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백금(Pt) 나노입자가 분산된 전도성 고분자 나노와이어가 표면에 형성되어 있으며, 상기 나노와이어에 효소가 고정되어 있는 것을 특징으로 하는 글루코오스 바이오센서용 다이아몬드 전극
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제1항에 있어서,
상기 전극은 보론이 도핑되어 있는 것을 특징으로 하는 글루코오스 바이오센서용 다이아몬드 전극
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제1항에 있어서,
상기 전도성 고분자는 폴리아세틸렌, 폴리아닐린, 폴리피롤, 폴리티오펜, 폴리설퍼나이트라이드로 구성된 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 글루코오스 바이오센서용 다이아몬드 전극
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제3항에 있어서,
상기 전도성 고분자는 폴리아닐린인 것을 특징으로 하는 글루코오스 바이오센서용 다이아몬드 전극
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제1항에 있어서,
상기 효소는 글루코오스 옥시다아제인 것을 특징으로 하는 글루코오스 바이오센서용 다이아몬드 전극
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삭제
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제1항에 있어서,
상기 백금(Pt) 나노입자의 크기는 30 - 50 nm 범위인 것을 특징으로 하는 글루코오스 바이오센서용 다이아몬드 전극
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8
실리콘 기재 표면에 보론 도핑된 나노다이아몬드 박막을 형성하는 단계;
상기 나노다이아몬드 박막 상에 전도성 고분자의 나노와이어를 형성하는 단계;
상기 전도성 고분자의 나노와이어에 백금(Pt) 나노 입자를 분산시키는 단계: 및
상기 나노와이어와 효소를 결합시켜 고정하는 단계를 포함하는 글루코오스 바이오센서용 다이아몬드 전극의 제조 방법
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제8항에 있어서,
상기 보론 도핑된 다이아몬드 박막을 형성하는 단계는
a) 나노다이아몬드 입자 표면의 정전하와 반대되는 극성을 갖는 음이온성 고분자로 코팅하는 단계;
b) 실리콘 기판을 상기 입자에 코팅된 고분자와 반대되는 극성을 갖는 양이온성 고분자로 표면처리하는 단계;
c) 상기 음이온성 고분자로 코팅된 나노입자가 분산된 용액에 상기 양이온성 고분자로 표면처리된 기판을 침지시키는 단계; 및
d) 상기 기판에 화학기상증착법을 이용하여 보론 도핑된 다이아몬드 박막을 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 글루코오스 바이오센서용 다이아몬드 전극의 제조 방법
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제9항에 있어서,
상기 a) 단계의 음이온성 고분자는 폴리소듐 4-스타이렌설포네이트인 것을 특징으로 하는 글루코오스 바이오센서용 다이아몬드 전극의 제조 방법
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제9항에 있어서,
상기 b) 단계의 양이온성 고분자는 폴리디알릴디메틸 암모늄 클로라이드인 것을 특징으로 하는 글루코오스 바이오센서용 다이아몬드 전극의 제조 방법
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기준 전극, 상대 전극 및 작업 전극을 포함하는 글루코오스 바이오센서에 있어서, 상기 작업 전극은 백금(Pt) 나노입자가 분산된 전도성 고분자 나노와이어가 표면에 형성되어 있으며, 효소가 고정되어 있는 보론-도핑된 다이아몬드 전극인 것을 특징으로 하는 글루코오스 바이오센서
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제12항에 있어서,
상기 기준 전극은 Ag/AgCl 전극인 것을 특징으로 하는 글루코오스 바이오센서
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제12항에 있어서,
상기 상대 전극은 백금 전극인 것을 특징으로 하는 글루코오스 바이오센서
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