맞춤기술찾기

이전대상기술

나노 구조체의 제조 방법 및 이를 이용한 패턴 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015133265
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 나노 구조체 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 일실시예에 따른 나노 구조체 제조 방법은 기판 위에 제1 블록 공중합체를 포함하는 제1 박막을 형성하는 단계, 상기 제1 박막 위에 가이드 패턴을 형성하는 단계, 상기 가이드 패턴 사이에 제2 블록 공중합체를 포함하는 제2 박막을 형성하는 단계 그리고 상기 제2 박막을 경화시키는 단계를 포함하고, 상기 제1 블록 공중합체는 실린더형이고, 상기 제2 블록 공중합체는 판상형(lamella)이다.
Int. CL B82B 3/00 (2017.01.01) G03F 7/26 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020120141737 (2012.12.07)
출원인 삼성디스플레이 주식회사, 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-2017205-0000 (2019.08.27)
공개번호/일자 10-2014-0074427 (2014.06.18) 문서열기
공고번호/일자 (20190903) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.11.21)
심사청구항수 20

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 삼성디스플레이 주식회사 대한민국 경기 용인시 기흥구
2 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 곽은애 대한민국 경기 군포시 용호*로**번길 **, *
2 강민혁 대한민국 서울 서초구
3 이수미 대한민국 경기 화성
4 이준한 대한민국 인천 서구
5 이문규 대한민국 경기 수원시 영통구
6 방준하 대한민국 서울시 성북구
7 정현중 대한민국 서울시 성북구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 팬코리아특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 역삼***빌딩 (역삼동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 삼성디스플레이 주식회사 경기 용인시 기흥구
2 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.12.07 수리 (Accepted) 1-1-2012-1017442-95
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2015-5104722-59
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2017.11.21 수리 (Accepted) 1-1-2017-1159253-31
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.11.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2019.01.10 수리 (Accepted) 9-1-2019-0002227-16
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.01.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5016605-77
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.02.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0111440-52
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.04.15 수리 (Accepted) 1-1-2019-0384748-97
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.04.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0384749-32
12 등록결정서
Decision to grant
2019.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0386973-46
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 위에 제1 블록 공중합체를 포함하는 제1 박막을 형성하는 단계,상기 제1 박막 위에 가이드 패턴을 형성하는 단계,상기 가이드 패턴 사이에 제2 블록 공중합체를 포함하는 제2 박막을 형성하는 단계 그리고상기 제2 박막을 경화시키는 단계를 포함하고,상기 제1 블록 공중합체는 실린더형이고 복수의 제1 실린더 블록을 형성하고, 상기 제2 블록 공중합체는 판상형(lamella)이며,상기 제1 실린더 블록은 상기 기판 표면과 수직한 방향으로 연장되는 나노 구조체의 제조 방법
2 2
제1항에서,상기 제2 박막을 경화시키는 단계 이후에 상기 제2 박막은 제1 희생 블록 및 제2 희생 블록을 포함하는 희생 구조체로 변환되는 나노 구조체의 제조 방법
3 3
제2항에서,상기 가이드 패턴은 포토 레지스트로 형성하는 나노 구조체의 제조 방법
4 4
제3항에서,상기 제1 블록 공중합체는 가교 결합 물질을 포함하는 나노 구조체의 제조 방법
5 5
제4항에서,상기 가교 결합 물질은 케텐(ketene), 아지드(Azide) 또는 벤조사이클로부텐(BCB) 중 하나를 포함하는 나노 구조체의 제조 방법
6 6
제4항에서,상기 제2 블록 공중합체는 PS-b-PMMA(polystyrene-block-polymethylmethacrylate), PS-b-PEO(polystyrene-block-polyethyleneoxide), PS-b-PVP(polystyrene-block-poly-2-vinylpyridine), PS-b-PDMS(polystyrene-block-polydimethylsiloxane), PS-b-PFS(polystyrene-block-polyferrocenyldimethylsilane), 또는 PS-b-PI(polystyrene-block-polyisoprene)인 나노 구조체의 제조 방법
7 7
제4항에서,상기 제1 박막을 자외선 처리 또는 열처리하는 단계를 더 포함하는 나노 구조체의 제조 방법
8 8
제1항에서,상기 기판과 상기 제1 박막 사이에 중간층을 형성하는 단계를 더 포함하는 나노 구조체의 제조 방법
9 9
제1항에서,상기 실린더형의 제1 블록 공중합체는 헥사고널 타입의 단위체를 형성하는 나노 구조체의 제조 방법
10 10
모패턴층이 형성된 기판 위에 제1 블록 공중합체를 포함하는 제1 박막을 형성하는 단계,상기 제1 박막 위에 가이드 패턴을 형성하는 단계,상기 가이드 패턴 사이에 제2 블록 공중합체를 포함하는 제2 박막을 형성하는 단계,상기 제2 박막을 경화시켜 제1 희생 블록 및 제2 희생 블록을 포함하는 희생 구조체를 형성하는 단계,상기 희생 구조체로부터 상기 제1 희생 블록을 제거하는 단계 그리고상기 제2 희생 블록을 마스크로 하여 상기 제1 박막 및 상기 모패턴층을 패터닝하는 단계를 포함하고,상기 제1 블록 공중합체는 실린더형이고 복수의 제1 실린더 블록을 형성하고, 상기 제2 블록 공중합체는 판상형(lamella)이며,상기 제1 실린더 블록은 상기 기판 표면과 수직한 방향으로 연장되는 패턴 형성 방법
11 11
제10항에서,상기 가이드 패턴은 포토 레지스트로 형성하는 패턴 형성 방법
12 12
제11항에서,상기 가이드 패턴은 제1 방향을 따라 길게 뻗은 포토 레지스트 패턴부를 포함하고, 상기 포토 레지스트 패턴부는 상기 제1 방향과 다른 제2 방향으로 반복적으로 배열되도록 형성하는 패턴 형성 방법
13 13
제12항에서,상기 제1 블록 공중합체는 가교 결합 물질을 포함하는 패턴 형성 방법
14 14
제13항에서,상기 가교 결합 물질은 케텐(ketene), 아지드(Azide) 또는 벤조사이클로부텐(BCB) 중 하나를 포함하는 패턴 형성 방법
15 15
제13항에서,상기 제2 블록 공중합체는 PS-b-PMMA(polystyrene-block-polymethylmethacrylate), PS-b-PEO(polystyrene-block-polyethyleneoxide), PS-b-PVP(polystyrene-block-poly-2-vinylpyridine), PS-b-PDMS(polystyrene-block-polydimethylsiloxane), PS-b-PFS(polystyrene-block-polyferrocenyldimethylsilane), 또는 PS-b-PI(polystyrene-block-polyisoprene)인 패턴 형성 방법
16 16
제13항에서,상기 제1 박막을 자외선 처리 또는 열처리하는 단계를 더 포함하는 패턴 형성 방법
17 17
제10항에서,상기 모패턴층과 상기 제1 박막 사이에 중간층을 형성하는 단계를 더 포함하는 패턴 형성 방법
18 18
제10항에서,상기 모패턴층은 선격자 형태로 패터닝되는 패턴 형성 방법
19 19
제18항에서,상기 모패턴층은 반사성 금속을 포함하는 패턴 형성 방법
20 20
제10항에서,상기 실린더형의 제1 블록 공중합체는 헥사고널 타입의 단위체를 형성하는 패턴 형성 방법
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US09074055 US 미국 FAMILY
2 US20140158664 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2014158664 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9074055 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.