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탄소나노튜브의 절단 방법 및 그로부터 제조된탄소나노튜브

  • 기술번호 : KST2015133976
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 탄소나노튜브의 절단 방법 및 그로부터 제조된 탄소나노튜브에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는 도핑 금속, 비극성 분자 및 쌍극자 용매를 포함하는 π-적층 복합체 용액 (π-stacking complex)을 제조하는 단계; 상기 π-적층 복합체 용액 중에 탄소나노튜브를 첨가하고 상온에서 교반함으로써 금속 도핑된 탄소나노튜브의 용액을 제조하는 단계; 상기 금속 도핑된 탄소나노튜브 용액을 세척 및 건조함으로써 금속 도핑된 탄소나노튜브 분말을 제조하는 단계; 및 상기 금속 도핑된 탄소나노튜브 분말에 대해서 질산 용액 처리를 수행하여 절단하고 증류수로 세척하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 절단 방법 및 그로부터 제조된 탄소나노튜브에 관한 것이다.본 발명에 따르면, 단순한 공정에 의해서 길이가 짧고 균일하며 개방 말단을 갖는 절단된 탄소나노튜브를 대규모로 제조함으로써, 다양한 분야에의 응용성 및 적용가능성이 확대된 탄소나노튜브를 제공할 수 있다.탄소나노튜브, π-적층 복합체 용액, 질산 용액 처리
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) C01B 31/02 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC C01B 32/176(2013.01) C01B 32/176(2013.01)
출원번호/일자 1020070009107 (2007.01.29)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0839223-0000 (2008.06.11)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080619) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.01.29)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이철진 대한민국 서울 강남구
2 전경용 대한민국 서울 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 현종철 대한민국 서울특별시 중구 다산로 **, *층 특허법인충현 (신당동, 두지빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2007.01.29 수리 (Accepted) 1-1-2007-0088140-68
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.03.22 수리 (Accepted) 4-1-2007-5043540-16
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0647193-25
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.01.21 수리 (Accepted) 1-1-2008-0049296-57
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.01.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0049329-76
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.03.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5034712-96
7 등록결정서
Decision to grant
2008.05.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0279626-51
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
도핑 금속, 비극성 분자 및 쌍극자 용매를 포함하는 π-적층 복합체 용액 (π-stacking complex)을 제조하는 단계;상기 π-적층 복합체 용액 중에 탄소나노튜브를 첨가하고 상온에서 교반함으로써 금속 도핑된 탄소나노튜브의 용액을 제조하는 단계;상기 금속 도핑된 탄소나노튜브 용액을 세척 및 건조함으로써 금속 도핑된 탄소나노튜브 분말을 제조하는 단계; 및상기 금속 도핑된 탄소나노튜브 분말에 대해서 질산 용액 처리를 수행하여 절단하고 증류수로 세척하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 절단 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 도핑 금속은 리튬, 나트륨 및 칼륨으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 알칼리 금속인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 절단 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 비극성 분자는 나프탈렌, 안트라센 및 페난트렌으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 방향족 탄소 화합물인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 절단 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 쌍극자 용매는 테트라하이드로퓨란, 메틸테트라하이드로퓨란, 디에톡시에탄 및 디메틸에틸에테르로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 유기 용매인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 절단 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 π-적층 복합체 용액은 상기 쌍극자 용매 100 중량부에 대해서 상기 도핑 금속 1 내지 2 중량부 및 상기 비극성 분자 3
6 6
제1항에 있어서, 상기 π-적층 복합체 용액 100 중량부에 대해서 상기 탄소나노튜브 0
7 7
제1항에 있어서, 상기 교반은 300rpm 내지 500rpm의 교반 속도로, 상온의 질소 분위기 하에서 3시간 내지 1주일 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 절단 방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 세척 단계는 물, 알코올, 디메틸포름아미드, 클로로포름, 디클로로벤젠, 테트라하이드로퓨란 및 디메틸아세트아미드로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 세척액에 의해서 수행되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 절단 방법
9 9
제1항에 있어서, 상기 질산 용액 중 질산의 농도는 5중량% 내지 60중량%인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 절단 방법
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제1항에 있어서, 상기 질산 용액 처리는 상온 내지 118℃의 온도에서 2시간 내지 12시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 절단 방법
11 11
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