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나노구조체, 그 제조 방법 및 나노구조체 제조용 이온빔의 제어 방법

  • 기술번호 : KST2015133701
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 나노구조체, 그 제조 방법, 나노구조체 제조용 이온빔의 제어 방법, 및 나노구조체를 제조하기 위한 π-공액 발광 고분자 구조체의 물리적 특성을 변화시킬 수 있는 방법이 개시된다. 나노구조체 제조 방법은 일면에 전극이 형성되어 있는 나노다공성 템플레이트를 준비하는 단계; 나노다공성 템플레이트의 기공 내부에 π-공액 발광 고분자 원료 조성물을 주입하여 π-공액 발광 고분자 구조체를 형성하는 단계; π-공액 발광 고분자 구조체에 미리 제어된 이온빔을 조사하는 단계; 및 나노다공성 템플레이트를 제거하는 단계를 포함한다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 1/00 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01)
출원번호/일자 1020090011901 (2009.02.13)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1069055-0000 (2011.09.23)
공개번호/일자 10-2010-0092661 (2010.08.23) 문서열기
공고번호/일자 (20110929) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.02.13)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 주진수 대한민국 서울시 중랑구
2 박성규 대한민국 서울시 영등포구
3 홍영기 대한민국 서울시 성북구
4 이용백 대한민국 서울시 종로구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 무한 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(역삼동,화물재단빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.02.13 수리 (Accepted) 1-1-2009-0090570-59
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2009.02.18 수리 (Accepted) 1-1-2009-0100209-72
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.02.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0119251-13
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.01.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0035172-62
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.02.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0126578-50
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.02.22 수리 (Accepted) 1-1-2011-0126580-42
9 등록결정서
Decision to grant		 2011.09.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0496996-01
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
일면에 전극이 형성되어 있는 나노다공성 템플레이트를 준비하는 단계; 상기 나노다공성 템플레이트의 기공 내부에 π-공액 발광 고분자 원료 조성물을 주입하여 π-공액 발광 고분자 구조체를 형성하는 단계; 상기 π-공액 발광 고분자 구조체에 미리 제어된 이온빔을 조사하는 단계; 및 상기 나노다공성 템플레이트를 제거하여 나노구조체를 수득하는 단계를 포함하고, 상기 미리 제어된 이온빔은, 상기 이온빔의 조사 조건 및 상기 나노구조체의 물리적 특성과의 상관 관계에 대한 분석 결과가 반영된 것인 나노구조체 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 이온빔을 조사하기 전에 상기 나노다공성 템플레이트의 일부를 미리 제거하는 단계 를 더 포함하는 나노구조체 제조 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 전극은 금, 은, 백금, 구리, 니켈, 스테인레스 스틸 및 산화인듐주석(ITO)으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노구조체 제조 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 나노다공성 템플레이트는 양극산화 알루미늄 또는 폴리카보네이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노구조체 제조 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 π-공액 발광 고분자 구조체는 폴리티오펜, 폴리(3-메틸티오펜), 폴리(p-페닐렌비닐렌), 폴리티오펜비닐렌, 폴리(p-페닐렌), 폴리(p-페닐아세틸렌) 및 이들의 유도체로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 1종의 고분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노구조체 제조 방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 π-공액 발광 고분자 구조체는 테트라부틸암모늄 헥사플루오로포스페이트(TBAPF6), 1-부틸-3-메틸이미다졸리움 헥사플루오로포스페이트(BMIMPF6), p-도데실벤젠설폰산(DBSA), 테트라부틸암모늄 테트라플루오로보레이트(TBABF4) 및 테트라부틸암모늄 트리플루오로메탄설포네이트(TBACF3SO3)로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 1종의 도펀트에 의해 도핑된 것을 특징으로 하는 나노구조체 제조 방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 π-공액 발광 고분자 구조체는 전기화학 중합법, 화학적 중합법 및 자기조립법으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 방법으로 합성되는 것을 특징으로 하는 나노구조체 제조 방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 이온빔은 염소, 불소, 산소 및 질소 이온으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 1종의 이온을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노구조체 제조 방법
9 9
제1항에 있어서, 상기 이온빔의 에너지는 1 MeV 내지 10 MeV이고, 상기 이온빔의 이온 밀도는 1
10 10
제1항에 있어서, 상기 나노구조체는 나노튜브, 나노선 및 나노입자로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나의 구조체인 것을 특징으로 하는 나노구조체 제조 방법
11 11
일면에 전극이 형성되어 있는 나노다공성 템플레이트를 준비하는 단계; 상기 나노다공성 템플레이트의 기공 내부에 π-공액 발광 고분자 원료 조성물을 주입하여 π-공액 발광 고분자 구조체를 형성하는 단계; 상기 π-공액 발광 고분자 구조체에 이온빔을 조사하는 단계; 상기 나노다공성 템플레이트를 제거하여 상기 이온빔의 조사에 의해 상기 π-공액 발광 고분자 구조체의 물리적 특성이 변화됨으로써 형성된 나노구조체를 수득하는 단계; 상기 나노구조체의 물리적 특성을 측정하는 단계; 및 상기 이온빔의 조사 조건 및 상기 나노구조체의 물리적 특성의 상관 관계를 분석하는 단계 를 포함하는 나노구조체 제조용 이온빔의 제어 방법
12 12
제11항에 있어서, 상기 나노구조체의 물리적 특성을 측정하는 단계시, 상기 나노구조체의 이미지 사진 측정, 라만 스펙트럼 측정, 자외선 흡수 분광 측정, 광발광 스펙트럼 측정, 원자간 결합에너지 측정 및 함유된 원자의 상대적 원소 비율 측정으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 측정을 수행하는 것을 특징으로 하는 나노구조체 제조용 이온빔의 제어 방법
13 13
제11항에 있어서, 상기 이온빔의 조사 조건은 상기 이온빔의 에너지, 이온 밀도 및 조사 시간을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노구조체 제조용 이온빔의 제어 방법
14 14
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15 15
삭제
16 16
삭제
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국과학재단 고려대학교산학합력단 원자력 연구기반 확충사업 고에너지(1keV~1MeV) 이온빔을 이용한 전자재료용 유기 및 무기 나노선 개질특성 연구