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화학기상증착법으로 전도성 기판상에 수직 정렬된 탄소나노튜브를 직접 성장시키는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 제조 방법으로서, 탄소 종이 또는 탄탈륨 기판상에 알루미늄과 철의 이중 촉매층을 증착하는 단계;상기 기판에 아르곤과 수소를 흘려주면서 온도를 600 ~ 1000℃까지 올리는 단계;수증기와 함께 탄소를 공급함으로써 상기 전도성 기판상에 수직 정렬된 탄소나노튜브를 직접 성장시키는 단계; 및상기 성장된 탄소나노튜브를 0
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제1항에 있어서, 상기 탄소 종이의 두께는 100 ~ 350 um이고, 면저항은 10-3 ~ 10-4 Ω·cm인 것을 특징으로 하는 수퍼캐패시터용 탄소나노튜브의 제조 방법
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제1항에 있어서, 생성된 탄소나노튜브의 60 ~ 80%가 이중벽 탄소나노튜브인 것을 특징으로 하는 수퍼캐패시터용 탄소나노튜브의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 전도성 기판이 탄탈륨 기판인 경우 촉매 증착 단계 전에 초음파 세척 전처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수퍼캐패시터용 탄소나노튜브의 제조 방법
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제1항에 있어서, 탄소나노튜브가 탄소 종이의 양면에서 동시에 성장되는 것을 특징으로 하는 수퍼캐패시터용 탄소나노튜브의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 아르곤의 유속은 50 ~ 200 sccm, 수소의 유속은 50 ~ 250 sccm인 것을 특징으로 하는 수퍼캐패시터용 탄소나노튜브의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 수증기의 유속은 0
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제1항에 있어서, 상기 탄소 공급원은 에틸렌 가스인 것을 특징으로 하는 수퍼캐패시터용 탄소나노튜브의 제조 방법
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전도성 기판상에서 직접 성장되어 수직 정렬된 수퍼캐패시터 특성이 우수한 탄소나노튜브로서, 수용액에서 질량당 정전 용량이 40 ~ 60 F/g 이고, 전기화학적 산화 처리시에는 수용액에서 질량당 정전 용량이 150 ~ 250 F/g 인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브
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제10항에 있어서, 상기 전도성 기판이 탄소 종이인 경우, 직접 성장된 고밀도 탄소나노튜브는 마이크로 패턴이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브
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제10항에 있어서, 유기용액에서 질량당 정전 용량은 60 ~ 80 F/g이고, 전기화학적 산화 처리시 에는 유기용액에서 질량당 정전 용량이 150 ~ 250 F/g인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브
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제10항에 있어서,수용액에서 질량당 에너지 밀도는 1 ~ 10 Wh/kg 이고, 전기화학적 산화 처리시에는 수용액에서 질량당 에너지 밀도가 10 ~ 50 Wh/kg인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브
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제10항에 있어서,유기용액에서 질량당 에너지 밀도는 20 ~ 60 Wh/kg 이고, 전기화학적 산화 처리시 유기용액에서 질량당 에너지 밀도는 50 ~ 100 Wh/kg인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브
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제10항에 있어서,수용액에서 질량당 파워 밀도는 20 ~ 60 kW/kg 이고, 전기화학적 산화 처리시 수용액에서 질량당 파워 밀도는 20 ~ 40 kW/kg인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브
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제10항에 있어서, 유기용액에서 질량당 파워 밀도는 20 ~ 40 kW/kg인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브
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제10항에 있어서, 수용액에서 총 저항은 2 ~ 5 Ω이고, 유기용액에서 총 저항은 3 ~ 50 Ω인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브
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제10항에 있어서, 상기 전도성 기판상에서 수직 성장된 탄소나노튜브의 평균 직경은 4 ~ 10 nm인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브
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제10항에 있어서, 상기 전도성 기판상에서 수직 성장된 탄소나노튜브의 G-밴드와 D-밴드의 비(G/D ratio)는 1 ~ 6인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브
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제10항에 있어서, 상기 전도성 기판상에서 수직 성장된 탄소나노튜브의 순환 전압-전류 그래프의 형태는 직사각형인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브
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전도성 기판상에서 직접 성장되어 수직 정렬된 고밀도 탄소나노튜브 전극을 포함하는 수퍼캐패시터
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