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석영 또는 실리콘 기판 및 상기 기판 위에 비공유 전자쌍을 갖는 기능기를 말단으로 포함하는 고분자 층과 할로겐기를 말단기로 갖는 화합물로 안정화된 초상자성 나노입자 층이 교대로 적층되어 있으며, 상기 고분자 층 및 초상자성 나노입자 층은 서로 인접한 층끼리 친핵성 치환반응에 의해 결합되어 있는 것을 특징으로 하는 초상자성 나노복합체 다층박막 필름
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(A) 석영 또는 실리콘 기판, (B) 상기 기판 위에 존재하고 비공유 전자쌍을 갖는 기능기를 말단으로 포함하는 제1 고분자 층, (C) 상기 제1 고분자 층 위에 존재하고 할로겐기를 말단기로 갖는 화합물로 안정화된 제1 초상자성 나노입자 층을 포함하고, 상기 제1 고분자 층 및 상기 제1 초상자성 나노입자 층은 친핵성 치환반응에 의해 결합되어 있는 것을 특징으로 하는 초상자성 나노복합체 다층박막 필름
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제2항에 있어서, (C) 제1 초상자성 나노입자 층 위에 추가로 (D) 비공유 전자쌍을 갖는 기능기를 말단으로 포함하는 제(n+1) 고분자 층 및 (E) 할로겐기를 말단기로 갖는 화합물로 안정화된 제(n+1) 초상자성 나노입자 층이 교대로 포함되고(상기 n은 1-100의 자연수), 상기 고분자 층과 인접한 초상자성 나노입자 층은 서로 친핵성 치환반응에 의해 결합되어 있는 것을 특징으로 하는 초상자성 나노복합체 다층박막 필름
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제3항에 있어서, 상기 비공유 전자쌍을 포함하는 기능기는 아민기이고, 상기 할로겐기는 브롬기인 것을 특징으로 하는 초상자성 나노복합체 다층박막 필름
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제4항에 있어서, 상기 비공유 전자쌍을 갖는 기능기를 말단으로 포함하는 고분자는 아민 말단기를 포함하는 덴드리머 또는 폴리아릴아민하이드로클로라이드이고; 상기 아민 말단기를 포함하는 덴드리머는 폴리아미도아민 덴드리머이며, 상기 할로겐기를 말단기로 갖는 화합물로 안정화된 초상자성 나노입자는 2-브로모-2-메틸프로피온산으로 안정화된 Fe3O4 나노입자인 것을 특징으로 하는 초상자성 나노복합체 다층박막 필름
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제5항에 있어서, 상기 2-브로모-2-메틸프로피온산으로 안정화된 Fe3O4 나노입자는 초상자성 Fe3O4 나노입자를 공침(coprecipitation)에 의해 형성한 후, 그 표면을 올레산으로 안정화하고 나서, 상기 올레산으로 안정화된 Fe3O4 나노입자에서 올레산을 2-브로모-2-메틸프로피온산으로 치환하여 제조되는 것을 특징으로 하는 초상자성 나노복합체 다층박막 필름
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(a) 할로겐기를 말단기로 갖는 화합물로 안정화된 초상자성 나노입자를 비극성 용매에 용해하여 초상자성 나노입자 분산액을 제조하는 단계,(b) 비공유 전자쌍을 갖는 기능기를 말단으로 포함하는 고분자를 물 이외의 용매에 용해하여 고분자 비수용액을 얻는 단계,(c) 석영 또는 실리콘 기판을 상기 고분자 비수용액에 담지하여 고분자가 코팅된 기판을 얻는 단계,(d) 상기 고분자가 코팅된 기판을 상기 초상자성 나노입자 분산액에 담지하는 단계,(e) 원하는 두께를 얻을 때까지 상기 (c) 단계 및 (d) 단계를 반복하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 초상자성 나노복합체 다층박막 필름의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 (c) 단계 전에 (b-1) 상기 기판을 RCA 용액 등으로 세정하는 단계를 추가로 포함하고, 상기 RCA 용액은 H2O : NH3 : H2O2 = 4-6 : 0
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제8항에 있어서, 상기 (a) 단계에서 사용되는 비극성 용매는 톨루엔이고, 상기 (b) 단계에서 사용되는 물 이외의 용매는 에탄올인 것을 특징으로 하는 초상자성 나노복합체 다층박막 필름의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 (a) 단계는 나노입자를 용매에 용해하고 BMPA를 첨가한 후, 23-32 ℃에서 1-3 일 동안 반응시키는 것에 특징이 있는 초상자성 나노복합체 다층박막 필름의 제조방법
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제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 따른 초상자성 나노복합체 다층박막 필름을 포함하는 것을 특징으로 하는 저항변환성 메모리 소자
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