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투명 기판 또는 플렉시블 기판을 이용한 투명 또는 플렉서블한 비휘발성 메모리 소자 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015133889
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 (a)투명 기판 또는 플렉서블 기판 상에 투명 게이트 전극을 형성하는 단계; (b)내부에 투명 나노입자로 이루어진 투명 부유 게이트의 전면(全面)을 둘러싸는 투명 게이트 절연층을 상기 투명 게이트 전극 상에 형성하는 단계; (c)상기 투명 게이트 절연층 상에 투명 산화물 채널층을 형성하는 단계; 및 (d)상기 투명 산화물 채널층과 전기적으로 연결시키고, 상기 투명 부유 게이트와 비접촉되도록 투명 소스 전극 및 투명 드레인 전극을 형성하는 단계;를 더 포함하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법을 제공한다.
Int. CL H01L 21/8247 (2006.01) H01L 27/115 (2006.01)
CPC H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01)
출원번호/일자 1020120035775 (2012.04.06)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1268696-0000 (2013.05.22)
공개번호/일자 10-2012-0050946 (2012.05.21) 문서열기
공고번호/일자 (20130529) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자 10-2009-0067518 (2009.07.23)
관련 출원번호 1020090067518
심사청구여부/일자 Y (2012.04.06)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김상식 대한민국 서울 송파구
2 조경아 대한민국 서울 광진구
3 박병준 대한민국 대전 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한) 대아 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, 한양빌딩*층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2012.04.06 수리 (Accepted) 1-1-2012-0274842-26
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0372753-84
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.08.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-0687181-20
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.09.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-0791211-75
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2012-0883851-55
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.11.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-0980979-98
7 지정기간연장관련안내서
Notification for Extension of Designated Period		 2012.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0142366-81
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-1086260-88
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.12.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-1086261-23
10 등록결정서
Decision to grant		 2013.05.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0345273-82
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a)투명 기판 또는 플렉서블 기판 상에 투명 게이트 전극을 형성하는 단계;(b)내부에 투명 나노입자로 이루어지고, 상기 투명 게이트 전극과 균일한 간격을 형성하여 위치되고, 상기 투명 게이트 전극의 상면과 마주보는 면이 서로 동일한 면적을 갖는 투명 부유 게이트의 전면(全面)을 밀착하여 둘러싸는 투명 게이트 절연층을 상기 투명 게이트 전극 상에 형성하는 단계;(c)상기 투명 게이트 절연층 상에 투명 산화물 채널층을 형성하는 단계; 및(d)상기 투명 산화물 채널층과 전기적으로 연결시키고, 상기 투명 부유 게이트와 비접촉되도록 투명 소스 전극 및 투명 드레인 전극을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR1020110010019 KR 대한민국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
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