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나노 패턴 라이터

  • 기술번호 : KST2015132281
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 나노 패턴 라이터를 제조하는 방법은 제1 층 상에 하나 이상의 그루브(groove)를 형성하는 단계, 제1 층 상에 물질을 증착하여, 제1 층 상에 막을 형성하는 단계, 제1 층 상의 막을 연마(polish)하여, 제1 층 상의 하나 이상의 그루브를 채우는 패턴화된 막(patterned film)을 형성하는 단계, 패턴화된 막 상에 제2 층을 배치하여, 패턴화된 막을 제1 층과 제2 층 사이에 개재시키는 계층화된 구조물(layered structure)을 형성하는 단계, 및 제1 층 및 제2 층의 일부를 제거하여 패턴화된 막의 일부분을 노출시키는 단계를 포함한다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 1/00 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020117018195 (2011.08.03)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1312001-0000 (2013.09.17)
공개번호/일자 10-2011-0121613 (2011.11.07) 문서열기
공고번호/일자 (20130927) 문서열기
국제출원번호/일자 PCT/KR2010/005757 (2010.08.27)
국제공개번호/일자 WO2011025287 (2011.03.03)
우선권정보 미국  |   12/548,959   |   2009.08.27
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국제출원
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.08.04)
심사청구항수 22

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이 광렬 대한민국 경기도 남양주시 퇴

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김태홍 대한민국 서울특별시 서대문구 충정로 ** (충정로*가, 풍산빌딩) **층(리인터내셔널 특허법률사무소)
2 신정건 대한민국 부산광역시 연제구 법원로**, ,****호 (거제동, 정림빌딩)(특허법인 티앤아이(부산분사무소))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허법 제203조에 따른 서면
[Patent Application] Document according to the Article 203 of Patent Act		 2011.08.03 수리 (Accepted) 1-1-2011-0601643-95
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2011.08.04 수리 (Accepted) 1-1-2011-0604247-32
3 보정요구서
Request for Amendment		 2011.08.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0074881-19
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.08.23 수리 (Accepted) 1-1-2011-0653210-92
5 수수료 사후 감면 신청서
Request for Follow-up Reduction of Official Fee		 2011.08.31 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2011-0681904-60
6 수수료 사후 감면 신청서
Request for Follow-up Reduction of Official Fee		 2011.08.31 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2011-0681902-79
7 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document		 2011.10.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0092168-06
8 수수료 사후 감면 신청서
Request for Follow-up Reduction of Official Fee		 2011.10.21 수리 (Accepted) 1-1-2011-0827410-08
9 수수료 사후 감면 신청서
Request for Follow-up Reduction of Official Fee		 2011.10.21 수리 (Accepted) 1-1-2011-0827412-99
10 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document		 2011.10.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0098457-25
11 수수료 사후 감면안내서
Notification of Follow-up Reduction of Official Fee		 2011.10.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0099320-58
12 수수료 사후 감면안내서
Notification of Follow-up Reduction of Official Fee		 2011.11.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0100977-59
13 서류반려통지서
Notice for Return of Document		 2011.11.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0105607-43
14 서류반려통지서
Notice for Return of Document		 2011.12.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0115360-40
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.07.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0549606-30
16 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.12.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0802192-90
17 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.02.25 수리 (Accepted) 1-1-2013-0166059-72
18 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.02.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0166067-37
19 등록결정서
Decision to grant		 2013.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0527769-39
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
나노 패턴 라이터를 제조하는 방법으로서,제1 층 상에 하나 이상의 그루브(groove)를 형성하는 단계,상기 제1 층 상에 물질을 증착하여, 상기 제1 층 상에 막을 형성하는 단계,상기 제1 층 상의 상기 막을 연마(polish)하여, 상기 제1 층 상의 상기 하나 이상의 그루브를 채우는 패턴화된 막(patterned film)을 형성하는 단계,상기 패턴화된 막 상에 제2 층을 배치하여, 상기 패턴화된 막을 상기 제1 층과 상기 제2 층 사이에 개재시키는 계층화된 구조물(layered structure)을 형성하는 단계, 및상기 제1 층 및 상기 제2 층의 일부를 제거하여, 상기 패턴화된 막의 일부분을 노출시키는 단계를 포함하는 나노 패턴 라이터를 제조하는 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 계층화된 구조물을 제1 단편 및 제2 단편으로 절단하는 단계, 및상기 제1 단편의 일부를 제거하여, 상기 제1 단편에서의 상기 패턴화된 막의 일부분을 노출시키는 단계를 추가로 포함하는 나노 패턴 라이터를 제조하는 방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 제1 단편을 상기 제2 단편에 부착하여, 상기 제1 단편에서의 상기 패턴화된 막 및 상기 제2 단편에서의 상기 패턴화된 막이 서로 평행하도록 하는 단계, 및상기 제1 단편 및 상기 제2 단편의 일부를 제거하여, 상기 패턴화된 막의 일부분을 노출시키는 단계를 추가로 포함하는 나노 패턴 라이터를 제조하는 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 물질이 모스 경도계(Mohs scale)에서 7보다 크거나 같은 경도를 가지는 것인, 나노 패턴 라이터를 제조하는 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 막이 석영, 텅스텐, 텅스텐 카바이드, 탄탈륨 카바이드, 다이어몬드 또는 티타늄 합금 중 적어도 하나를 포함하는 것인, 나노 패턴 라이터를 제조하는 방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 하나 이상의 그루브가 5 nm 내지 30 nm의 범위에 있는 깊이, 및 10 nm 내지 50 nm의 범위에 있는 폭을 가지는 것인, 나노 패턴 라이터를 제조하는 방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 하나 이상의 그루브가 삼각형-형상의 단면을 가지는 것인, 나노 패턴 라이터를 제조하는 방법
8 8
제2항에 있어서, 상기 계층화된 구조물을 절단하는 단계는 상기 하나 이상의 그루브가 뻗어 있는(extend) 방향에 수직인 방향으로 상기 계층화된 구조물을 절단하는 단계를 포함하는 것인, 나노 패턴 라이터를 제조하는 방법
9 9
제1항에 있어서, 상기 하나 이상의 그루브의 2개의 인접한 그루브 간의 중심간 간격이 5 nm 내지 30 nm의 범위에 있는 것인, 나노 패턴 라이터를 제조하는 방법
10 10
제1항에 있어서, 상기 제1 층 상의 상기 하나 이상의 그루브 각각이 직선 패턴을 가지도록 평행하게 뻗어 있는 것인, 나노 패턴 라이터를 제조하는 방법
11 11
제1항에 있어서, 상기 제2 층 상에 하나 이상의 부가 그루브를 형성하는 단계,상기 제2 층 상에 부가 막을 증착하는 단계,상기 제2 층 상의 상기 부가 막을 연마하여, 상기 부가 막을 패턴화하여 상기 제2 층 상에 부가의 패턴화된 막을 형성하는 단계,상기 부가의 패턴화된 막 상에 제3 층을 배치하여, 상기 부가의 패턴화된 막을 상기 제2 층과 상기 제3 층 사이에 개재시키는 계층화된 구조물을 형성하는 단계, 및상기 제3 층의 일부를 제거하여 상기 부가의 패턴화된 막의 일부분을 노출시키는 단계를 추가로 포함하는 나노 패턴 라이터를 제조하는 방법
12 12
제11항에 있어서, 상기 제2 층 상의 상기 하나 이상의 부가 그루브가 직선 패턴을 가지도록 평행하게 뻗어 있는 것인, 나노 패턴 라이터를 제조하는 방법
13 13
제11항에 있어서, 상기 제2 층 상의 상기 하나 이상의 부가 그루브가 상기 제1 층 상의 상기 하나 이상의 그루브의 패턴과 동일한 패턴을 가지는 것인, 나노 패턴 라이터를 제조하는 방법
14 14
나노 패턴을 형성하는 방법으로서,나노 니들의 어레이를 가지는 나노 패턴 라이터를 플레이트 상에 위치시키는 단계, 및상기 플레이트 상에서 상기 나노 패턴 라이터를 이동시켜, 상기 나노 니들의 어레이가 상기 플레이트의 표면을 스크래치하도록 하는 단계를 포함하는 나노 패턴을 형성하는 방법
15 15
제14항에 있어서, 상기 나노 패턴 라이터를 이동시키는 단계는 상기 플레이트가 뻗어 있는 방향으로 상기 나노 패턴 라이터를 이동시키는 단계를 포함하는 것인, 나노 패턴을 형성하는 방법
16 16
제14항에 있어서, 상기 나노 패턴 라이터를 이동시키는 단계는 상기 플레이트가 뻗어 있는 방향으로부터 소정의 각도를 갖는 방향으로 상기 나노 패턴 라이터를 이동시키는 단계를 포함하는 것인, 나노 패턴을 형성하는 방법
17 17
제14항에 있어서, 상기 나노 니들의 어레이의 2개의 인접한 니들 간의 중심간 간격이 5 nm 내지 30 nm의 범위에 있는 것인, 나노 패턴을 형성하는 방법
18 18
나노 패턴 라이터로서,그루브를 포함하는 제1 층,상기 그루브에 위치하는 나노 니들의 어레이, 및상기 제1 층 및 상기 나노 니들의 어레이를 덮고 있는 제2 층을 포함하는 나노 패턴 라이터
19 19
제18항에 있어서, 상기 나노 니들의 어레이가 모스 경도계에서 7보다 크거나 같은 경도를 가지는 것인, 나노 패턴 라이터
20 20
제18항에 있어서, 상기 나노 니들의 어레이가 석영, 텅스텐, 텅스텐 카바이드, 탄탈륨 카바이드, 다이어몬드 또는 티타늄 합금 중 적어도 하나를 포함하는 것인, 나노 패턴 라이터
21 21
제18항에 있어서, 상기 나노 니들의 어레이가 하나의 열의 나노 니들을 가지는 직선 패턴을 가지는 것인, 나노 패턴 라이터
22 22
제18항에 있어서, 상기 나노 니들의 어레이가 2개 이상의 열의 나노 니들을 가지는 직사각형 패턴을 가지는 것인, 나노 패턴 라이터
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7 US8062568 US 미국 DOCDBFAMILY
8 US8920696 US 미국 DOCDBFAMILY
9 WO2011025287 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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