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다이아몬드가 증착된 나노선 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015133857
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 다이아몬드가 증착된 나노선 및 이의 제조방법에 관한 것으로 나노 다이아몬드가 정전하에 의한 자기조립 방법을 통해, 길이방향으로 신장된 나노선에 흡착되어 이를 핵으로 하여 다이아몬드를 증착하여 최종적으로 탄소나노튜브 코어-다이아몬드 쉘 형태의 나노선을 제조하여 전극으로 사용함으로써 글루코오스와 같은 생체 성분을 검출하는데 높은 감도를 갖는 다이아몬드가 증착된 나노선 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 1/00 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020110029951 (2011.03.31)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1373575-0000 (2014.03.06)
공개번호/일자 10-2012-0111467 (2012.10.10) 문서열기
공고번호/일자 (20140313) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.03.31)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임대순 대한민국 서울특별시 강남구
2 이승구 대한민국 서울특별시 노원구
3 김종훈 대한민국 서울특별시 동대문구
4 송민정 대한민국 서울특별시 영등포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.03.31 수리 (Accepted) 1-1-2011-0237626-24
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.05.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.06.25 수리 (Accepted) 9-1-2012-0051884-78
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.10.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0614788-81
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.12.17 수리 (Accepted) 1-1-2012-1044654-90
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.01.15 수리 (Accepted) 1-1-2013-0039025-85
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.02.15 수리 (Accepted) 1-1-2013-0137202-36
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.03.15 수리 (Accepted) 1-1-2013-0224248-44
9 지정기간연장관련안내서
Notification for Extension of Designated Period		 2013.03.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0029303-87
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.04.15 수리 (Accepted) 1-1-2013-0325705-00
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.04.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0325735-69
12 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2013.08.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0577412-62
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.09.24 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-0862194-64
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.09.24 수리 (Accepted) 1-1-2013-0862192-73
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
16 등록결정서
Decision to grant		 2014.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0134477-30
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
상변화가 수반되지 않는 나노선의 외주면을 다이아몬드가 감싸도록 형성되는 다이아몬드가 증착된 나노선으로서,상기 나노선은 극성을 갖는 제1 고분자가 코팅된 나노선의 외주면에 상기 제1 고분자와 반대되는 극성을 갖는 제2 고분자가 코팅된 나노 다이아몬드 입자가 증착되고,상기 나노선은 탄소나노와이어, 탄소나노튜브 또는 탄소나노로드 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 다이아몬드가 증착된 나노선
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서, 상기 제1 고분자는 폴리(스티렌 설포네이트), 폴리 S-119, 폴리아닐린, 또는 나피온 중에서 선택되고, 제2 고분자는 폴리(디-메틸디알릴암모늄클로라이드) 또는 폴리(에틸렌이민)이거나,상기 제2 고분자는 폴리(스티렌 설포네이트), 폴리 S-119, 폴리아닐린 또는 나피온 중에서 선택되고, 제1 고분자는 폴리(디-메틸디알릴암모늄클로라이드) 또는 폴리(에틸렌이민)인 것을 특징으로 하는 나노선
5 5
제1항에 있어서, 상기 나노 다이아몬드 입자의 크기는 5-100 nm인 것을 특징으로 하는 다이아몬드가 증착된 나노선
6 6
나노선의 외주면에 나노 다이아몬드가 감싸도록 형성된 나노선에 있어서, 탄소나노튜브층; 상기 탄소나노튜브의 외주면에 코팅된 제1 고분자층; 상기 제1 고분자층의 표면에 위치하는 복수개의 나노다이아몬드 입자층; 상기 복수개의 나노다이아몬드 입자 각각을 감싸는 제2 고분자층을 포함하는 나노선에 있어서, 상기 제1 고분자와 제2 고분자의 극성은 서로 반대인 것을 특징으로 하는 다이아몬드가 증착된 나노선
7 7
(a) 나노선을 합성하는 단계;(b) 나노선의 외주면에 극성이 있는 제1 고분자를 코팅하는 단계;(c) 나노 다이아몬드 입자의 표면을 상기 나노 다이아몬드 입자 표면의 정전하와 반대되는 극성(정전하)을 갖는 제2 고분자로 코팅하는 단계; 및(d) 상기 (c) 단계에서 수득된 나노 다이아몬드 입자가 분산된 용액에 상기 (b) 단계에서 수득된 나노선을 침지시켜 상기 나노 다이아몬드 입자가 정전하에 의한 자기조립 방법을 통해 나노선에 흡착됨으로써 다이아몬드 증착시 증착핵으로 작용하도록 하는 단계를 포함하는 나노 다이아몬드 입자의 정전하 자기조립 방법을 이용한 나노선의 전처리방법으로서;상기 (d) 단계 후 다이아몬드가 증착된 나노선은 상변화가 수반되지 않는 나노선의 외주면을 다이아몬드가 감싸도록 형성되는 다이아몬드가 증착된 나노선이고, 상기 나노선은 극성을 갖는 제1 고분자가 코팅된 나노선의 외주면에 상기 제1 고분자와 반대되는 극성을 갖는 제2 고분자가 코팅된 다이아몬드 입자가 흡착되며, 상기 나노선은 탄소나노와이어, 탄소나노튜브 또는 탄소나노로드 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 나노선의 전처리방법
8 8
(a) 나노선을 합성하는 단계;(b) 나노선의 외주면에 극성이 있는 제1 고분자를 코팅하는 단계;(c) 나노 다이아몬드 입자의 표면을 상기 나노 다이아몬드 입자 표면의 정전하와 반대되는 극성(정전하)을 갖는 제2 고분자로 코팅하는 단계; 및(d) 상기 (c) 단계에서 수득된 나노 다이아몬드 입자가 분산된 용액에 상기 (b) 단계에서 수득된 나노선을 침지시켜 상기 나노 다이아몬드 입자가 정전하에 의한 자기조립 방법을 통해 나노선에 흡착됨으로써 다이아몬드 증착시 증착핵으로 작용하도록 하는 단계를 포함하되;상기 (b) 단계의 고분자의 극성과 (c) 단계의 고분자의 극성이 같은 경우에는 상기 (c) 단계 이후에 상기 (b) 단계에 의해 처리된 나노선의 표면을 상기 (b) 단계의 고분자의 극성과 반대되는 극성을 갖는 고분자로 표면처리하는 단계를 포함하며,상기 (d) 단계 후 다이아몬드가 증착된 나노선은 상변화가 수반되지 않는 나노선의 외주면을 다이아몬드가 감싸도록 형성되는 다이아몬드가 증착된 나노선이고, 상기 나노선은 극성을 갖는 제1 고분자가 코팅된 나노선의 외주면에 상기 제1 고분자와 반대되는 극성을 갖는 제2 고분자가 코팅된 다이아몬드 입자가 흡착되며, 상기 나노선은 탄소나노와이어, 탄소나노튜브 또는 탄소나노로드 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 나노 다이아몬드 입자의 정전하 자기조립 방법을 이용한 나노선의 전처리방법
9 9
(a) 나노선을 합성하는 단계;(b) 나노선의 외주면에 극성을 갖는 제1 고분자를 코팅하는 단계;(c) 나노 다이아몬드 입자의 표면을 상기 나노 다이아몬드 입자 표면의 정전하와 반대되는 극성(정전하)을 갖는 제2 고분자로 코팅하는 단계;(d) 상기 (c) 단계에서 수득된 나노 다이아몬드 입자가 분산된 용액에 상기 (b) 단계에서 수득된 나노선을 침지시켜 상기 나노 다이아몬드 입자가 정전하에 의한 자기조립 방법을 통해 나노선에 흡착됨으로써 다이아몬드 증착시 증착핵으로 작용하도록 하는 단계; 및(e) 상기 처리된 나노선을 사용하고 화학기상증착법을 이용하여 보론이 도핑된 나노결정 다이아몬드 박막을 상기 나노선 상에 증착시키는 단계를 포함하는 단계를 포함하는 다이아몬드 박막 증착방법으로서;상기 (e) 단계에서 수득된 나노선은 상변화가 수반되지 않는 나노선의 외주면을 다이아몬드가 감싸도록 형성되는 다이아몬드가 증착된 나노선이고, 상기 나노선은 극성을 갖는 제1 고분자가 코팅된 나노선의 외주면에 상기 제1 고분자와 반대되는 극성을 갖는 제2 고분자가 코팅된 다이아몬드 입자가 흡착되며, 상기 나노선은 탄소나노와이어, 탄소나노튜브 또는 탄소나노로드 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 다이아몬드 박막 증착방법
10 10
(a) 나노선을 합성하는 단계;(b) 나노선의 외주면에 극성을 갖는 제1 고분자를 코팅하는 단계;(c) 나노 다이아몬드 입자의 표면을 상기 나노 다이아몬드 입자 표면의 정전하와 반대되는 극성(정전하)을 갖는 제2 고분자로 코팅하는 단계;(d) 상기 (c) 단계에서 수득된 나노 다이아몬드 입자가 분산된 용액에 상기 (b) 단계에서 수득된 나노선을 침지시켜 상기 나노 다이아몬드 입자가 정전하에 의한 자기조립 방법을 통해 나노선에 흡착됨으로써 다이아몬드 증착시 증착핵으로 작용하도록 하는 단계; 및(e) 상기 처리된 나노선을 사용하고 화학기상증착법을 이용하여 보론이 도핑된 나노결정 다이아몬드 박막을 상기 나노선 상에 증착시키는 단계를 포함하되;상기 (b) 단계의 고분자의 극성과 (c) 단계의 고분자의 극성이 같은 경우에는 상기 (c) 단계 이후에 상기 (b) 단계에 의해 처리된 나노선의 표면을 상기 (b) 단계의 고분자의 극성과 반대되는 극성을 갖는 고분자로 표면처리하는 단계를 포함하는 다이아몬드 박막 증착방법으로서;상기 (e) 단계에서 수득된 나노선은 상변화가 수반되지 않는 나노선의 외주면을 다이아몬드가 감싸도록 형성되는 다이아몬드가 증착된 나노선이고, 상기 나노선은 극성을 갖는 제1 고분자가 코팅된 나노선의 외주면에 상기 제1 고분자와 반대되는 극성을 갖는 제2 고분자가 코팅된 다이아몬드 입자가 흡착되며, 상기 나노선은 탄소나노와이어, 탄소나노튜브 또는 탄소나노로드 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 다이아몬드 박막 증착방법
11 11
제1항 및 제4항 내지 제6항 중 어느 한 항에 따른 상변화가 없고 길이방향으로 신장된 구조를 갖는 나노선의 외주면을 다이아몬드가 감싸도록 형성된 나노선을 포함하는 것을 특징으로 하는 전극
12 12
제9항 또는 제10항에 따른 다이아몬드 박막 증착방법에 의해 다이아몬드가 증착되어 제조된 나노선에 글루코오스 산화효소가 결합되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 바이오센서
13 13
제12항에 있어서, 상기 바이오센서는 나노 다이아몬드가 증착된 나노선에 3-아미노프로필트라이에톡시실레인을 결합시키고 글루타알데하이드를 이용하여 글루코오스 산화효소가 결합된 것을 특징으로 하는 바이오센서
14 14
제12항에 있어서, 상기 바이오센서는 생체성분을 검출하는 것을 특징으로 하는 바이오센서
15 15
제12항에 있어서, 상기 바이오센서는 360 μA/mM 이상의 민감도를 갖는 것을 특징으로 하는 바이오센서
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2012134133 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
2 WO2012134133 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 WO2012134133 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
2 WO2012134133 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.