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나노와이어 트랜지스터 제작 방법

  • 기술번호 : KST2015134071
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예에 따른 나노와이어 트랜지스터 제작 방법은, 기판에 서로 이격된 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 상기 기판에서, 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이에 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극 상에 게이트 절연체를 형성하는 단계; 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극, 및 상기 게이트 전극이 형성된 상기 기판 상에 나노와이어를 포함하는 나노와이어 용액을 도포하는 단계; 상기 나노와이어가 두 개 이상 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이에 배열되도록, 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이에 교류 신호를 인가하는 단계; 및 상기 나노와이어 용액의 용매를 증발시키는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 29/78 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01)
출원번호/일자 1020090077126 (2009.08.20)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0019551 (2011.02.28) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.08.20)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍병학 대한민국 서울특별시 성북구
2 황성우 대한민국 서울특별시 강남구
3 강명길 대한민국 서울특별시 성북구
4 김희태 대한민국 충청남도 서산시 대
5 안재현 대한민국 서울특별시 서초구
6 황동훈 대한민국 대구광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.08.20 수리 (Accepted) 1-1-2009-0509452-86
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.11.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.12.16 수리 (Accepted) 9-1-2010-0078083-10
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.01.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0022951-18
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.03.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0183108-96
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.03.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0183107-40
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2011.09.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0508858-35
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판에 서로 이격된 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 상기 기판에서, 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이에 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극 상에 게이트 절연체를 형성하는 단계; 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극, 및 상기 게이트 전극이 형성된 상기 기판 상에 나노와이어를 포함하는 나노와이어 용액을 도포하는 단계; 상기 나노와이어가 두 개 이상 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이에 배열되도록, 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이에 교류 신호를 인가하는 단계; 및 상기 나노와이어 용액의 용매를 증발시키는 단계를 포함하는, 나노와이어 트랜지스터 제작 방법
2 2
기판에 서로 이격된 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극이 형성된 상기 기판 상에 나노와이어를 포함하는 나노와이어 용액을 도포하는 단계; 상기 나노와이어가 두 개 이상 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이에 배열되도록, 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이에 교류 신호를 인가하는 단계; 상기 나노와이어 용액의 용매를 증발시키는 단계; 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 사이에 배열된 상기 나노와이어 상에 게이트 절연체를 형성하는 단계; 및 상기 게이트 절연체 상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는, 나노와이어 트랜지스터 제작 방법
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 나노와이어는 반도체 나노와이어 또는 알루미늄 나노와이어인, 나노와이어 트랜지스터 제작 방법
4 4
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 교류 신호는, 적어도 1MHz의 주파수를 갖고, 적어도 15V의 전압을 갖는, 나노와이어 트랜지스터 제작 방법
5 5
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계, 상기 게이트 절연체를 형성하는 단계, 및 상기 게이트 전극을 형성하는 단계는, 포토리소그래피(photolithography)를 이용하는, 나노와이어 트랜지스터 제작 방법
6 6
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 사이에 배열되는 나노와이어의 개수를 조절하기 위하여, 상기 교류 신호의 주파수 및 전압을 조절하는 단계를 더 포함하는, 나노와이어 트랜지스터 제작 방법
7 7
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 나노와이어 용액에 포함된 복수의 나노와이어들은 상호 척력이 작용하는 물질이 그 표면에 증착된, 나노와이어 트랜지스터 제작 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.