나노 로드를 길이 방향으로 접합시키는 공정은, 상기 복수의 나노 로드에 용매 및 열을 가하는 공정; 및 상기 복수의 나노 로드에 열을 가하여 상기 복수의 나노 로드를 길이 방향으로 접합시키는 공정을 포함하는, 나노 구조체의 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 복수의 나노 로드는 접합 부분에서 만입부 (indent) 를 형성하는, 나노 구조체의 제조 방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 복수의 나노 로드를 상기 기판으로부터 분리시키고 상기 나노 로드의 길이 방향으로 정렬시키는 공정은, 상기 기판과 평행하도록 상기 복수의 나노 로드 상부에 평판을 배치하는 공정; 및 상기 평판에 압력을 가하여 상기 복수의 나노 로드를 상기 기판으로부터 분리시키고 길이 방향으로 정렬시키는 공정을 포함하는, 나노 구조체의 제조 방법
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
길이 방향으로 접합된 복수의 나노 로드를 포함하고, 상기 복수의 나노 로드의 접합 부분은 만입부 (indent) 를 형성하는, 나노 구조체
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
제 7 항에 있어서, 상기 만입부의 두께는 3 nm 이하인, 나노 구조체
11 11
복수의 전극이 형성되어 있는 기판; 및 상기 복수의 전극을 연결하는 나노 구조체를 포함하고, 상기 나노 구조체는 복수의 만입부 (indent) 를 포함하는, 센서
12 12
삭제
13 13
제 11 항에 있어서, 상기 나노 구조체는, 길이 방향으로 접합된 복수의 나노 로드를 포함하고, 상기 만입부는 상기 복수의 나노 로드의 접합 부분에 형성되는, 센서
14 14
삭제
15 15
제 11 항에 있어서, 상기 만입부의 두께는 3 nm 이하인, 센서
16 16
기판상에 나노 구조체를 배치하는 공정; 및 상기 나노 구조체의 양 단부에 복수의 전극을 형성하는 공정을 포함하고, 상기 나노 구조체는 복수의 만입부 (indent) 를 포함하는, 센서의 제조 방법
17 17
제 16 항에 있어서, 상기 나노 구조체는, 길이 방향으로 접합된 복수의 나노 로드를 포함하고, 상기 만입부는 상기 복수의 나노 로드의 접합 부분에 형성되는, 센서의 제조 방법
18 18
삭제
19 19
제 16 항에 있어서, 상기 만입부의 두께는 3 nm 이하인, 센서의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.