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알루미늄 나노와이어를 이용한 초전도체 센서의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015132287
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 알루미늄 나노와이어를 이용한 초전도체 센서의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 상향식 방법으로 제작된 알루미늄 전극위에 알루미늄 나노와이어 용액을 도포하고 두 알루미늄 전극사이에 교류 신호를 인가하여 전기장을 형성하여 알루미늄 나노와이어를 포획하여 초전도체 센서로 동작시킴으로써 온도와 자기장 변화를 측정할 수 있는 알루미늄 나노와이어를 이용한 초전도체 센서의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 알루미늄 나노와이어를 이용한 초전도체 센서의 제조방법에 의하면 유전영동 방식으로 포획한 알루미늄 나노와이어를 초전도체 센서로 사용함으로써 극저온에서 초전도체 센서로 작동하고, 작은 자기장에서도 저항의 변화가 크기 때문에 저자장 환경에서 시료를 측정할 때 정확한 자기장 값을 측정할 수 있는 장점이 있다. 알루미늄 나노와이어, 초전도체, 유전영동
Int. CL B82B 3/00 (2006.01)
CPC G01K 13/006(2013.01) G01K 13/006(2013.01) G01K 13/006(2013.01)
출원번호/일자 1020090060942 (2009.07.06)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1027975-0000 (2011.04.01)
공개번호/일자 10-2011-0003614 (2011.01.13) 문서열기
공고번호/일자 (20110413) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.07.06)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍병학 대한민국 서울 성북구
2 황성우 대한민국 서울특별시 강남구
3 강명길 대한민국 서울특별시 성북구
4 안재현 대한민국 서울특별시 서초구
5 황동훈 대한민국 대구광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이철희 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로***길 *, ***호 가디언국제특허법률사무소 (삼성동, 우경빌딩)
2 고윤호 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로***길 *, ***호 가디언국제특허법률사무소 (삼성동, 우경빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.07.06 수리 (Accepted) 1-1-2009-0408971-79
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
3 등록결정서
Decision to grant		 2011.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0171229-22
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
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번호 청구항
1 1
초전도체 센서의 제조방법에 있어서, 반도체 기판 상에 금속전극을 형성하는 금속전극 형성단계; 상기 금속전극 위에 알루미늄 나노와이어 용액을 도포하는 알루미늄 나노와이어 용액 도포단계; 및 상기 금속전극 사이에 교류신호를 인가하여 상기 알루미늄 나노와이어를 포획하는 단계;를 구비하는 것을 특징으로 하는 알루미늄 나노와이어를 이용한 초전도체 센서의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 금속전극 형성단계는 알루미늄 전극을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 알루미늄 나노와이어를 이용한 초전도체 센서의 제조방법
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 알루미늄 나노와이어는 단결정으로 성장시킨 것을 특징으로 하는 알루미늄 나노와이어를 이용한 초전도체 센서의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.