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1
일면에 전극이 형성되어 있는 나노다공성 템플레이트를 준비하는 단계;
상기 나노다공성 템플레이트의 기공 내부에 π-공액 발광 고분자 원료 조성물을 주입하여 π-공액 발광 고분자 구조체를 형성하는 단계;
상기 π-공액 발광 고분자 구조체에 미리 제어된 전자빔을 조사하는 단계; 및
상기 나노다공성 템플레이트를 제거하여 나노구조체를 수득하는 단계를 포함하고,
상기 미리 제어된 전자빔은, 상기 전자빔의 조사 조건 및 상기 나노구조체의 물리적 특성과의 상관 관계에 대한 분석 결과가 반영된 것인
나노구조체 제조 방법
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제1항에 있어서,
상기 전자빔을 조사하기 전에 상기 나노다공성 템플레이트의 일부를 미리 제거하는 단계
를 더 포함하는 나노구조체 제조 방법
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제1항에 있어서,
상기 전극은 금, 은, 백금, 구리, 니켈, 스테인레스 스틸 및 산화인듐주석(ITO)으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노구조체 제조 방법
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4 |
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제1항에 있어서,
상기 나노다공성 템플레이트는 양극산화 알루미늄 또는 폴리카보네이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노구조체 제조 방법
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5 |
5
제1항에 있어서,
상기 π-공액 발광 고분자 구조체는 폴리티오펜, 폴리(p-페닐렌비닐렌), 폴리티오펜비닐렌, 폴리(p-페닐렌), 폴리(p-페닐아세틸렌) 및 이들의 유도체로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 1종의 고분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노구조체 제조 방법
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6 |
6
제1항에 있어서,
상기 π-공액 발광 고분자 구조체는 테트라부틸암모늄 헥사플루오로포스페이트(TBAPF6), 1-부틸-3-메틸이미다졸리움 헥사플루오로포스페이트(BMIMPF6), p-도데실벤젠설폰산(DBSA), 테트라부틸암모늄 테트라플루오로보레이트(TBABF4) 및 테트라부틸암모늄 트리플루오로메탄설포네이트(TBACF3SO3)로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 1종의 도펀트에 의해 도핑된 것을 특징으로 하는 나노구조체 제조 방법
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7
제1항에 있어서,
상기 π-공액 발광 고분자 구조체는 전기화학 중합법, 화학적 중합법 및 자기조립법으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 방법으로 합성되는 것을 특징으로 하는 나노구조체 제조 방법
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8
제1항에 있어서,
상기 전자빔은 초점이 맺히지 않은 전자빔인 것을 특징으로 하는 나노구조체 제조 방법
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제1항에 있어서,
상기 전자빔의 에너지는 100 keV 내지 3 MeV이고, 상기 전자빔의 선량은 1
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제1항에 있어서,
상기 나노구조체는 나노튜브, 나노선 및 나노입자로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나의 구조체인 것을 특징으로 하는 나노구조체 제조 방법
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11
일면에 전극이 형성되어 있는 나노다공성 템플레이트를 준비하는 단계;
상기 나노다공성 템플레이트의 기공 내부에 π-공액 발광 고분자 원료 조성물을 주입하여 π-공액 발광 고분자 구조체를 형성하는 단계;
상기 π-공액 발광 고분자 구조체에 전자빔을 조사하는 단계;
상기 나노다공성 템플레이트를 제거하여 상기 전자빔의 조사에 의해 상기 π-공액 발광 고분자 구조체가 개질됨으로써 형성된 나노구조체를 수득하는 단계;
상기 나노구조체의 물리적 특성을 측정하는 단계; 및
상기 전자빔의 조사 조건 및 상기 나노구조체의 물리적 특성의 상관 관계를 분석하는 단계
를 포함하는 나노구조체 제조용 전자빔의 제어 방법
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제11항에 있어서,
상기 나노구조체의 물리적 특성을 측정하는 단계시, 상기 나노구조체의 이미지 사진 측정, 라만 스펙트럼 측정, 자외선-가시광 흡수 스펙트럼 측정 및 광발광 스펙트럼 측정으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 측정을 수행하는 것을 특징으로 하는 나노구조체 제조용 전자빔의 제어 방법
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제11항에 있어서,
상기 전자빔의 조사 조건은 상기 전자빔의 에너지, 선량 및 조사 시간을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노구조체 제조용 전자빔의 제어 방법
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