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서로 다른 종류의 식각가능한 제1박막 및 제2박막이 순차적으로 적층된 기판을 준비하는 단계;상기 기판의 제2박막 상면에 포토레지스트 패턴층을 형성하는 단계;상기 제2박막을 선택적으로 식각하여 상기 기판에 형성된 포토레지스트 패턴에 따라 제2박막 패턴층을 형성하는 단계;상기 포토레지스트 패턴층 및 제2박막 패턴층의 측면에 금속 촉매를 증착시키는 단계;상기 금속 촉매가 패턴층의 측면에 증착된 기판의 제1박막을 선택적으로 식각하여 상기 패턴층에 따라 제1박막 패턴층을 형성하는 단계; 및 상기 포토레지스트, 제2박막 및 제1박막으로 이루어지는 패턴층으로부터 포토레지스트를 선택적으로 제거하여 패턴상에 남아있는 포토레지스트를 제거하는 단계를 포함하는 나노선 수평 성장을 위한 금속촉매의 측면 증착방법
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제1항에 있어서, 상기 포토레지스트 패턴층은 포토레지스트 조성물을 제2박막의 상부에 도포한 포토레지스트층 위에 소정의 패턴을 갖는 마스크를 덮어준 후 자외선을 조사하고 현상함으로써 형성하는 것을 특징으로 하는 나노선 수평 성장을 위한 금속촉매의 측면 증착방법
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제1항에 있어서, 상기 포토레지스트 패턴층 및 제2박막 패턴층의 측면에 금속 촉매를 증착시키는 단계는 상기 기판을 기울여 포토레지스트 및 제2박막으로 이루어지는 패턴층의 측면이 상부를 향하도록 한 상태에서 금속 증착기에 넣고 금속촉매를 증착시키는 것을 특징으로 하는 나노선 수평 성장을 위한 금속촉매의 측면 증착방법
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제3항에 있어서, 상기 기판을 기울이는 각도는 85~90°의 범위임을 특징으로 하는 나노선 수평 성장을 위한 금속촉매의 측면 증착방법
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제1항에 있어서, 상기 서로 다른 종류의 제거가능한 제1박막 및 제2박막이 순차적으로 적층된 기판은 실리콘-실리콘 옥사이드-실리콘 기판임을 특징으로 하는 나노선 수평 성장을 위한 금속촉매의 측면 증착방법
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제5항에 있어서, 상기 기판의 실리콘으로 이루어진 제2박막의 선택적 식각은 반응성 이온 식각(Reactive Ion Etching)법으로 수행하는 것을 특징으로 하는 나노선 수평 성장을 위한 금속촉매의 측면 증착방법
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제5항에 있어서, 상기 기판의 실리콘 옥사이드로 이루어진 제1박막의 선택적 식각은 HF 용액을 이용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 나노선 수평 성장을 위한 금속촉매의 측면 증착방법
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제7항에 있어서, 상기 HF 용액의 농도는 10~80% 임을 특징으로 하는 나노선 수평 성장을 위한 금속촉매의 측면 증착방법
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제1항에 있어서, 상기 포토레지스트의 제거는 아세톤을 이용하는 것을 특징으로 하는 나노선 수평 성장을 위한 금속촉매의 측면 증착방법
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제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 방법으로 패턴층의 측면에 금속촉매가 증착된 기판을 제조하는 단계; 및상기 패턴층의 측면에 증착된 금속촉매로부터 나노선을 성장시키는 단계를 포함하는 수평성장된 나노선의 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 성장되는 나노선은 SnO2로 이루어지는 것을 특징으로 하는 수평성장된 나노선의 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 나노선의 성장은 CVD(Chemical Vapor Deposition)법을 이용하는 것을 특징으로 하는 수평성장된 나노선의 제조방법
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제10항에 따라 제조된 수평성장된 나노선을 포함하는 기판을 구비하는 전자 소자
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