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나노선 성장용 촉매 패턴 형성 방법, 이를 이용한 나노선 형성 방법 및 그 방법으로 형성된 나노선을 이용한 나노선 소자

  • 기술번호 : KST2015132540
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 랑뮈어-쉐퍼(Langmuir-Schaffer) 방법과 미세접촉 인쇄법을 이용한 나노선 성장용 촉매 패턴 형성 방법 및 이를 이용한 나노선 형성 방법에 대하여 개시한다. 본 발명에 따른 나노선 성장용 촉매 패턴 형성 방법은 (a)랑뮈어-쉐퍼(Langmuir-Schaffer) 방법으로 나노입자 단분자막을 형성하는 단계; (b)표면에 패턴이 형성된 고분자 스탬프를 상기 나노입자 단분자막에 접촉시켜, 상기 고분자 스탬프의 패턴에 나노입자를 흡착시키는 단계; 및 (c)기판에 상기 고분자 스탬프의 패턴 표면에 흡착된 나노입자를 접촉시켜, 상기 나노입자를 상기 기판에 프린팅하는 단계를 포함하여 이루어진다. 이때, 나노입자 단분자막은 (a1)제1용매에 나노입자가 분산된 나노입자 용액을 제조하는 단계; (a2)상기 제1용매와 비혼합성으로 상기 제1용매보다 비중 및 끓는점이 높은 제2용매에 상기 나노입자 용액을 포어링(pouring)하여, 상기 제2용매 상부에 상기 나노입자 용액이 혼합되지 않은 상태로 층을 형성하도록 하는 단계; 및 (a3)상기 제1용매를 제거하여, 상기 제2용매 상부에 상기 나노입자로 이루어진 단분자막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 1/00 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01)
출원번호/일자 1020090017294 (2009.02.27)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1081717-0000 (2011.11.02)
공개번호/일자 10-2010-0098236 (2010.09.06) 문서열기
공고번호/일자 (20111108) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.02.27)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 하정숙 대한민국 서울특별시 노원구
2 신건철 대한민국 경기도 화성시 태안읍
3 김대일 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한) 대아 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, 한양빌딩*층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.02.27 수리 (Accepted) 1-1-2009-0125295-18
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2009.07.14 수리 (Accepted) 1-1-2009-0428703-18
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.09.01 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.10.15 수리 (Accepted) 9-1-2010-0063268-19
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.03.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0124235-16
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2011-0303467-43
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.04.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0303468-99
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2011.08.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0453714-02
11 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2011.09.14 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2011-0033763-37
12 등록결정서
Decision to grant		 2011.10.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0615079-62
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
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번호 청구항
1 1
삭제
2 2
(a)랑뮈어-쉐퍼(Langmuir-Schaffer) 방법으로 나노입자 단분자막을 형성하는 단계; (b)표면에 패턴이 형성된 고분자 스탬프를 상기 나노입자 단분자막에 접촉시켜, 상기 고분자 스탬프의 패턴에 나노입자를 흡착시키는 단계; 및 (c)기판에 상기 고분자 스탬프의 패턴 표면에 흡착된 나노입자를 접촉시켜, 상기 나노입자를 상기 기판에 프린팅하는 단계를 포함하고, 상기 (a)단계는 (a1)제1용매에 나노입자가 분산된 나노입자 분산액(dispersion)을 제조하는 단계; (a2)상기 제1용매와 비혼합성으로 상기 제1용매보다 비중 및 끓는점이 높은 제2용매에 상기 나노입자 분산액을 포어링(pouring)하여, 상기 제2용매 상부에 상기 나노입자 분산액이 혼합되지 않은 상태로 층을 형성하도록 하는 단계; 및 (a3)상기 제1용매를 제거하여, 상기 제2용매 상부에 상기 나노입자로 이루어진 단분자막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노선 성장용 촉매 패턴 형성 방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 제1용매는 클로로포름인 것을 특징으로 하는 나노선 성장용 촉매 패턴 형성 방법
4 4
제2항에 있어서, 상기 제2용매는 증류수인 것을 특징으로 하는 나노선 성장용 촉매 패턴 형성 방법
5 5
제2항에 있어서, 상기 나노입자는 평균입경이 1~10nm인 금 입자인 것을 특징으로 하는 나노선 성장용 촉매 패턴 형성 방법
6 6
제2항에 있어서, 상기 고분자 스탬프는 PDMS(poly dimethyl siloxane) 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 나노선 성장용 촉매 패턴 형성 방법
7 7
삭제
8 8
(a)랑뮈어-쉐퍼(Langmuir-Schaffer) 방법으로 나노입자 단분자막을 형성하는 단계; (b1)표면에 특정 방향으로 패턴이 형성된 고분자 스탬프를 상기 나노입자 단분자막에 접촉시켜, 상기 고분자 스탬프의 패턴에 상기 나노입자를 흡착시키는 단계; (c1)기판에 상기 고분자 스탬프 패턴 표면에 흡착된 나노입자를 접촉시켜, 상기 나노입자를 상기 기판에 1차 프린팅하는 단계; (b2)상기 고분자 스탬프를 상기 나노입자 단분자막에 접촉시켜, 상기 고분자 스탬프의 패턴에 상기 나노입자를 흡착시키는 단계; (c2)상기 기판에 상기 고분자 스탬프 패턴 표면에 흡착된 나노입자를 접촉시켜, 상기 나노입자를 상기 기판에 2차 프린팅하되, 상기 (c1)단계에서의 프린팅 방향과 교차하는 방향으로 프린팅하는 단계; 및 (d)상기 기판에 1차 및 2차 프린팅된 나노입자를 촉매로 하여 나노선을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노선 형성 방법
9 9
(a)랑뮈어-쉐퍼(Langmuir-Schaffer) 방법으로 나노입자 단분자막을 형성하는 단계; (b1)표면에 특정 방향으로 패턴이 형성된 고분자 스탬프를 상기 나노입자 단분자막에 접촉시켜, 상기 고분자 스탬프의 패턴에 상기 나노입자를 흡착시키는 단계; (c1)기판에 상기 고분자 스탬프 패턴 표면에 흡착된 나노입자를 접촉시켜, 상기 나노입자를 상기 기판에 1차 프린팅하는 단계; (d1)상기 기판에 1차 프린팅된 나노입자를 촉매로 하여 제1나노선을 형성하는 단계; (b2)상기 고분자 스탬프를 상기 나노입자 단분자막에 접촉시켜, 상기 고분자 스탬프의 패턴에 상기 나노입자를 흡착시키는 단계; (c2)상기 기판에 상기 고분자 스탬프 패턴 표면에 흡착된 나노입자를 접촉시켜, 상기 나노입자를 상기 기판에 2차 프린팅하되, 상기 (c1)단계에서의 프린팅 방향과 교차하는 방향으로 프린팅하는 단계; 및 (d2)상기 기판에 2차 프린팅된 나노입자를 촉매로 하여 제2나노선을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노선 형성 방법
10 10
제9항에 있어서, 상기 제1나노선과 제2나노선은 서로 다른 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 나노선 형성 방법
11 11
제9항에 있어서, 상기 (c2)단계는 상기 고분자 스탬프의 패턴 표면에 흡착된 나노입자를 제거하고, 상기 고분자 스탬프의 음각 부분에 흡착된 나노입자를 프린팅하는 것을 특징으로 하는 나노선 형성 방법
12 12
제8항 내지 제11항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 (a)단계는 (a1)제1용매에 나노입자가 분산된 나노입자 분산액을 제조하는 단계; (a2)상기 제1용매와 비혼합성으로 상기 제1용매보다 비중 및 끓는점이 높은 제2용매에 상기 나노입자 분산액을 포어링(pouring)하여, 상기 제2용매 상부에 상기 나노입자 분산액이 혼합되지 않은 상태로 층을 형성하도록 하는 단계; 및 (a3)상기 제1용매를 제거하여, 상기 제2용매 상부에 상기 나노입자로 이루어진 단분자막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노선 형성 방법
13 13
제12항에 있어서, 상기 제1용매는 클로로포름인 것을 특징으로 하는 나노선 형성 방법
14 14
제12항에 있어서, 상기 제2용매는 증류수인 것을 특징으로 하는 나노선 형성 방법
15 15
제8항 내지 제11항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 나노입자는 평균입경이 1~10nm인 금 입자인 것을 특징으로 하는 나노선 형성 방법
16 16
제8항 내지 제11항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 고분자 스탬프는 PDMS(poly dimethyl siloxane) 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 나노선 형성 방법
17 17
제8항에 있어서, 상기 (d)단계는 CVD 증착 방법으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노선 형성 방법
18 18
제9항 내지 제11항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 (d1)단계 및 상기 (d2)단계는 CVD 증착 방법으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노선 형성 방법
19 19
삭제
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국과학재단 한국과학재단 국가지정연구실사업(NRL) SiP(System in Package) 소자 응용을 위한 상향식(bottom-up) 다층 패터닝 공정