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PDMS(Polydimethyl siloxane), h-PDMS 및 PVA(Polyvinyl acetate)로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 수지에 나노패턴이 형성된 수지 몰드를 준비하는 단계;상기 수지 몰드 상에 SOG(Spin-on glass)층을 코팅하는 단계; 및상기 SOG 층이 형성된 수지 몰드를 기판 상면과 SOG 형성면이 만나도록 적층하고, 1~10 기압의 압력으로 상온~50℃에서 1~10분간 가압하여 SOG층을 기판(substrate)에 전사하는 단계; 및상기 수지 몰드를 제거하는 단계;를 포함하는 SOG를 이용하여 기판에 나노패턴을 형성하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 몰드 상에 SOG(Spin-on glass)층을 코팅하는 단계는 SOG를 5~25중량%로 포함하고, 메틸 이소부틸 케톤(Methyl isobutyl ketone), 톨루엔(toluene), n-헥산 (n-hexane), N,N-디메틸포름아미드(N,N-Dimethylformamide), 아세톤(acetone) 및 에탄올(ethanol)로 이루어진 군에서 선택되는 것을 용매로 하는 액상의 SOG를 500~7000rpm으로 10~30초간 스핀코팅함으로써 도포하고 50~1000nm의 두께로 막을 형성하는 것을 특징으로 하는 SOG를 이용하여 기판에 나노패턴을 형성하는 방법
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제2항에 있어서, 상기 액상의 SOG는 실리케이트(silicate), 실록산(siloxane), 메틸 실세퀴옥산 (methyl silsequioxane(MSQ)), 하이드로겐 실세퀴옥산(hydrogen silsequioxane(HSQ)), 퍼하이드로폴리실라잔(perhydropolysilazane ((SiH2NH)n)), 폴리실라잔(polysilazane) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 것을 용질로 하는 SOG를 이용하여 기판에 나노패턴을 형성하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 기판은 석영, 유리, 실리콘, 사파이어 및 금속 박막으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 SOG를 이용하여 기판에 나노패턴을 형성하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 수지 몰드를 제거한 후, 기판에 형성된 SOG 나노패턴에 자기조립단분자막(SAM)을 코팅하는 단계를 더 포함하는 SOG를 이용하여 기판에 나노패턴을 형성하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 수지 몰드를 제거한 후, 기판에 형성된 SOG 나노패턴에 투명 전극재료를 증착하는 단계를 더 포함하는 SOG를 이용하여 기판에 나노패턴을 형성하는 방법
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제8항에 있어서, 상기 투명 전극재료는 ITO, IZO, ZnO, AZO 및 SnO2:F로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 SOG를 이용하여 기판에 나노패턴을 형성하는 방법
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제8항에 있어서, 상기 SOG 나노패턴을 자외선/오존(UV/ozone) 처리하거나 산소 플라즈마(oxygen plasma) 처리하는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 SOG를 이용하여 기판에 나노패턴을 형성하는 방법
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제1항 내지 제3항, 제5항 및 제7항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 나노패턴이 형성된 기판으로 이루어진 나노임프린트용 몰드
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제1항 내지 제3항, 제5항 및 제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 나노패턴이 형성된 기판을 포함하는 광학소자
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