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전계 방출원 및 이를 적용하는 소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015132981
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 전계 방출원은, 나노 크기의 전자 방출 물질을 포함하는 것으로 제 1 면과 그 반대 면인 제 2 면을 가지는 전자방출 필름 그리고 상기 전자방출 필름의 일단부를 고정하는 것으로 상기 전자방출 필름의 제 1 면과 제 2 면에 각각 대응하는 제 1 블록과 제 2 블록을 포함하는 캐소드; 를 구비한다.
Int. CL H01J 9/02 (2006.01) H01J 1/304 (2006.01) H01J 1/30 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020110068553 (2011.07.11)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1239395-0000 (2013.02.26)
공개번호/일자 10-2013-0007904 (2013.01.21) 문서열기
공고번호/일자 (20130305) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.07.11)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이철진 대한민국 서울특별시 강북구
2 신동훈 대한민국 서울특별시 마포구
3 신지홍 대한민국 서울특별시 은평구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.07.11 수리 (Accepted) 1-1-2011-0530666-91
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0653035-89
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.12.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-1096949-16
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.12.31 수리 (Accepted) 1-1-2012-1096948-60
5 등록결정서
Decision to grant		 2013.02.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0094621-57
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
나노 크기의 전자 방출 물질을 포함하는 것으로 제 1 면과 그 반대 면인 제 2 면을 가지는 전자방출 필름; 그리고상기 전자방출 필름의 일단부를 고정하는 것으로 상기 전자방출 필름의 제 1 면과 제 2 면에 각각 대응하는 제 1 블록과 제 2 블록을 포함하는 캐소드; 를 구비하는 전계 방출원
2 2
제 1 항에 있어서,상기 전계 방출 필름의 양단부에 상기 캐소드가 마련되는 것을 특징으로 하는 전계 방출원
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 제 1 블록과 제 2 블록 중 적어도 어느 하나가 절연물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 전계 방출원
4 4
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 제 1 블록과 제 2 블록 모두 금속성 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 전계 방출원
5 5
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 전자방출 필름의 전자 방출 물질은 별도의 바인더가 없이 분자력에 의해 상호 결합되어 있는 것을 특징으로 하는 전계 방출원
6 6
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 제 1 블록을 지지하는 베이스를 더 구비하며, 상기 전계 방출 필름의 제 1 면은 상기 베이스의 표면에 나란하게 배치된 것을 특징으로 하는 전계 방출원
7 7
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 전자방출물질은 CNT(carbon nano tube), 카본나노플레이트, 나노와이어, 그래핀(graphene) 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 방출원
8 8
제 5 항에 있어서,상기 전자방출물질은 CNT, 카본나노플레이트, 나노와이어, 그래핀 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 방출원
9 9
나노 크기의 전자 방출 물질을 포함하는 것으로 제 1 면과 그 반대 면인 제 2 면을 가지는 전자방출 필름;상기 전자방출 필름의 일단부를 고정하는 것으로, 전자방출 필름의 제 1 면과 제 2 면에 각각 대응하는 제 1 블록과 제 2 블록을 구비하는 캐소드;상기 캐소드를 지지하는 기판; 그리고상기 전자방출 필름에 대향하여 상기 기판 타측에 형성되는 애노드; 를 구비하는 전계 방출 소자
10 10
제 9 항에 있어서,상기 캐소드와 애노드의 사이에 게이트가 더 마련되고,상기 전자방출필름의 단부는 상기 애노드의 일 측면을 대향하도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 전계 방출 소자
11 11
제 10 항에 있어서,상기 게이트는 상기 전자방출필름과 애노드 사이의 전자 진행 경로의 양측에 마련되는 게이트 부재를 구비하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 소자
12 12
제 10 항에 있어서,상기 게이트는 상기 전자방출필름과 애노드 사이의 전자 진행 경로의 하부에 위치하는 표면을 가지는 것을 특징으로 하는 전계 방출 소자
13 13
제 10 항에 있어서,상기 전계 방출 필름의 양단부에 상기 캐소드가 마련되는 것을 특징으로 하는 전계 방출 소자
14 14
제 10 항 내지 제 13 항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 전자방출 필름의 전자 방출 물질은 별도의 바인더가 없이 분자력에 의해 상호 결합되어 있는 것을 특징으로 하는 전계 방출 소자
15 15
제 14 항에 있어서,상기 전자방출물질은 CNT, 카본나노플레이트, 나노와이어, 그래핀 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 소자
16 16
기판의 일 측에 캐소드의 한 요소인 제 1 블록을 형성하는 단계;기판에서 제 1 블록이 형성되지 않은 부분에 상기 제 1 블록과 같은 높이의 표면을 가지는 희생층을 형성하는 단계;상기 제 1 블록과 희생층의 표면에 전자방출물질로 전자방출필름을 형성하는 단계;상기 전자방출필름 위에, 상기 제 1 블록에 대응하는 제 2 블록을 형성하는 단계; 그리고상기 희생층을 제거하여, 상기 전자방출 필름이 상기 기판으로부터 뜬 상태에서, 그 일단부가 상기 제 1 블록과 제 2 블록의 사이에 끼인 상태에서 고정되도록 하는 단계; 를 포함하는 전계 방출 소자의 제조방법
17 17
제 16 항에 있어서,상기 제 1 블록을 형성하는 단계에서, 상기 제 1 블록과 이격된 위치에 제 1 애노드를 동시에 형성하고,상기 희생층을 형성하는 단계에서, 상기 희생층은 상기 제 1 블록과 제 1 애노드의 사이의 영역에 형성하고, 그리고상기 전자방출필름을 형성하는 단계에서, 상기 제 1 블록, 제 1 애노드 및 희생층의 상면에 상기 전자방출필름을 형성하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 소자의 제조방법
18 18
제 17 항에 있어서, 제 2 블록을 형성하는 단계와 상기 희생층을 제거하는 단계의 사이에,상기 전자방출필름을 가공하여 상기 전자방출필름을 상기 제 1 애노드 층으로부터 분리하는 단계; 그리고상기 제 1 애노드 층 위에 상기 제 2 블록에 대응하는 높이의 제 2 애노드 층을 형성하는 단계; 를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 소자의 제조방법
19 19
제 16항 내지 제 17 항 중의 어느 한 항에 있어서,CNT, 카본나노플레이트, 나노와이어, 그래핀 중의 어느 하나를 포함하는 전자방출물질로 상기 전자방출필름을 형성하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 소자의 제조방법
20 20
제 19 항에 있어서,상기 전자방출물질이 분산된 현탁액을 이용하여 상기 전자방출필름을 형성하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 소자의 제조방법
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2 US20140191650 US 미국 FAMILY
3 WO2013009083 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
4 WO2013009083 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2014191650 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9269522 US 미국 DOCDBFAMILY
3 WO2013009083 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
4 WO2013009083 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국연구재단 고려대학교 산학협력단 중견연구자지원_도약연구 플렉서블 투명전도성 CNT-Polymer 박막 기술
2 한국과학재단 고려대학교 산학협력단 세계적 수준의 연구중심 대학육성 플렉서블 나노시스템 기반 기술