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탄소나노튜브 후막의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015131264
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 탄소나노튜브 후막의 제조방법이 제공된다.본 발명에 따른 탄소나노튜브 후막의 제조방법은 (a) 탄소나노튜브, 유기바인더, 유기용매 및 무기분말 또는 저융점 금속분말의 충전제를 포함하는 탄소나노튜브 페이스트를 제조하는 단계; (b) 상기 탄소나노튜브 페이스트를 스크린인쇄법 또는 잉크젯 인쇄법을 사용하여 기판의 전극 상에 후막을 형성시키는 단계; (c) 상기 기판을 열처리 장치의 내부에 장착하고 열처리하여 유기용매를 제거하는 단계; 및 (d) 상기 유기용매가 제거된 기판에 대해 공기와 불활성가스를 2:8∼8:2의 부피비로 공급하며, 350∼500℃의 온도에서 소성하는 단계를 포함하며, 본 발명에 따르면 탄소나노튜브의 탈리나 불순물 혼입의 문제점을 발생하지 않으면서 전극구조에 관계없이 탄소나노튜브후막을 제조할 수 있고, 추가의 표면처리공정이 없어도 방출전류밀도는 표면처리를 한 경우와 대등하면서, 균일한 방출특성을 갖는 등 우수한 전계방출효과를 갖는 전계방출형 표시소자를 제작할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 탄소나노튜브후막을 이용한 전계방출형 표시소자는 우수한 전계방출효과를 가진다.
Int. CL B82B 3/00 (2011.01) H01J 1/30 (2011.01)
CPC H01J 9/12(2013.01) H01J 9/12(2013.01) H01J 9/12(2013.01)
출원번호/일자 1020070044748 (2007.05.08)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2007-0108829 (2007.11.13) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020060040880   |   2006.05.08
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.05.08)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 주병권 대한민국 서울특별시 종로구
2 이양두 대한민국 서울특별시 동대문구
3 이현재 대한민국 충북 보은군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 현종철 대한민국 서울특별시 중구 다산로 **, *층 특허법인충현 (신당동, 두지빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.05.08 수리 (Accepted) 1-1-2007-0342625-92
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5034712-96
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.07.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0365170-84
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.09.09 수리 (Accepted) 1-1-2008-0640194-51
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.09.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0640201-94
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.01.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0014539-29
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.03.11 수리 (Accepted) 1-1-2009-0148028-17
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.03.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0148039-19
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2009.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0275307-43
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 탄소나노튜브, 유기바인더, 유기용매 및 무기분말 또는 저융점 금속분말의 충전제를 포함하는 탄소나노튜브 페이스트를 제조하는 단계;(b) 상기 탄소나노튜브 페이스트를 스크린인쇄법 또는 잉크젯 인쇄법을 사용하여 기판의 전극 상에 후막을 형성시키는 단계;(c) 상기 기판을 열처리 장치의 내부에 장착하고 열처리하여 유기용매를 제거하는 단계; 및 (d) 상기 유기용매가 제거된 기판에 대해 공기와 불활성가스를 2:8∼8:2의 부피비로 공급하며, 350∼500℃의 온도에서 소성하는 단계를 포함하는 탄소나노튜브 후막의 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, (a)단계의 유기바인더는 에틸셀룰로오스 또는 아크릴 수지 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나이고, 상기 유기용매는 터피네올 또는 부틸 카르비톨 아세테이트 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나이며, 상기 충전제는 글래스 플릿, 인듐 틴 옥사이드, 이산화인듐, 이산화주석, 산화아연, 은, 납, 아연, 주석 및 마그네슘으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 후막의 제조방법
3 3
제 1항에 있어서, (b)단계의 기판은 유리기판 또는 세라믹기판이고 상기 전극은 인듐 틴 옥사이드, 금, 은, 구리 및 알루미늄으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 후막의 제조방법
4 4
제 1항에 있어서, (c)단계는 100∼150℃의 온도에서 유기 용매를 증발시켜 제거하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 후막의 제조방법
5 5
제 1항에 있어서, (d)단계의 불활성가스는 질소이며, 공기와 불활성가스의 혼합비는 부피기준으로 5:5이고, 소성온도는 400℃이며, 상기 공기 및 질소의 공급은 유량조절기를 이용하여 10∼20LPM으로 공급하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 후막의 제조방법
6 6
제 1항에 있어서, 상기 탄소나노튜브 페이스트는 Pt, Co, Mn, Zn, Ti 및 Ni로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나의 촉매를 0
7 7
제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항의 제조방법에 의해 제조된 탄소나노튜브 후막을 포함하는 전계방출형 표시소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.